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薄膜沉積賽道領(lǐng)軍者，訂單飽滿業(yè)績(jī)亮眼。公司聚焦薄膜沉積設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)集成電路邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等制造產(chǎn)線，性能參數(shù)已達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平。受益下游擴(kuò)產(chǎn)和國(guó)產(chǎn)替代，公司訂單飽滿收入逐年提升，盈利水平拾級(jí)而上。預(yù)計(jì)2023年末在手銷售訂單金額超過64億元（不含Demo訂單），較上年同期增加39.07%。
　　薄膜沉積是半導(dǎo)體制造核心設(shè)備，技術(shù)壁壘高國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。薄膜性能直接影響電路圖形轉(zhuǎn)移質(zhì)量和芯片芯能，設(shè)備設(shè)計(jì)制造壁壘較高。2022年薄膜沉積設(shè)備在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中占比為22%，市場(chǎng)規(guī)模約為230億美元，主要由海外廠商壟斷。薄膜沉積設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程較慢，替代空間廣闊。若國(guó)產(chǎn)化率提升至50%，對(duì)應(yīng)全球千億級(jí)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模，國(guó)內(nèi)廠商未來(lái)市場(chǎng)空間可達(dá)30億美元以上。
　　技術(shù)實(shí)力確立領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)能擴(kuò)充與布局拓展護(hù)航長(zhǎng)期增長(zhǎng)。公司設(shè)備型號(hào)豐富，廣泛覆蓋不同薄膜材料工藝需求，產(chǎn)品已適配國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線，及2.5D、3D先進(jìn)封裝和其他泛半導(dǎo)體領(lǐng)域。公司核心產(chǎn)品PECVD設(shè)備2022年收入占比超90%，已實(shí)現(xiàn)通用介質(zhì)薄膜材料、先進(jìn)介質(zhì)薄膜材料等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。公司募投擴(kuò)產(chǎn)與研發(fā)項(xiàng)目，積極把握國(guó)產(chǎn)替代下市場(chǎng)擴(kuò)容；布局混合鍵合領(lǐng)域，搶抓先進(jìn)封裝加速機(jī)遇。目前，公司晶圓對(duì)晶圓鍵合產(chǎn)品（Dione 300）已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并獲得復(fù)購(gòu)訂單；芯片對(duì)晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品（Pollux）已出貨至客戶端驗(yàn)證，利好長(zhǎng)期業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。公司堅(jiān)持高研發(fā)投入和創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，研發(fā)費(fèi)率高于可比公司水平。公司股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃覆蓋廣泛，有助綁定員工利益，考核目標(biāo)設(shè)定彰顯對(duì)業(yè)績(jī)長(zhǎng)期向好的充分信心。
　　盈利預(yù)測(cè)、估值分析和投資建議：預(yù)計(jì)2023-2025年公司歸母凈利潤(rùn)分別為6.09/8.36/10.96億元，同比增長(zhǎng)65.4%/37.3%/31.1%，EPS為3.24/4.44/5.83元，對(duì)應(yīng)2024年2月2日收盤價(jià)159.66元，PE為49.3/35.9/27.4倍。首次覆蓋給予“增持-A”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游恢復(fù)不及預(yù)期，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，擴(kuò)產(chǎn)及研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期。