>> 平安證券-半導(dǎo)體行業(yè)系列專題(二)之碳化硅：襯底產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，關(guān)注滲透加速下的國產(chǎn)化機(jī)會-240110
| 上傳日期： |
2024/1/10 |
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| 3579KB |
| 格式： |
pdf 共40頁 |
來源： |
平安證券 |
| 評級： |
強(qiáng)于大市 |
作者： |
付強(qiáng),徐勇 |
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投資要點(diǎn)
材料性能突出，器件優(yōu)勢明顯。當(dāng)前Si半導(dǎo)體已逼近物理極限，以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體成為后摩爾時代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)方向之一，SiC材料擁有高擊穿電場、高導(dǎo)熱率以及高飽和電子漂移速度等特性，制備的器件相較于Si產(chǎn)品能夠降低80%損耗的同時將器件尺寸縮小90%，在新能源汽車、光伏以及軌道交通等領(lǐng)域具備廣闊的替代空間。
SiC為半導(dǎo)體重要新材料，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控需求強(qiáng)烈。當(dāng)前海外對華科技限制持續(xù)加碼，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控刻不容緩，SiC作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要新材料，國內(nèi)外SiC技術(shù)代差約為5-8年，相較硅基半導(dǎo)體，具備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代機(jī)遇，國家重視程度將不斷上升，有望持續(xù)推出利好政策助力國內(nèi)SiC行業(yè)發(fā)展，國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來快速發(fā)展良機(jī)。
SiC晶體生長慢且加工難，提升良率和產(chǎn)能是控制成本的關(guān)鍵。SiC器件成本是Si器件的3倍左右，是制約SiC行業(yè)快速發(fā)展的核心因素之一，造成該問題的主要原因在于SiC長晶速度緩慢且加工難度大，從原材料到晶圓轉(zhuǎn)換率僅為50%。未來在技術(shù)進(jìn)步和規(guī)模經(jīng)濟(jì)共同作用下，產(chǎn)線將向8英寸轉(zhuǎn)移，襯底尺寸擴(kuò)徑將助力產(chǎn)業(yè)鏈降本，預(yù)計襯底價格將以每年8%的速度下降，有望進(jìn)一步加速SiC發(fā)展?jié)B透。
降本提效增益明顯，下游持續(xù)景氣帶動需求提升。SiC器件能夠?yàn)樾履茉雌囈约肮夥汝P(guān)鍵下游帶來明顯的效率提升以及綜合成本優(yōu)化，隨著SiC滲透加速，Yole預(yù)計2026年全球SiC器件市場規(guī)模將達(dá)71億美元，其中，新能源汽車作為SiC器件增長的主要驅(qū)動力，近些年整體銷量呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，將不斷帶動SiC器件需求，預(yù)計2027年全球車用SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)50億美元。
投資建議：在SiC頭部廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)背景下，SiC襯底、器件供應(yīng)能力不斷加強(qiáng)，規(guī)模效應(yīng)帶動價格持續(xù)下探，SiC滲透率持續(xù)提升，尤其是在新能源汽車領(lǐng)域，SiC上車速度明顯加快，預(yù)計2024年市場將會推出更多搭載SiC器件的車型，將進(jìn)一步帶動SiC需求增長，疊加當(dāng)前國產(chǎn)替代主旋律持續(xù)深化，國家對重點(diǎn)領(lǐng)域關(guān)鍵材料重視程度持續(xù)提升，國產(chǎn)SiC廠商有望迎來發(fā)展良機(jī)，建議關(guān)注技術(shù)底蘊(yùn)扎實(shí)且產(chǎn)能擴(kuò)充順利的SiC產(chǎn)業(yè)鏈公司天岳先進(jìn)、時代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、晶盛機(jī)電、晶升股份、三安光電。
風(fēng)險提示：1）碳化硅上車進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險；2）產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國產(chǎn)替代進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險；3）襯底價格下降不及預(yù)期風(fēng)險；4）宏觀經(jīng)濟(jì)下行風(fēng)險。
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