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核心要點(diǎn)：
　　Q3存儲(chǔ)原廠價(jià)格調(diào)漲
　　三大存儲(chǔ)原廠價(jià)格調(diào)漲趨勢未變。Digitimes統(tǒng)計(jì)顯示，第三季度受服務(wù)器領(lǐng)域?qū)τ贒DR5、HBM產(chǎn)品的需求景氣帶動(dòng)，同時(shí)受DDR5及HBM的產(chǎn)能排擠效應(yīng)影響，DDR5及DDR4顆粒價(jià)格仍將上調(diào)。
　　終端需求復(fù)蘇速度不及廠商預(yù)期，存儲(chǔ)模組廠商庫存水位出現(xiàn)增長
　　終端市場需求仍保持溫和增長態(tài)勢，但仍不及廠商預(yù)期，集邦咨詢統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示2024年第二季度受部分品牌新機(jī)鋪后期結(jié)束，季末進(jìn)入庫存調(diào)整期影響，全球智能手機(jī)產(chǎn)量季度環(huán)比下滑3%。預(yù)計(jì)Q3全球手機(jī)產(chǎn)量季度環(huán)比微幅增長2.45%，年同比下跌5%。
　　受模組廠前期持續(xù)備貨，但終端需求熱度不及預(yù)期導(dǎo)致終端廠備貨積極性降低影響，2024年二季度存儲(chǔ)模組企業(yè)庫存水位出現(xiàn)增長，Trendforce統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場近期DDR4、DDR3、NAND產(chǎn)品現(xiàn)貨均價(jià)均呈現(xiàn)震蕩下跌的走勢。唯有DDR5產(chǎn)品受益于市場滲透率提升和服務(wù)器搭載需求量增長，現(xiàn)貨均價(jià)保持上漲。DXI指數(shù)近期呈現(xiàn)震蕩走勢，截至2024年9月5日，DXI指數(shù)收于37569.63點(diǎn)，周漲幅為1.1%，月環(huán)比跌幅為0.4%。
　　NAND現(xiàn)貨市場中，渠道現(xiàn)貨均價(jià)位于低位盤整階段。開學(xué)季并未給市場需求帶來實(shí)質(zhì)性的改善；行業(yè)市場受國內(nèi)需求不佳影響，SSD價(jià)格也進(jìn)入小幅下調(diào)階段。受下游市場需求景氣度，供給端市場競爭熱度不一影響，集邦咨詢預(yù)計(jì)2024YQ4傳統(tǒng)DRAM現(xiàn)貨合約均價(jià)上漲幅度縮窄為3%-8%，HBM產(chǎn)品現(xiàn)貨合約均價(jià)上漲幅度為10%-15%；NANDFlash現(xiàn)貨合約均價(jià)漲幅縮窄至0%-5%。存儲(chǔ)顆粒原廠漲價(jià)策略不變，存儲(chǔ)模組企業(yè)的低價(jià)庫存逐漸出清，庫存成本的變動(dòng)及下游需求的變動(dòng)將成為影響模組企業(yè)后續(xù)盈利表現(xiàn)的主要影響因素。
　　投資建議
　　AI大模型的持續(xù)優(yōu)化及多樣化AI應(yīng)用終端的入市商用將會(huì)持續(xù)提升全球算力需求，推動(dòng)新一輪AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的開啟，供給有限的先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品有望持續(xù)受益。傳統(tǒng)消費(fèi)電子領(lǐng)域需求復(fù)蘇態(tài)勢延續(xù)，存儲(chǔ)原廠的顆粒出貨價(jià)格有望保持小幅上漲，存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場受終端產(chǎn)品需求變動(dòng)影響顯著，短期進(jìn)入價(jià)格盤整階段，中長期需持續(xù)跟進(jìn)消費(fèi)電子需求復(fù)蘇進(jìn)程。建議持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)，維持行業(yè)“增持”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　下游市場需求不足；新品入市進(jìn)展不及預(yù)期；宏觀政策變化不及預(yù)期。