>> 金元證券-電子行業(yè)周度點評報告:3D NAND或成為存儲新增長曲線-251214
| 上傳日期: |
2025/12/14 |
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| 1621KB |
| 格式: |
pdf 共27頁 |
來源: |
金元證券 |
| 評級: |
增持 |
作者: |
唐仁杰 |
| 行業(yè)名稱: |
電子 |
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無限制-登錄即可下載 |
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全行業(yè):本周上證指數(shù)下跌0.34%,深證成指上漲0.84%,滬深300指數(shù)下跌0.08%,申萬電子版塊上漲2.63%,電子行業(yè)在全行業(yè)中的漲跌幅排名為3/31。板塊個股漲幅前五名分別為:富信科技、東田微、賽微電子、鴻日達、立昂微;跌幅前五名分別為:惠倫晶體、華映科技、ST宇順、睿能科技、泓禧科技。 電子行業(yè):電子行業(yè)呈現(xiàn)漲跌分化格局,從申萬二級行業(yè)數(shù)據看,子板塊漲跌互現(xiàn),部分板塊內部結構差異顯著。電子化學品板塊本周上漲6.99%,為本周表現(xiàn)最強的方向;其下申萬三級行業(yè)電子化學品Ⅲ同幅上漲6.99%,走勢完全一致。元件板塊上漲6.08%,表現(xiàn)同樣亮眼;其下申萬三級行業(yè)印制電路板上漲7.03%、被動元件上漲1.52%,細分領域漲幅分化。其他電子板塊上漲5.60%;其下申萬三級行業(yè)其他電子Ⅲ同幅上漲5.60%,走勢同步。半導體板塊本周上漲2.68%,內部結構差異較大;其下申萬三級行業(yè)半導體材料上漲6.48%、半導體設備上漲4.60%、分立器件上漲4.17%,是板塊核心拉動力量;數(shù)字芯片設計上漲1.42%、模擬芯片設計上漲1.28%、集成電路封測上漲0.96%,內部漲幅分化突出。消費電子板塊整體上漲0.37%,延續(xù)溫和態(tài)勢;其下申萬三級行業(yè)消費電子零部件及組裝上漲0.44%,對板塊形成支撐,品牌消費電子下跌0.41%。光學光電子板塊本周下跌0.22%,表現(xiàn)相對弱勢;其下申萬三級行業(yè)光學元件上漲5.60%,而面板下跌3.02%、LED下跌0.48%,細分領域漲跌分化明顯??傮w來看,本周電子行業(yè)子板塊漲跌分化顯著,電子化學品、元件等領漲,半導體板塊內部分化突出,光學光電子表現(xiàn)偏弱,行業(yè)呈現(xiàn)局部活躍但整體漲跌不一的態(tài)勢。 行業(yè)要聞 ◆ SK海力士正與英偉達合作加快下一代Nand開發(fā),目標到2027年實現(xiàn)存儲性能的大幅提升。 ◆記憶體超級周期擋不住,華邦電11月營收創(chuàng)41個月最佳表現(xiàn)線 ◆臺積電CoWoS先進封裝全線滿載,外包訂單加速英偉達、蘋果芯片交付 ◆高通宣布收購Ventana Micro Systems ◆英偉達被曝開發(fā)“芯片定位”技術,H200芯片裝上“安全枷鎖” 公司動態(tài): ◆經緯輝開:關于部分董事、高級管理人員股份減持計劃的預披露公告 ◆科森科技:關于出售全資子公司股權的公告 ◆興福電子:關于購買資產暨關聯(lián)交易的公告 ◆冠捷科技:關于使用公積金彌補虧損通知債權人的公告 ◆新相微:關于向2025年限制性股票激勵計劃激勵對象授予限制性股票的公告 投資建議:我們認為,在易失性存儲(如DRAM)在HBM、HMC等領域突破后,隨著AI推理及應用市場的持續(xù)擴張,盡管高帶寬內存(HBM)解決了核心計算單元的數(shù)據吞吐問題,但在海量數(shù)據集的檢索、向量數(shù)據庫的索引遍歷以及大模型的檢查點恢復過程中,底層非易失性存儲(NANDFlash)的讀寫性能,尤其是隨機讀?。↖OPS)和能效比已成為制約系統(tǒng)整體效率的關鍵短板。下一步在非易失性存儲(NAND、HDD)領域或將引起行業(yè)重視。從制造工藝上而言,3D結構的NAND存儲工藝難點在于高深寬比的刻蝕工藝、薄膜沉積及未來可能成為主流的混合鍵合工藝,如長江存儲在Xtacking 2.0階段采用鍵合工藝將層數(shù)由64層擴展至128層,也驗證了鍵合工藝的重要性。對于半導體產業(yè)鏈而言,AI-NAND的發(fā)展意味著低溫刻蝕、混合鍵合、薄膜沉積、CMP技術的設備商或將迎來NAND推動下的景氣周期。由于工藝復雜度提升,設備在晶圓成本中的占比將持續(xù)上升。 相關公司:1、設備商:中微公司(刻蝕)、拓荊科技(薄膜沉積+混合鍵合)、盛美上海(濕法刻蝕+清洗+電鍍)、精智達(測試)等;2、材料:鼎龍股份、安集科技、華特氣體、南大光電等 風險提示:1、AI推理不及預期:推理側是AI應用及AI商業(yè)化的核心要素,也是存儲周期的核心需求因素,若AI推理市場不及預期,或導致周期下行;2、生產端不及預期:國內設備及材料廠商仍處于追趕階段,滲透率仍有待提升;3、工藝良率不及預期:3DNAND及HBM封裝技術仍不成熟,量產良率仍有待印證。
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