>> 華創(chuàng)證券-半導體存儲行業(yè)深度研究報告：企業(yè)級需求高增，驅(qū)動新一輪存儲超級周期-251105
| 上傳日期： |
2025/11/5 |
大小： |
1731KB |
| 格式： |
pdf 共24頁 |
來源： |
華創(chuàng)證券 |
| 評級： |
強于大市 |
作者： |
岳陽,吳鑫 |
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企業(yè)級需求高增，存儲價格全面上漲。（1）DRAM：服務器建置動能回暖，25Q4 DRAM價格漲幅預期上修。海外原廠退產(chǎn)DDR4導致PC領域DDR5滲透率提高，服務器領域受到CSP建置動能回溫，DDR5產(chǎn)品需求持續(xù)增強，近期DDR5價格穩(wěn)健上揚。DDR4主要受到原廠產(chǎn)能縮減影響，自24Q4主流存儲原廠宣布減產(chǎn)/轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR4至今已逾半年，隨著產(chǎn)能調(diào)整深入演進，DDR4顆粒供不應求價格持續(xù)攀升。展望25Q4，Trendforce預計DRAM漲幅預期可觀，且25年10月由于供應商收到CSP廠商加單后明顯提高調(diào)升報價的意愿，Trendforce上調(diào)25Q4 DRAM價格預測，一般型DRAM價格預估漲幅從8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望26年，由于Server需求維持強勁，預期DDR5合約價于2026全年都將呈上漲態(tài)勢，尤其以上半年較為顯著。（2）NANDFlash：供給優(yōu)化&企業(yè)級需求攀升，價格強勢上漲。受人工智能應用以及數(shù)據(jù)中心、客戶端和移動領域日益增長的存儲需求的推動，閃迪于25年9月宣布對所有渠道和消費者客戶的產(chǎn)品價格調(diào)漲10%以上。25年9月以來，在原廠控貨+漲價雙重驅(qū)動下，現(xiàn)貨Flash Wafer價格強勢上漲，截至2025年10月29日，TLC閃存256Gb/512Gb/1Tb價格相比25年9月2日價格漲幅16.7%/61.3%/27.0%。由于顆粒端價格持續(xù)拉升，SSD成品9月起同步跟漲。據(jù)Trendforce預測，由于供給優(yōu)化&企業(yè)級SSD需求攀升，預計25Q4 NAND合約價有望全面上漲，平均漲幅達5-10%。
AI服務器大幅提升存儲要求，驅(qū)動新一輪創(chuàng)新大周期。全球數(shù)據(jù)中心基礎設施擴建浪潮升溫，其中存儲器為數(shù)據(jù)存儲直接載體，大模型迭代下容量&性能同步進階，近年服務器NAND和DRAM應用占比持續(xù)增長，已成全球存儲市場增長核心引擎。（1）DRAM：低功耗內(nèi)存需求日益旺盛，26年傳統(tǒng)DRAM新增產(chǎn)能有限。數(shù)據(jù)中心面臨如何在提供海量算力的同時降低能耗的問題，因此低功耗內(nèi)存架構(gòu)是數(shù)據(jù)中心必備戰(zhàn)略要務，英偉達新一代Grace CPU已使用帶有糾錯碼的LPDDR5X顯存來實現(xiàn)服務器級可靠性，同時將能效提高5倍。針對AI數(shù)據(jù)中心對低功耗DRAM的需求，存儲廠商亦積極拓展低功耗內(nèi)存在數(shù)據(jù)中心的應用。供給方面，HBM是DRAM行業(yè)最核心的價值增長引擎，單位元收入貢獻遠超傳統(tǒng)DRAM，且差距仍在不斷擴大。因此主要原廠26年均聚焦HBM產(chǎn)能擴張，傳統(tǒng)DRAM新增產(chǎn)能有限。（2）NAND:受KVCache卸載&HDD擠占影響，NAND出貨或?qū)⒊霈F(xiàn)爆發(fā)式增長。為確保模型訓練的準確度，所需的數(shù)據(jù)量不斷增長，且已拓展至多模態(tài)數(shù)據(jù)來源。近年8TB/16TB及以上中高容量eSSD應用占比大幅提升。且PCIe5.0 SSD可加速模型部署，滲透率逐步提高。除容量和配置的升級以外，KVCache用于緩存歷史token計算結(jié)果，通過實現(xiàn)對重復計算過程的智能規(guī)避來提高計算效率，一般存儲于GPU內(nèi)存中。KVCache容量的增長已超過HBM承載上限，頻繁的內(nèi)存溢出可能導致推理過程出現(xiàn)“記憶斷片”，迫使GPU執(zhí)行重復計算，從而引發(fā)延遲和卡頓。將KVCache卸載到DRAM、SSD等成本更低、容量更充裕的內(nèi)存層級成為業(yè)界核心策略。此外，HDD是數(shù)據(jù)中心冷數(shù)據(jù)的首選，承載近80%存儲容量。由于全球主要HDD制造商近年未規(guī)劃擴大產(chǎn)線，推理需求導致Nearline HDD嚴重缺貨，云廠商開始考慮使用SSD去補齊HDD缺口，促使高效能、高成本的SSD逐漸成為市場焦點，特別是大容量的QLCSSD出貨可能于2026年出現(xiàn)爆發(fā)性增長。
投資建議：近期存儲價格全面上漲，除DDR4供給收縮邏輯以外，主要系數(shù)據(jù)中心建置動能回暖，且AI服務器大幅提升存儲要求，驅(qū)動新一輪創(chuàng)新大周期，從而大幅提高存儲需求。隨著數(shù)據(jù)中心建設以及服務器單柜存儲配置提升，我們對25Q4及26年存儲價格預期樂觀。建議關(guān)注：江波龍、德明利、香農(nóng)芯創(chuàng)、兆易創(chuàng)新、佰維存儲、聚辰股份、聯(lián)蕓科技、北京君正、普冉股份、東芯股份。
風險提示：存儲產(chǎn)品價格波動影響、下游需求不及預期
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