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硅光能夠解決AI/ML時(shí)代下持續(xù)提升的算力需求與摩爾定律失效的核心矛盾。光信號(hào)傳輸過(guò)程中衰減少、傳輸帶寬高，硅基光電子擁有大帶寬、高速率、低能耗、強(qiáng)干擾能力等優(yōu)勢(shì)，在摩爾定律逐漸失效、傳統(tǒng)電芯片傳輸速率提升遇到瓶頸時(shí)，能夠適應(yīng)AI/ML時(shí)代下持續(xù)演進(jìn)的更高速、更復(fù)雜的光通信系統(tǒng)。硅光技術(shù)成為后摩爾定律時(shí)代“MoreThan Moore”的重要途徑，是明確的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。
　　我們?yōu)楹闻袛喈?dāng)下正值硅光模塊需求加速滲透的時(shí)點(diǎn)？
　　（1）技術(shù)奇點(diǎn)已至。近些年以Tower、Global Foundry為主的Fab廠PDK日漸成熟，硅光芯片廠商的設(shè)計(jì)與Fab廠封裝的磨合、硅光模塊廠商與下游客戶的磨合從量變引起質(zhì)變，硅光芯片及硅光模塊的良率及性能大幅提升；（2）補(bǔ)齊EML缺口。800G光模塊需求在25及26年繼續(xù)顯著增長(zhǎng)，而上游以美、日為主的光芯片廠商擴(kuò)產(chǎn)存在一定周期，100GEML供給偏緊。硅光產(chǎn)能瓶頸小，可緩解行業(yè)EML緊缺；（3）現(xiàn)階段平衡AI/ML網(wǎng)絡(luò)多維度需求的相對(duì)優(yōu)解。硅光模塊是現(xiàn)階段AI/ML網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)過(guò)程中多維度訴求（高帶寬、低延時(shí)、低功耗、穩(wěn)定性、可維護(hù)性、可擴(kuò)展、靈活性等）Trade-off后的相對(duì)優(yōu)解。
　　更遠(yuǎn)期看，光可突破高性能計(jì)算瓶頸，由光子集成走向光電集成的星辰大海。光互聯(lián)技術(shù)將在“設(shè)備-設(shè)備”（可插拔光模塊、CPO共封裝）、“板-板（” PCIe光互連）、“芯片-芯片（” Optical I/O）等多個(gè)場(chǎng)景加速滲透。
　?。?）硅光模塊：由傳統(tǒng)分立式光模塊向可插拔硅光模塊演進(jìn)，降低成本及功耗。我們預(yù)計(jì)硅光模塊將在800G及1.6T時(shí)代加速滲透，尤其在1.6T光模塊中硅光模塊的滲透率將顯著提升；（2）CPO共封裝技術(shù)：將EIC和PIC通過(guò)共封裝形式縮短交換芯片和光引擎間的距離降低時(shí)延及功耗，是光互聯(lián)的重要趨勢(shì)。我們認(rèn)為在Scale-out場(chǎng)景（設(shè)備與設(shè)備之間）下，CPO是長(zhǎng)期趨勢(shì)，但是大規(guī)模商用尚需時(shí)日，我們預(yù)計(jì)CPO技術(shù)將在26-27年逐步滲透起量，在3.2T時(shí)代被批量應(yīng)用；（3）Optical I/O：將計(jì)算芯片和光引擎靠近，或者直接共封裝在一個(gè)封裝體內(nèi)，有效提升帶寬、降低能耗和延遲，解決“計(jì)算的最后一米”難題，未來(lái)應(yīng)用空間廣闊。
　　投資建議：建議重點(diǎn)關(guān)注具備硅光芯片設(shè)計(jì)能力、硅光模塊量產(chǎn)能力的廠商。同時(shí)，在CPO、OIO的產(chǎn)業(yè)鏈分工中，持續(xù)建議關(guān)注：（1）對(duì)光電封裝理解深刻且具有相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備的傳統(tǒng)光模塊廠商；（2）MPO/MTP/MMC、FAU等無(wú)源連接環(huán)節(jié)技術(shù)儲(chǔ)備豐富、客戶資源優(yōu)質(zhì)的公司；（3）具備CW大功率激光器芯片量產(chǎn)能力的廠商；（4）光學(xué)測(cè)試及耦合設(shè)備廠商。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：AI大模型發(fā)展進(jìn)程不及預(yù)期導(dǎo)致AI數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求降低；中美貿(mào)易摩擦加劇；硅光技術(shù)發(fā)展進(jìn)程不及預(yù)期。