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>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲(chǔ)芯片周度跟蹤:大廠NAND開(kāi)工率升至70%,SK海力士3D DRAM良率尚佳-240702
上傳日期:   2024/7/4 大?。?/td>   679KB
格式:   pdf  共11頁(yè) 來(lái)源:   甬興證券
評(píng)級(jí):   增持 作者:   陳宇哲
行業(yè)名稱:   電子
下載權(quán)限:   此報(bào)告為加密報(bào)告
核心觀點(diǎn)
  NAND:NAND顆粒市場(chǎng)價(jià)格小幅波動(dòng),NAND生產(chǎn)開(kāi)工率上升帶動(dòng)韓國(guó)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。根據(jù)DRAMexchange,上周(0624-0628)NAND顆粒22個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為1.72%至0.13%,平均漲跌幅為-0.33%。其中7個(gè)料號(hào)價(jià)格持平,3個(gè)料號(hào)價(jià)格上漲,12個(gè)料號(hào)價(jià)格下跌。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,去年,由于需求低迷,三星電子和SK海力士將NAND工廠的開(kāi)工率降至20-30%,今年開(kāi)工率已上升至70%以上。Soulbrain和WonikMaterials等韓國(guó)供應(yīng)商已經(jīng)擴(kuò)大了供應(yīng)能力,以滿足4月份開(kāi)始量產(chǎn)的三星第9代NAND所需材料日益增長(zhǎng)的需求。
  DRAM:顆粒價(jià)格小幅波動(dòng),SK海力士3DDRAM制造良率曝光。根據(jù)DRAMexchange,上周(0624-0628)DRAM 18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-2.11%至1.87%,平均漲跌幅為-0.02%。上周8個(gè)料號(hào)呈上漲趨勢(shì),9個(gè)料號(hào)呈下降趨勢(shì),1個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,SK海力士稱其5層堆疊的3DDRAM的制造良率已達(dá)56.1%,實(shí)驗(yàn)性的3DDRAM顯示出與目前使用的2DDRAM相似的特性。與2DDRAM的穩(wěn)定運(yùn)行不同,3DDRAM表現(xiàn)出不穩(wěn)定的性能特征,需要堆疊32-192層存儲(chǔ)單元才能實(shí)現(xiàn)普遍使用。
  HBM:ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備,HBM產(chǎn)能增長(zhǎng)推動(dòng)熱壓鍵合機(jī)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,韓國(guó)后端設(shè)備制造商ASMPT向美光提供演示熱壓(TC)鍵合機(jī),雙方已開(kāi)始聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代鍵合機(jī),用于HBM4生產(chǎn)。韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司生產(chǎn)的熱壓鍵合機(jī)訂單量因三星電子和SK海力士增加其高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)而迅速增加。
  市場(chǎng)端:價(jià)格處于底部盤(pán)整階段。上周(0624-0628)eMMC價(jià)格下降3.75%,UFS價(jià)格持平。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,存儲(chǔ)現(xiàn)貨渠道市場(chǎng)買賣情緒低迷,價(jià)格處于底部盤(pán)整階段。部分渠道廠商為追逐流水紛紛搶單,現(xiàn)貨渠道市場(chǎng)倒掛形勢(shì)依然嚴(yán)峻;另外,部分原廠品牌采取低價(jià)策略加速成品出貨以實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)增長(zhǎng),但由于目前渠道價(jià)格仍居低位,議價(jià)空間小,本周渠道SSD和內(nèi)存價(jià)格維持不變。本周存儲(chǔ)行業(yè)SSD和內(nèi)存條價(jià)格維持穩(wěn)定。工控端SSD有小單詢價(jià),價(jià)格未出現(xiàn)過(guò)度波動(dòng);行業(yè)內(nèi)存條終端謹(jǐn)慎拿貨且報(bào)價(jià)低,供應(yīng)端出貨意愿不強(qiáng),整體需求依舊不佳。現(xiàn)貨嵌入式方面,本周部分大容量eMMC及LPDDR價(jià)格小幅下跌。
  投資建議
  我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲(chǔ)為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
  HBM:受益于算力芯片提振HBM需求,相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)加速成長(zhǎng),建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等;
  存儲(chǔ)芯片:受益于供應(yīng)端推動(dòng)漲價(jià)、庫(kù)存逐漸回歸正常、AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升,產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份,建議關(guān)注恒爍股份、佰維存儲(chǔ)、江波龍、德明利、深科技等。
  風(fēng)險(xiǎn)提示
  中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等
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