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投資要點
　　事件：2023年12月13日晶盛機電在SEMICONJAPAN 2023日本東京半導體展會上展示了8英寸碳化硅襯底片和8英寸外延生長設備，8英寸碳化硅襯底片已實現(xiàn)批量生產。
　　晶盛實現(xiàn)碳化硅設備自制，掌握核心長晶工藝。晶盛自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝的研發(fā)，（1）設備：公司堅定電阻法技術路線，并在2020年建立長晶實驗室和中試線，目前長晶和核心加工設備均為自制，設備國產化率達到90%以上。（2）工藝：碳化硅襯底長晶最難的是溫度、氣體、壓力的控制，工藝的把握決定了良率水平，晶盛光伏單晶爐的優(yōu)勢為軟件算法自制，同時藍寶石長晶也積累了經驗，延續(xù)應用至碳化硅長晶。
　　產能兼容6-8寸，8寸是未來重點。晶盛規(guī)劃了25萬片6寸和5萬片8寸襯底片產能，設備從長晶、切片、減薄/研磨、拋光、清洗/檢測均兼容6-8寸襯底，伴隨良率近期逐漸在提高&摩爾定律的演繹，8寸會快速替代6寸，未來8寸放量后晶盛規(guī)劃的產能可切換為8寸生產為主。
　　襯底片性能優(yōu)越，與中芯集成等達成合作。目前8英寸碳化硅襯底片已實現(xiàn)批量生產，可提供500um和350um兩種厚度的8英寸襯底片以滿足不同客戶要求。6英寸和8英寸量產晶片的核心位錯可以穩(wěn)定實現(xiàn)TSD＜100個/ cm2，BPD＜400個/cm2，達到行業(yè)領先水平。最新的研發(fā)數(shù)據(jù)核心位錯缺陷得到更進一步的改善，TSD和BPD在90%以上面積上趨近0，目標在2024年從研發(fā)推動量產，最終實現(xiàn)“TSDFREE+ near BPDFREE”的目標。主要客戶包括中芯集成等。
　　布局碳化硅外延設備（MOCVD），與襯底片協(xié)同。晶盛為國內龍頭，2023年2月推出6寸雙片式外延設備，同年6月推出8寸單片式設備，可兼容6、8寸生產，解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等，外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內。下游外延片廠商為晶盛襯底片+外延設備客戶，形成協(xié)同。
　　盈利預測與投資評級：光伏設備是晶盛機電成長的第一曲線，第二曲線是光伏耗材和半導體耗材的放量，第三曲線是碳化硅設備+材料和半導體設備的放量。我們維持公司2023-2025年歸母凈利潤為47/58/70億元，對應PE為11/9/8倍，維持“買入”評級。
　　風險提示：下游擴產低于預期，新品拓展不及預期。