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浙商證券-新材料行業(yè)周報(bào):AI時(shí)代下,哪些新材料值得重點(diǎn)關(guān)注②-260705
上傳日期:
2026/7/5
大?。?/td>
333KB
格式:
pdf 共2頁
來源:
浙商證券
評(píng)級(jí):
看好
作者:
畢春暉
,
王龍
下載權(quán)限:
此報(bào)告為加密報(bào)告
投資要點(diǎn)
AI算力芯片拉動(dòng)高規(guī)格MLCC用量。需求端:CSP自研ASIC加速器平臺(tái)大量采用小尺寸、高容值、耐高溫的高端特規(guī)MLCC,如AMD于MI450驗(yàn)證期間以MLCC取代BOM中所有鋁電解電容與鉭電容,47μF 2.5VX6S 0402用量因此從每板1440顆暴增至10544顆,增幅高達(dá)632%;NVIDIAVera Rubin平臺(tái)對(duì)100μF 4VX6S 0805需求亦提高,從每板320顆上調(diào)至500顆。供給端:當(dāng)前供需緊繃的信號(hào)已較為顯著,日韓指標(biāo)廠BBRatio比自2026年4月起逐月遞增,部分高容值X6S品項(xiàng)交期從八周拉長至二十周,在此背景下,部分大廠已相繼調(diào)漲MLCC價(jià)格。展望未來,高端電容主要供應(yīng)商均已披露擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃,但考慮技術(shù)門檻和良率提升周期,有效產(chǎn)能擴(kuò)張節(jié)奏偏緩,比如村田出云新廠全速放量預(yù)計(jì)要到2027年;三星電機(jī)計(jì)劃至2040年在釜山投資15萬億韓元用于建設(shè)人工智能數(shù)據(jù)中心封裝基板與MLCC母生產(chǎn)線;京瓷宣布在截至2031年3月的7個(gè)財(cái)年內(nèi)投資1000億日元重點(diǎn)提升AI服務(wù)器用高規(guī)格MLCC產(chǎn)能;太陽誘電計(jì)劃將MLCC年產(chǎn)能增速從原定的10%提升至15%。
電感在AI服務(wù)器的拉動(dòng)下高端產(chǎn)品需求也迎來大幅擴(kuò)容。伴隨新一代高算力GPU/ASIC單顆峰值電流突破千安級(jí)別,傳統(tǒng)分立電感很難同時(shí)滿足超高瞬時(shí)電流、極低核心電壓、極致空間約束三大要求。VPD垂直供電架構(gòu)逐步成為新一代AI服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)方案,而TLVR電感依托多相繞組電磁耦合機(jī)制能夠解決瞬態(tài)響應(yīng)、損耗、體積等痛點(diǎn),成為VPD系統(tǒng)的重要部件??紤]到芯片功率越大,所需要的芯片電感數(shù)量越多,同時(shí)TLVR電感單顆價(jià)值量和毛利率遠(yuǎn)超傳統(tǒng)產(chǎn)品,未來TLVR電感市場(chǎng)成長潛力同樣不可小覷。
高速率光模塊拉升高端錫膏用量。光模塊生產(chǎn)過程中,錫膏主要用在四個(gè)環(huán)節(jié):PCB主板SMT、TOSA/ROSA光器件與COB光引擎焊接、高速FPC軟板熱壓焊接、結(jié)構(gòu)件/殼體接地焊接。高速率光模塊為保障高頻信號(hào)傳輸性能,同時(shí)適配器件極小焊點(diǎn)間距的封裝要求,受底層工藝條件限制,必須采用T5-T7超細(xì)粉錫膏進(jìn)行焊接。且光模塊速率越高,對(duì)錫膏的用量和等級(jí)也隨之提升,比如400G光模塊焊點(diǎn)數(shù)量約為1000-1300個(gè),錫膏用量為0.5-0.6g,錫膏價(jià)格為2.5-10元/g,錫膏牌號(hào)為T5-T6;而1.6T光模塊焊點(diǎn)數(shù)量約為4000-5000個(gè),錫膏用量為2.0-2.4g,錫膏價(jià)格為2.5-30元/g,錫膏牌號(hào)為T5-T7。
高端電感與電容需求的持續(xù)快速增加,不僅重塑被動(dòng)元器件原有的供需格局,還使得能適配AI硬件所需的超高純度、超細(xì)粒徑、耐高溫等上游新材料開始出現(xiàn)緊缺,建議關(guān)注:1)能同時(shí)提供金屬軟磁粉末和高端電感的鉑科新材、龍磁科技,以及擴(kuò)產(chǎn)超細(xì)高純羰基鐵粉的悅安新材;2)為MLCC提供核心金屬粉體的博遷新材(納米鎳粉)、國瓷材料(納米介質(zhì)粉體);3)可提供光模塊專用錫膏或錫粉產(chǎn)品的唯特偶、有研粉材。
風(fēng)險(xiǎn)提示:海外大廠資本開支不及預(yù)期,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展不及預(yù)期等。
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