>> 華金證券-半導體行業(yè)走進“芯”時代系列之七十六-HBM之“設備材料”深度分析：HBM迭代，3D混合鍵合成設備材料發(fā)力點-240304
| 上傳日期： |
2024/3/4 |
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| 6208KB |
| 格式： |
pdf 共79頁 |
來源： |
華金證券 |
| 評級： |
領先大市 |
作者： |
孫遠峰,王海維 |
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HBM加速迭代，市場空間足：HBM突破“內(nèi)存墻”，實現(xiàn)高帶寬高容量，成為AI芯片最強輔助，我們認為HBM將持續(xù)迭代，I/O口數(shù)量以及單I/O口速率將逐漸提升，HBM3以及HBM3e逐漸成為AI服務器主流配置，且產(chǎn)品周期相對較長，單顆容量及配置顆數(shù)逐步增加，預計HBM4于2026年發(fā)布。2024年全球HBM市場有望超百億美元，市場空間足，國產(chǎn)供應鏈加速配套。
HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4劍指混合鍵合：當前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB鍵合方式堆疊（TSV一般由晶圓廠完成，封測廠可在堆疊環(huán)節(jié)進行配套），但隨著堆疊層數(shù)的增加散熱效率很差，TCB不再滿足需求，海力士率先引入MR-MUF回歸大規(guī)?；亓骱腹に?，芯片之間用液態(tài)環(huán)氧模塑料作為填充材料，導熱率比TC-NCF中的非導電薄膜高很多，但海力士也預計HBM4會引入混合鍵合Hybrid Bonding方案，取消互連凸塊。我們預判當前HBM主流依然是TCB壓合，MR-MUF方案為過渡方案，未來混合鍵合是大趨勢。液態(tài)塑封料LMC依然是晶圓級封裝至關重要的半導體材料之一。
混合鍵合與TSV是3D封裝的核心，HBM“連接”與“堆疊”帶來設備材料端發(fā)展新機遇：混合鍵合分為晶圓對晶圓W2W和芯片對晶圓D2W，3DNAND使用W2W，典型案例為長鑫存儲的Xstacking，CMOS層+存儲層采用W2W混合鍵合方案，預計HBM未來亦會采用W2W方案，W2W與D2W方案相比一般應用于良率非常高的晶圓，避免損失。根據(jù)我們產(chǎn)業(yè)鏈研究，混合鍵合將充分帶動永久鍵合設備與減薄+CMP需求，根據(jù)BESI官方數(shù)據(jù)，預計存儲領域未來貢獻混合鍵合設備明顯增量，保守預計2026年需求量超過200臺，減薄+CMP亦成為重要一環(huán)。當前HBM方案主要帶動固晶機、臨時鍵合與解鍵合、塑封裝備以及TSV所需的PECVD、電鍍、CMP等設備；材料端則是TSV電鍍液、塑封料等。
相關標的：包括封測環(huán)節(jié)：通富微電（先進封裝）、長電科技（先進封裝）等；設備環(huán)節(jié)：拓荊科技（PECVD+ALD+鍵合設備）、華海清科（減薄+CMP）、華卓精科（擬上市，鍵合設備）、芯源微（臨時鍵合與解鍵合）等；材料環(huán)節(jié)：華海誠科（環(huán)氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV電鍍添加劑）、艾森股份（先進封裝電鍍）等
風險提示：行業(yè)與市場波動風險，國際貿(mào)易摩擦風險，新技術、新工藝、新產(chǎn)品無法如期產(chǎn)業(yè)化風險，產(chǎn)能擴張進度不及預期風險，行業(yè)競爭加劇風險
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