>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：LPDDR4X成品普漲，Q4NAND或漲5-10%-250930
| 上傳日期： |
2025/9/30 |
大?。?/td>
| 685KB |
| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲,劉奕司 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
|
|
核心觀點
NAND：TrendForce稱受QLC產(chǎn)品熱度的外溢效應(yīng)驅(qū)動，預(yù)計NANDFlash Q4價格將上漲5-10%。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250922-0926）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.64%至2.74%，平均漲跌幅為1.12%。其中1個料號價格持平，19個料號價格上漲，2個料號價格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，據(jù)TrendForce集邦咨詢觀察，預(yù)估NANDFlash在2025年第四季各類產(chǎn)品合約價將全面上漲，平均漲幅達(dá)5-10%。
DRAM：美光上調(diào)2025年服務(wù)器總出貨量增長預(yù)期，預(yù)計2026年行業(yè)DRAM供應(yīng)將趨于緊張。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250922-0926）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為3.22%至11.07%，平均漲跌幅為7.83%。上周18個料號呈上漲趨勢，0個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，美光預(yù)計2025日歷年服務(wù)器總出貨量將增長約10%，高于之前預(yù)期的中等個位數(shù)增長。傳統(tǒng)服務(wù)器和AI服務(wù)器的增長正在推動美光DRAM產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求增長。
HBM：美光科技CEO稱HBM芯片供不應(yīng)求，將成2026年存儲板塊核心增長動力。根據(jù)財聯(lián)社報道，美光科技CEOSanjay Mehrotra在財報電話會上指出，預(yù)計全球存儲芯片（尤其HBM）供需不平衡將加劇，因DRAM庫存低于目標(biāo)，而NAND庫存持續(xù)下降；同時，2026年HBM產(chǎn)能已基本鎖定，需求增長顯著，2026年HBM出貨量增速預(yù)計超整體DRAM，成存儲板塊核心增長動力。
市場端：資源漲價疊加需求端詢單動作頻頻，上周嵌入式NAND和LPDDR4X成品迎來普漲行情。根據(jù)CFM閃存市場報道，上游供應(yīng)端漲價的影響下，近期存儲現(xiàn)貨市場詢單動作頻頻，資源漲價也已逐漸傳導(dǎo)至嵌入式成品端，上周eMMC和UFS普遍較大幅度調(diào)漲價格。而LPDDR4X也因部分原廠暫停報價，并傳出計劃將大幅上調(diào)LPDDR4X資源價格，市場看漲情緒快速升溫，基于一定的漲價預(yù)期，高位橫盤一月有余的LPDDR4X再次迎來上漲行情。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
|
|
