>> 浙商證券-AI上游材料四層級全景拆解:算力基建浪潮下的材料革命,溯源AI產(chǎn)業(yè)上游資源品-260625
| 上傳日期: |
2026/6/25 |
大小: |
1617KB |
| 格式: |
pdf 共23頁 |
來源: |
浙商證券 |
| 評級: |
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作者: |
何佳燁,畢春暉,楊占魁 |
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此報告為加密報告 |
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在我們的資產(chǎn)配置中期策略展望《China-Commodity-Chip》中,我們指出,今年下半年大類資產(chǎn)配置的核心策略可概括為“CCC策略(China-Commodity-Chip)”,即同時布局中國資產(chǎn)、大宗商品與國產(chǎn)替代半導(dǎo)體。中國資產(chǎn)受益于內(nèi)需企穩(wěn)與政策邊際改善,具備估值修復(fù)空間;大宗商品在全球供應(yīng)鏈重構(gòu)與地緣風(fēng)險溢價抬升的背景下,價格中樞系統(tǒng)性上移;國產(chǎn)替代半導(dǎo)體則處于產(chǎn)業(yè)政策與資本開支雙輪驅(qū)動的景氣周期。在Commodity里,我們重點推薦上游資源品,包括AI上游材料、戰(zhàn)略礦產(chǎn)、能源、種植品等。當前時間點來看,國內(nèi)普林格正從第二階段切到三階段,又正逢美伊協(xié)議落地原油走弱,對于中游制造業(yè)比如化工、建材、機械、有色等行業(yè)無疑是非常利好的,國內(nèi)三階段本身中游制造就強,目前或是布局中游較好的時間窗口。 當前AI產(chǎn)業(yè)鏈上游材料板塊正處于普林格周期切換、地緣成本緩和與產(chǎn)業(yè)投資擴散三重邏輯的交匯點,迎來一輪具備產(chǎn)業(yè)獨立成長支撐的戰(zhàn)略性配置窗口。普林格周期切換至第三階段,資金從債券向股票、再向商品輪動,本輪AI材料需求源自產(chǎn)業(yè)邏輯的層層擴散,而非房地產(chǎn)/基建驅(qū)動的宏觀總需求強復(fù)蘇,周期屬性中嵌入了成長的內(nèi)核。2026年6月美伊?;鹜苿硬紓愄卦蛷膽?zhàn)時近120美元回落至不到80美元,上游材料成本壓力邊際緩解。 從產(chǎn)業(yè)擴散看,AI投資正沿“下游應(yīng)用→中游算力→上游材料”路徑持續(xù)向上游延伸,2025年全球半導(dǎo)體材料市場營收同比增長6.8%至732億美元創(chuàng)歷史新高,中國大陸以156億美元、同比增長12.5%位列主要地區(qū)增速第一;2026年4月以來A股PCB板塊多次出現(xiàn)漲停潮,電子布、覆銅板等核心基材接連提價,AI產(chǎn)業(yè)邏輯擴散到上游材料的投資主線正在形成。本報告以中游算力為錨點向上游逐層拆解,系統(tǒng)梳理芯片級、封裝級、互連級和系統(tǒng)級四大層級材料體系,覆蓋建筑、建材、有色、化工四大板塊核心標的,國產(chǎn)替代與需求放量雙輪驅(qū)動,各層級均呈現(xiàn)明確的產(chǎn)業(yè)邏輯與配置價值。 三重共振:普林格周期切換、地緣緩和與AI產(chǎn)業(yè)擴散形成戰(zhàn)略配置窗口 普林格周期切換至第三階段(全面復(fù)蘇期),資金從債券向股票、再向商品輪動,商品價格開始有所表現(xiàn);本輪與傳統(tǒng)周期股的核心差異在于,AI材料需求源自產(chǎn)業(yè)邏輯的層層擴散,而非房地產(chǎn)/基建驅(qū)動的宏觀總需求強復(fù)蘇,即便宏觀經(jīng)濟修復(fù)偏弱,AI算力建設(shè)派生的材料需求仍具備相對獨立的成長性。地緣層面,2026年6月美伊達成60天臨時停火協(xié)議,布倫特原油從4月戰(zhàn)時高點118-120美元回落至約77美元,高盛將2026年四季度油價預(yù)測由90美元下調(diào)至80美元,上游材料成本壓力顯著緩解。從產(chǎn)業(yè)擴散看,SEMI數(shù)據(jù)顯示2025年全球半導(dǎo)體材料市場營收達732億美元,中國大陸以156億美元、同比增長12.5%位列主要地區(qū)增速第一;2026年4月以來A股PCB板塊多次出現(xiàn)漲停潮,電子布、覆銅板等核心基材接連提價,AI投資由下游應(yīng)用和機器人,到中游GPU、服務(wù)器、光模塊、PCB和HBM,再進一步延伸至芯片級、封裝級、互連級與系統(tǒng)級材料,產(chǎn)業(yè)邏輯擴散的投資主線正在形成。 全景拆解:芯片級、封裝級、互連級、系統(tǒng)級材料全面梳理 芯片級材料全球約458億美元,涵蓋硅基晶圓(硅片、SOI、石英制品、高純石英砂)、光刻與圖形化(光刻膠、掩模版)、工藝化學(xué)品(電子特氣、濕電子化學(xué)品)、薄膜沉積(濺射靶材、前驅(qū)體、CMP材料)及化合物襯底(InP、SiC/GaN、薄膜鈮酸鋰)五大模塊,硅片約占三分之一,高端硅片、EUV光刻膠、高純石英砂等供需長期偏緊。封裝級材料全球約274億美元,ABF載板由日本味之素絕對壟斷,是半導(dǎo)體材料的卡脖子節(jié)點之一,HBM用高端EMC、Low-α球硅、燒結(jié)銀等隨先進封裝向2.5D/3D演進需求爆發(fā)?;ミB級材料中,AI服務(wù)器PCB從普通FR4向M8/M9級高頻高速材料升級,高端低介電、低損耗及石英布供需缺口達25%-30%,CPO光互連材料中InP襯底和薄膜鈮酸鋰調(diào)制器產(chǎn)能與良率雙重受限,224G高速銅纜隨英偉達GB200/GB300機架放量供需嚴重失衡。系統(tǒng)級材料中,液冷材料隨AI芯片功耗突破千瓦而快速滲透,3M宣布逐步退出氟化液市場后國產(chǎn)替代窗口打開,散熱結(jié)構(gòu)材料(均熱板、冷板)隨液冷技術(shù)普及需求快速增長。 板塊配置:建筑、建材、有色、化工四大方向各具配置價值,國產(chǎn)替代加速 建筑板塊方面,潔凈室是芯片制造的必要基礎(chǔ)設(shè)施,國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)與海外先進制程回流共同拉動需求,潔凈標準隨制程升級從顆粒物控制擴展至氣態(tài)分子污染物控制,工程附加值持續(xù)提升。建材板塊方面,AI服務(wù)器推動覆銅板從FR4向M8/M9級高頻高速材料升級,高端電子布滲透率持續(xù)提升,玻璃基板為中長期替代方向,行業(yè)正經(jīng)歷AI驅(qū)動的結(jié)構(gòu)性價值擴容。有色板塊方面,高端HVLP銅箔受AI服務(wù)器出貨高增長帶動供需趨緊,高純?yōu)R射靶材在先進制程驗證取得進展,磷化銦襯底和薄膜鈮酸鋰晶體受益于CPO光互連需求,SiC襯底在服務(wù)器電源模塊中加速滲透,多個細分方向國產(chǎn)替代持續(xù)推進?;ぐ鍓K方面,半導(dǎo)體材料、電子化學(xué)品與液冷材料覆蓋品類廣,下游晶
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