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DRAM：市場品牌顆粒價(jià)格走勢不一，終端需求仍可持續(xù)觀察。根據(jù)DRAMexchange，上周（0310-0317）DRAM18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅為1.2%~+1.0%，平均漲跌幅為-0.1%，前值為-0.3%。上周個(gè)4料號(hào)呈上漲趨勢，10個(gè)料號(hào)呈下降趨勢，4個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。市場品牌顆粒價(jià)格走勢有所區(qū)分，SKHynix DDR4貨源充足，因而以較低價(jià)吸引買家，Samsung顆粒官價(jià)或?qū)⒊掷m(xù)上漲，現(xiàn)貨價(jià)有所支撐，下跌幅度縮小，但仍須觀察終端需求而定調(diào)。
　　NAND：供應(yīng)端積極報(bào)價(jià)求售，原廠及模組廠預(yù)期Q2將持續(xù)上揚(yáng)。上周（0310-0317）NAND顆?，F(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-3.5%~+1.4%，31個(gè)品類平均漲跌幅為-0.6%，前值為-0.6%。其中12個(gè)型號(hào)價(jià)格持平，2個(gè)型號(hào)價(jià)格上漲，17個(gè)型號(hào)價(jià)格下跌。市場賣壓仍然存續(xù)，供應(yīng)端多積極報(bào)價(jià)求售，特定品項(xiàng)有部分詢單，終端需求略低于預(yù)期，工廠端備貨速度放緩，整體市場氛圍大多處于觀望狀態(tài)，原廠端及模組廠大多預(yù)期未來第二季報(bào)價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)，但在終端需求未明朗前，整體備貨動(dòng)作較為保守。此外，NANDWafer現(xiàn)貨價(jià)在前四周企穩(wěn)后，本周上漲+3.2%。作為模組廠的主要成本，NANDWafer的轉(zhuǎn)漲后續(xù)有望帶動(dòng)下游模組廠跟進(jìn)漲價(jià)，進(jìn)一步改善模組廠盈利能力。
　　模組端：鎧俠向高性能和高密度進(jìn)發(fā)，積極擁抱AI需求。AI井噴式發(fā)展加速了存儲(chǔ)行業(yè)的升級(jí)，其中PCIe 5.0技術(shù)是設(shè)備性能提升的關(guān)鍵，而EDSFF新的企業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格優(yōu)化了SSD的物理尺寸、散熱、性能、安裝便捷性等多個(gè)特性。鎧俠CM7系列和CD8P系列均推出了EDSFFE3.S規(guī)格的產(chǎn)品，支持PCIe 5.0和NVMe 2.0，同時(shí)具備高密度存儲(chǔ)和高吞吐量的性能表現(xiàn)，在能耗與性能間出色平衡，為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)用戶提供合理的擴(kuò)容選擇。同時(shí)，鎧俠聚焦于前沿存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)，218層3DNANDFlash采用創(chuàng)新的橫向微縮技術(shù)，為4 Plane的1TbTLC和QLC，存儲(chǔ)Bit密度提升超50%。我們認(rèn)為，AI時(shí)代下，SSD高傳輸速率與高存儲(chǔ)密度的發(fā)展趨勢將加速迭代，共同催化SSD價(jià)量齊升。
　　相關(guān)標(biāo)的：
　　存儲(chǔ)模組：江波龍（進(jìn)軍企業(yè)級(jí)&信創(chuàng)市場）、佰維存儲(chǔ)（研發(fā)封測一體化）、朗科科技（韶關(guān)數(shù)據(jù)中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模組）等
　　存儲(chǔ)芯片：建議關(guān)注兆易創(chuàng)新（NOR+DRAM龍頭）、東芯股份、普冉股份等DDR5配套：瀾起科技、聚辰股份等
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期、行業(yè)競爭加劇、全球貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)。