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國(guó)盛證券-基礎(chǔ)化工行業(yè)周報(bào):SST電源升級(jí)拉動(dòng)SiC需求,先進(jìn)封裝&AR眼鏡為潛在增量市場(chǎng)-260106
上傳日期:
2026/1/6
大小:
415KB
格式:
pdf 共2頁(yè)
來(lái)源:
國(guó)盛證券
評(píng)級(jí):
增持
作者:
楊義韜
行業(yè)名稱:
化工
下載權(quán)限:
無(wú)限制-登錄即可下載
AI數(shù)據(jù)中心電源功率密度提升拉動(dòng)SiC功率器件需求,主要催化來(lái)自傳統(tǒng)供電架構(gòu)下PSU功率密度升級(jí)&SST終極電源管理方案滲透。AI數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)升級(jí)分為四個(gè)階段:UPS-HVDC-巴拿馬電源-SST,服務(wù)器電源電壓也經(jīng)歷從12V到48V再至800V演變歷程,增強(qiáng)對(duì)SiC功率器件需求,SIC主要應(yīng)用在電力轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié):
UPS:“低壓配電-UPS“ A2D-D2A)-PDU-PSU”,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要由工頻變壓器、整流器、逆變器、橋式整流、功率因數(shù)校正PFC)、諧振變換器LLC)等組成;隨著機(jī)架功率密度接近1MW,PSU功率可能提升至12KW,PSU的輸入電壓也從230/277 Vac提高到347 Vac單相),甚至480-600 Vac三相),增加SiC器件需求;
HVDC:取消逆變環(huán)節(jié),經(jīng)過(guò)隔離降壓直接向IT負(fù)載輸入直流;
巴拿馬電源:進(jìn)一步將HVDC前端工頻變壓器改為移相變壓器;
SST:重塑供電架構(gòu),集成整流、隔離、逆變功能,采用高頻變壓器,直接將800V直流分發(fā)到各個(gè)計(jì)算節(jié)點(diǎn),同時(shí)省去PDU、PSU,SiC的特性天然適配SST對(duì)高頻、高壓需求,防止過(guò)壓擊穿,提高系統(tǒng)安全性。
SST架構(gòu)下SiC器件價(jià)值量有望提升,到2030年在全球800V數(shù)據(jù)中心的潛在市場(chǎng)規(guī)模約11.5億美元。SST核心優(yōu)勢(shì)在于高頻化和集成化,將原本分散在每個(gè)PSU中的AC-DC轉(zhuǎn)換任務(wù)集中到前端SST完成,使得SiC的價(jià)值密度從分散的低價(jià)值PSU轉(zhuǎn)移集中到高價(jià)值SST模塊,價(jià)值量有望提升。根據(jù)Navitas,預(yù)計(jì)2030年全球SiC+GaN”功率器件在800VAI數(shù)據(jù)中心的SST、800VDC-DC、48VDC-DC的潛在市場(chǎng)規(guī)模約為25.6億美元,其中SiC器件占比約45%,即11.5億美元。
先進(jìn)封裝散熱材料&AR眼鏡有望成為SiC增長(zhǎng)的新晉動(dòng)力。1)先進(jìn)封裝散熱:隨著AI芯片功率密度持續(xù)提升,散熱問(wèn)題成為難點(diǎn),SiC具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,可以應(yīng)用在中介層和載板,根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào),英偉達(dá)在其新一代Rubin中,CoWoS先進(jìn)封裝的中介層將采用SiC材料,以提升散熱性能,并預(yù)計(jì)2027年開始大規(guī)模采用;華為也發(fā)布SiC作為導(dǎo)熱填料的相關(guān)專利。2)AR眼鏡:AI+AR眼鏡是由大模型技術(shù)驅(qū)動(dòng)的新硬件浪潮,AR的硬件核心是光學(xué)顯示,AR鏡片的光學(xué)性能會(huì)直接影響用戶體驗(yàn)和沉浸感。
SiC具有高折射率特性,只需要單層波導(dǎo)就可以完成全彩顯示任務(wù),更輕薄且視野更廣闊,實(shí)現(xiàn)更高的成像質(zhì)量和更清晰的圖像。
風(fēng)險(xiǎn)提示:技術(shù)路線迭代、商業(yè)化進(jìn)展不及預(yù)期、競(jìng)爭(zhēng)格局惡化。
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