>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：CFM稱大容量NAND供應(yīng)或增加，DDR4高位橫盤-250630
| 上傳日期： |
2025/6/30 |
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| 759KB |
| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲,劉奕司 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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核心觀點
NAND：CFM稱部分原廠NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)向先進制程，預(yù)計2025年下半年1Tb NAND供應(yīng)增加。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250623-0627）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為0.00%至3.82%，平均漲跌幅為1.56%。其中5個料號價格持平，17個料號價格上漲，0個料號價格下跌。根據(jù)CFM閃存市場報道，2025年下半年起，部分存儲原廠產(chǎn)能將陸續(xù)切換新制程，推動單die 1Tb NAND供應(yīng)增長，并積極在手機、PC、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域加速客戶認(rèn)證工作。未來，隨著原廠產(chǎn)能向大容量NAND逐漸傾斜，加上國內(nèi)廠商產(chǎn)能快速爬坡，市場競爭將進一步加劇。
DRAM：美光在1-gamma DRAM技術(shù)節(jié)點已取得顯著進展。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250623-0627）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為0.14%至24.70%，平均漲跌幅為9.19%。上周18個料號呈上漲趨勢，0個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，美光在1-gamma DRAM技術(shù)節(jié)點已取得顯著進展，其良率提升速度甚至超過了此前1-beta節(jié)點創(chuàng)下的紀(jì)錄。該季度美光完成了多項關(guān)鍵產(chǎn)品里程碑，包括基于1-gamma的LPDDR5DRAM首批認(rèn)證樣品的出貨。
HBM：AMD發(fā)布新AI芯片MI350系列，MI355XHBM3E內(nèi)存容量是英偉達GB200/B200的1.6倍。根據(jù)CFM閃存市場報道，AMD發(fā)布了專為AI工作負(fù)載打造的全新MI350系列GPU--MI350X和MI355X。其中，MI350X和MI355X采用相同的底層設(shè)計，配備高達288GB的HBM3E內(nèi)存、8TB/s的內(nèi)存帶寬，并新增對FP4和FP6數(shù)據(jù)類型的支持。在與NVIDIAB200和GB200的對比中，MI355X的HBM3E內(nèi)存容量是英偉達GB200/B200的1.6倍，內(nèi)存帶寬則基本持平。在峰值FP64/FP32性能上，MI355X擁有2倍優(yōu)勢。
市場端：LPDDR4X供應(yīng)趨緊再度上調(diào)現(xiàn)貨價格，渠道市場回歸理性下DDR4內(nèi)存條高位橫盤。根據(jù)CFM閃存市場報道，隨著原廠減產(chǎn)效果顯現(xiàn)，LPDDR4X供應(yīng)整體滿足率偏低，其現(xiàn)貨行情仍以資源導(dǎo)向為主，多數(shù)存儲廠商堅定漲價態(tài)度，上周LPDDR4X產(chǎn)品價格普遍小幅攀升，個別行業(yè)DDR4內(nèi)存條跟隨部分資源漲價也順勢抬高報價；而渠道端因已持續(xù)一個多月的上漲行情，近期市場有所降溫并漸趨理性，渠道DDR4價格上漲難度大而普遍高位橫盤。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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