>> 國金證券-基礎(chǔ)化工行業(yè)：美光DRAM庫存去化，關(guān)注材料端需求修復(fù)-231129
| 上傳日期： |
2023/11/30 |
大小： |
488KB |
| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
國金證券 |
| 評級： |
買入 |
作者： |
陳屹,金維 |
| 行業(yè)名稱： |
化工 |
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事件
11月28日新聞，美光第四季起啟動收斂DRAM工廠減產(chǎn)幅度，反映領(lǐng)先完成庫存去化，法人表示，美光DRAM庫存已降至八周，完成庫存去化，并將DRAM工廠減產(chǎn)幅度自第三季的31%收斂至第四季的17%、并預(yù)計在明年第一季至第四季維持減產(chǎn)幅度，DRAM晶圓廠可望自今年第四季至明年第二季陸續(xù)升載，推動價量齊揚。
點評
四季度存儲行業(yè)持續(xù)改善，高端存儲預(yù)期向好。在供應(yīng)商對減產(chǎn)策略的堅持以及需求結(jié)構(gòu)性改善的背景下，四季度部分存儲價格漲幅擴大，根據(jù)TrendForce，自第四季起DRAM與NANDFlash均價開始全面上漲，DRAM第四季合約價季漲幅約3~8%，其中第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%，展望24年一季度，存儲價格預(yù)計仍將延續(xù)漲勢。企業(yè)層面，三大存儲原廠最新財報均有改善，美光24Q1財報將營收展望從44±2億美元上調(diào)至接近47億美元，DRAM庫存水平已回到正常線，四季度減產(chǎn)將收斂，考慮到各家減產(chǎn)節(jié)奏，三星與海力士明年一季度或可看到減產(chǎn)環(huán)比收斂；受面向AI的代表性存儲器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等主力產(chǎn)品的銷售的拉動，海力士DRAM業(yè)務(wù)在今年第一季度由盈轉(zhuǎn)虧的DRAM僅在兩個季度后扭虧為盈，三季度出貨環(huán)比增長20%，ASP上升約10%；三星在今年下半年擴大減產(chǎn)幅度后，DRAM、NAND合約價也有所上調(diào)，未來將會繼續(xù)專注于高附加值存儲的銷售。
存儲復(fù)蘇將帶動上游材料需求。存儲芯片是半導(dǎo)體材料重要的使用場景，由于芯片結(jié)構(gòu)的差異，部分半導(dǎo)體材料在存儲芯片的用量會顯著大于邏輯芯片，例如對于電子特氣，在相同產(chǎn)能的情況下，存儲芯片的氣體用量比邏輯芯片的氣體用量大2-3倍，前驅(qū)體的用量也是存儲芯片更高，并且隨著今年以后HBM、DDR5等高性能存儲的起量，相關(guān)材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也將發(fā)生變化，價值量有望提升，建議關(guān)注存儲復(fù)蘇對上游半導(dǎo)體材料行業(yè)的帶動，相關(guān)標(biāo)的如前驅(qū)體龍頭雅克科技、電子特氣龍頭華特氣體等。
風(fēng)險提示
下游存儲需求修復(fù)不及預(yù)期、存儲原廠稼動率抬升進度不及預(yù)期、上游半導(dǎo)體材料研發(fā)進度不及預(yù)期
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