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事件
　　公司2025年一季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入82億元，同比增加38%，環(huán)比減少13%；歸母凈利潤16億元，同比增加39%，環(huán)比增加36%；扣非凈利16億元，同比增加46%，環(huán)比增加20%。
　　公司在2024年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入298億元，同比增加35%；歸母凈利潤56億元，同比增加44%；扣非凈利56億元，同比增加56%。
　　薄膜沉積收入高增，設(shè)備領(lǐng)域多點(diǎn)開花
　　2024年公司電子工藝裝備收入277億元，同比增長41%。其中：1）刻蝕設(shè)備收入超80億元，同比增長約33%；2）薄膜沉積設(shè)備收入超100億元，同比增長約67%；3）熱處理設(shè)備收入超20億元；4）濕法設(shè)備收入超10億元。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，公司已完成ICP、CCP、Bevel刻蝕及高選擇性刻蝕、干法去膠全系列產(chǎn)品布局；在薄膜沉積領(lǐng)域，形成了PVD、CVD、ALD、EPI和ECP全系列工藝與設(shè)備陣容；熱處理板塊覆蓋立式爐及快速熱處理（RTP）全系列產(chǎn)品；濕法領(lǐng)域則構(gòu)建了單片與槽式兩大體系的全面解決方案。
　　進(jìn)軍離子注入，多領(lǐng)域協(xié)同厚積薄發(fā)
　　2025年3月，公司正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場，并發(fā)布首款離子注入機(jī)Sirius MC？313。公司離子注入設(shè)備主要用于12寸邏輯、存儲芯片的B、P、As等元素注入，浸沒式機(jī)型主打高劑量、低能量離子注入，面向存儲和邏輯領(lǐng)域的CMOS、加氫鈍化、SOI等工藝。至此，公司形成了半導(dǎo)體制造裝備四大核心環(huán)節(jié)閉環(huán)覆蓋，將進(jìn)一步提升公司在國內(nèi)外晶圓制造市場的競爭力，為持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新與國產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
　　投資建議
　　我們預(yù)計(jì)2025-2027年公司歸母凈利潤分別為77.12、94.16、117.32億元，對應(yīng)的EPS分別為14.44、17.63、21.96元，對應(yīng)最新收盤價(jià)PE分別為30x、24x、19x。維持公司“買入”評級。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期、產(chǎn)業(yè)競爭加劇、貿(mào)易摩擦加劇