>> 興業(yè)證券-電子行業(yè)跟蹤報告：CBA+4F2 DRAM有望打開半導(dǎo)體制造&設(shè)備成長空間-250928
| 上傳日期： |
2025/9/28 |
大小： |
1363KB |
| 格式： |
pdf 共12頁 |
來源： |
興業(yè)證券 |
| 評級： |
推薦 |
作者： |
姚康,胡園園,劉培銳 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
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投資要點：
DRAM作為現(xiàn)代計算系統(tǒng)的存儲器，其重要性不言而喻。但受限于電容物理特性，過去十年密度提升速度較慢，平面微縮難以進展。同時，AI算力爆發(fā)推動內(nèi)存需求，HBM其成本達DDR5的3倍以上，HBM在NVIDIAH100/Blackwell的成本中占比超50%/60%。為突破成本與性能瓶頸，DRAM行業(yè)內(nèi)聚焦4F2垂直晶體管架構(gòu)（提升平面微縮密度）與CMOSBonding技術(shù)（優(yōu)化存儲陣列面積）等新技術(shù)。
4F2 DRAM: 4F2架構(gòu)通過垂直溝道晶體管實現(xiàn)單元面積的進一步縮減，其核心創(chuàng)新在于將源極、柵極及漏極結(jié)構(gòu)由平面布局轉(zhuǎn)為垂直堆疊。具體而言，下層源極直接連接位線，中間柵極與字線相連，上層漏極則與電容器集成，該設(shè)計有效降低了電氣干擾。4F2技術(shù)可使單元面積縮小，同時兼具高速與低功耗特性。東京電子預(yù)測，基于垂直溝道晶體管（VCT）與4F2架構(gòu)的DRAM產(chǎn)品將于2027至2028年間實現(xiàn)商業(yè)化落地。國內(nèi)廠商長鑫存儲2023年也發(fā)表了相關(guān)4F2 DRAM的專利。
CBA技術(shù)：據(jù)YOLE數(shù)據(jù)，DRAM未來有望采用4F2+CBA技術(shù)混合方案。行業(yè)在4F2單元架構(gòu)實現(xiàn)平面結(jié)構(gòu)微縮的基礎(chǔ)上，目前同步發(fā)展出CMOS鍵合陣列（CBA）技術(shù)方案。該技術(shù)通過分離式制造工藝，將外圍電路與存儲陣列分別置于獨立晶圓完成加工，隨后通過混合鍵合工藝實現(xiàn)集成。通過將CMOS電路轉(zhuǎn)移至專用Logic晶圓，CBA架構(gòu)有效釋放了存儲陣列的平面空間資源，為存儲密度的持續(xù)提升提供了新的技術(shù)路徑。YOLE預(yù)計4F2+CBA技術(shù)相結(jié)合的方案將于2028年實現(xiàn)應(yīng)用，屆時頭部DRAM制造商將通過4F2+CBA技術(shù)組合，在存儲密度與性能指標上實現(xiàn)突破性提升。
之前國際市場上主流的3DNAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA（CMOS under Array）架構(gòu)，國內(nèi)長江存儲通過Xtacking架構(gòu)，在3DNAND上走出獨特的技術(shù)特點。依靠Xtacking技術(shù)在3DNAND上優(yōu)勢，長江存儲在全球NAND的份額正在逐步提高，據(jù)銳芯聞援引的Techinsights數(shù)據(jù)，其份額在2025Q1達到了6%，其NAND層數(shù)也達到國際領(lǐng)先水平。未來DRAM技術(shù)發(fā)展路徑或?qū)⒔梃bNAND閃存的3D技術(shù)演進模，國內(nèi)廠商有望通過類似長存Xtacking的創(chuàng)新技術(shù)方案，在DRAM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。
投資建議：隨著CBA架構(gòu)的興起，需要在CMOS晶圓上集成HKMG和FinFET等先進邏輯電路，所以對于Logic芯片的代工需求也隨之提升。隨著存儲廠商技術(shù)的不斷發(fā)展，其有望采用的CBA架構(gòu)的需求將會給國內(nèi)代工廠帶來新的機遇和發(fā)展。建議關(guān)注：晶合集成、中芯國際、華虹公司；CBA架構(gòu)需要混合鍵合。在DRAM領(lǐng)域，相較于融合鍵合，混合鍵合在W2W領(lǐng)域具備工藝復(fù)雜度低，成本更低的優(yōu)勢，故對于眾多DRAM制造商來說，混合鍵合是4F2 DRAM+CBA方案的首選，適合高密度制造需求。隨著國內(nèi)DRAM廠商的不斷發(fā)展，將會給國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商帶來新的需求。建議關(guān)注：拓荊科技。
風(fēng)險提示：技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期，資本開支不及預(yù)期，終端需求不及預(yù)期。
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