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投資要點(diǎn)
　　算力需求爆發(fā)，疊加外部對(duì)HBM在帶寬等環(huán)節(jié)的管制，將刺激國(guó)產(chǎn)HBM的突破和供應(yīng)。周五受?chē)?guó)產(chǎn)存儲(chǔ)大客戶的HBM3通過(guò)驗(yàn)證的消息刺激，精智達(dá)、芯源微等核心標(biāo)的漲幅明顯。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)大客戶已經(jīng)具備DDR5顆粒的制造能力，傳輸速率等核心指標(biāo)已經(jīng)達(dá)成，只是目前在散熱和能耗等方面還有提升空間。HBM3的底層存儲(chǔ)顆粒具備量產(chǎn)條件。且已經(jīng)有部分設(shè)備公司拿到了HBM相關(guān)的TCB和CMP等訂單，國(guó)產(chǎn)HBM擴(kuò)產(chǎn)的確定性在快速加強(qiáng)。
　　測(cè)試機(jī)、鍵合解鍵合、CMP環(huán)節(jié)彈性最大。目前各個(gè)關(guān)鍵工序如TCB、CMP、鍵合解鍵合、電鍍、測(cè)試機(jī)均實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)或較容易買(mǎi)到，顆粒具備量產(chǎn)條件+各關(guān)鍵工序的設(shè)備處于ready狀態(tài)，我們認(rèn)為國(guó)產(chǎn)HBM的突破將落在今年下半年！預(yù)期今年HBM的擴(kuò)產(chǎn)量級(jí)有望實(shí)現(xiàn)5000片的8層晶圓。擴(kuò)產(chǎn)將為T(mén)CB、CMP、鍵合解鍵合、電鍍、測(cè)試機(jī)（專指HBM專用CP測(cè)試機(jī)—KGSD）環(huán)節(jié)分別帶來(lái)1.6億、10億、6億、4億、7億的訂單增量。
　　國(guó)產(chǎn)HBM擴(kuò)產(chǎn)同樣利好前道設(shè)備，對(duì)應(yīng)DRAM擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)生新增量。HBM擴(kuò)產(chǎn)需要底層的DRAM顆粒，目前市場(chǎng)預(yù)期此次HBM擴(kuò)產(chǎn)量級(jí)為5000片的8層晶圓，則對(duì)應(yīng)4萬(wàn)片的底層DDR5擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)應(yīng)約350億的設(shè)備資本開(kāi)支增量。對(duì)刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等環(huán)節(jié)分別帶來(lái)85億、70億、16億、11億的市場(chǎng)增量。其余前道設(shè)備也將受益
　　投資建議。設(shè)備環(huán)節(jié)，我們推薦受益較多的精智達(dá)，其訂單彈性最大。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：產(chǎn)業(yè)進(jìn)展不及預(yù)期/需求不及預(yù)期