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開源證券-機(jī)械設(shè)備行業(yè)深度報(bào)告:AI浪潮勢(shì)不可擋,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迎先進(jìn)工藝產(chǎn)線資本開支潮-240205
上傳日期:
2024/2/5
大小:
3342KB
格式:
pdf 共20頁
來源:
開源證券
評(píng)級(jí):
看好
作者:
孟鵬飛
行業(yè)名稱:
機(jī)械
下載權(quán)限:
無限制-登錄即可下載
AI浪潮勢(shì)不可擋,國內(nèi)先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝產(chǎn)線資本開支加速
高性能運(yùn)算(HPC)已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心支柱,算力升級(jí)離不開AIGPU的支撐。AIGPU首先要通過先進(jìn)制程工藝制造存儲(chǔ)與邏輯芯片,再采用2.5D/3D先進(jìn)封裝工藝來提升系統(tǒng)性能。目前,國內(nèi)兩大存儲(chǔ)廠已分別在3DNAND、LPDDR5取得技術(shù)突破,高性能AI芯片出海代工受限加劇國內(nèi)FinFET產(chǎn)能緊缺,終端龍頭回歸推動(dòng)長(zhǎng)電科技、通富微電等封測(cè)廠商加大在先進(jìn)封裝領(lǐng)域布局。在瓶頸設(shè)備進(jìn)口數(shù)據(jù)樂觀、國產(chǎn)配套設(shè)備工藝覆蓋度提升的背景下,國內(nèi)存儲(chǔ)、先進(jìn)邏輯、先進(jìn)封裝產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)確定性強(qiáng)。
先進(jìn)存儲(chǔ)、邏輯產(chǎn)線對(duì)刻蝕、薄膜沉積、外延、量檢測(cè)設(shè)備需求量增加
刻蝕:根據(jù)Yole,存儲(chǔ)器件芯片結(jié)構(gòu)從二維向三維轉(zhuǎn)變使得等離子體刻蝕成為步驟最多、最關(guān)鍵的工序,2025年預(yù)計(jì)占3DNAND制造設(shè)備總規(guī)模的73%,極高深寬比刻蝕是3DNAND向200層甚至300層以上升級(jí)過程中最關(guān)鍵的工藝。因多次曝光的引入,12寸先進(jìn)邏輯產(chǎn)線刻蝕設(shè)備用量是成熟制程產(chǎn)線的2.4倍,一體化大馬士革刻蝕為28納米以下邏輯器件制造最核心的工藝之一。薄膜沉積:先進(jìn)邏輯產(chǎn)線約需超過100道薄膜沉積工序,是90nm CMOS工藝的2.5倍。其中,ALD設(shè)備因可以實(shí)現(xiàn)高深寬比、極窄溝槽開口的優(yōu)異臺(tái)階覆蓋率及精確薄膜厚度控制,成為先進(jìn)邏輯、存儲(chǔ)器件制造中必需的薄膜設(shè)備。外延:在關(guān)鍵尺寸進(jìn)入28 nm及以下后,必須采用鍺硅外延技術(shù)來加大PMOS的壓應(yīng)力,以提高器件整體響應(yīng)速度。除以上三類設(shè)備外,先進(jìn)邏輯產(chǎn)線對(duì)爐管、量檢測(cè)等設(shè)備用量也提升,平臺(tái)型廠商更受益于先進(jìn)邏輯產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)。
CoW固晶、CMP、電鍍、鍵合、量檢測(cè)、光刻為先進(jìn)封裝高價(jià)值量環(huán)節(jié)
HBM使用3D封裝工藝,并與GPU通過CoWoS 2.5D封裝水平互聯(lián)。以2024-2033年國內(nèi)智能算力需求測(cè)算,我們預(yù)計(jì)先進(jìn)封測(cè)設(shè)備總投資有望達(dá)到661.1億元,其中CoW倒裝固晶(12.5%)、CMP(7.5%)、電鍍(7.5%)、臨時(shí)鍵合與解鍵合(7.5%)、量檢測(cè)(6.7%)、光刻(6.3%)產(chǎn)線價(jià)值量占比合計(jì)47.9%。
先進(jìn)封裝對(duì)晶圓級(jí)設(shè)備的性能要求低于前道產(chǎn)線,國產(chǎn)前道設(shè)備廠商向先進(jìn)封裝領(lǐng)域布局屬于技術(shù)降維,未來在國內(nèi)先進(jìn)封裝產(chǎn)線有望占據(jù)較高份額。對(duì)于后道封測(cè)設(shè)備廠商來說,更先進(jìn)的封裝工藝對(duì)設(shè)備要求提升,國產(chǎn)廠商在成品測(cè)試、分選等環(huán)節(jié)技術(shù)實(shí)力強(qiáng),相比之下在固晶、切割、研磨、塑封等環(huán)節(jié)實(shí)力稍弱,未來市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)穩(wěn)步提升。
供應(yīng)鏈自主可控為產(chǎn)業(yè)共識(shí),半導(dǎo)體前、后道設(shè)備廠商市占率有望提升
受益于存儲(chǔ)、先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn),前道設(shè)備有望邊際簽單提速,受益標(biāo)的:中微公司(等離子刻蝕)、芯源微(涂膠顯影)、北方華創(chuàng)(平臺(tái)型)、盛美上海(平臺(tái)型)、中科飛測(cè)(量檢測(cè))、拓荊科技(CVD)。先進(jìn)封裝為后道設(shè)備商帶來增長(zhǎng)彈性,受益標(biāo)的:賽騰股份、快克智能、芯碁微裝。
風(fēng)險(xiǎn)提示:產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度、力度不及預(yù)期,設(shè)備國產(chǎn)化率提升不及預(yù)期。
相關(guān)行業(yè)報(bào)告
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