>> 銀河證券-第三代半導體行業(yè)深度報告：電力電子器件領域，碳化硅大有可為-221031
| 上傳日期： |
2022/11/1 |
大?。?/td>
| 6582KB |
| 格式： |
pdf 共81頁 |
來源： |
銀河證券 |
| 評級： |
-- |
作者： |
高峰,王子路 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
無限制-登錄即可下載 |
|
|
第三代半導體：更先進的材料，更優(yōu)異的產(chǎn)品特性。第三代半導體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導體材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導率、開關頻率、電子遷移率和擊穿場強均具備優(yōu)勢，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產(chǎn)業(yè)鏈來看，襯底是價值鏈核心，在成本SICSBD器件中，襯底價值量占比達到47%。我們認為，襯底價格下降是推動碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的核心環(huán)節(jié)，襯底行業(yè)的發(fā)展也是未來SiC產(chǎn)業(yè)降本增效和商業(yè)化落地的核心驅(qū)動因素。
市場空間仍待開發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈成熟度逐步提升。從市場空間上來看，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預計2027年市場空間將超過60億美元，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，GAGR達到34%，從細分行業(yè)需求來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。從供給端來看，目前整體產(chǎn)業(yè)鏈受限于SiC襯底產(chǎn)能、對襯底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸襯底轉(zhuǎn)移等因素，同時在外延膜生產(chǎn)設備基本依靠海外、厚度與摻雜濃度均勻性等因素，外延生產(chǎn)同樣存在壁壘。多因素導致國內(nèi)SiC市場短期仍表現(xiàn)為供不應求局面。
海外廠商為主導，國內(nèi)企業(yè)正加速追趕。從行業(yè)競爭角度來看，美歐日為主導，海外廠商例如Wolfspeed已突破8英寸節(jié)點，國內(nèi)企業(yè)還處于4、6英寸襯底導入階段。但是國內(nèi)企業(yè)目前正在加速追趕，在專利和市占率持續(xù)提升，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)化帶有“學研”基因極為突出，包括天岳、天科合達均為始于院校研究所。
滲透率提升市場空間打開，短期分歧不改長期趨勢。市場對SiC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)眾多分歧，包括長期系統(tǒng)成本與單一成本成本分歧、技術(shù)進步對產(chǎn)業(yè)鏈沖擊以及多制造環(huán)節(jié)的自主可控等，但我們認為針對新興產(chǎn)業(yè)來說，隨著未來長期襯底價格下降，SiC器件接受度和滲透率迎提升，短期分歧不改行業(yè)長期成長。
投資建議
SiC行業(yè)近期飛速發(fā)展，海外多家廠商具備先發(fā)優(yōu)勢，短期內(nèi)在產(chǎn)品、產(chǎn)能和良率等方面均領先國內(nèi)企業(yè)，但隨著國內(nèi)市場對SiC行業(yè)重視程度提高，技術(shù)不斷進步，未來有望實現(xiàn)對海外廠商的彎道超車。建議關注國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈處于領先地位的優(yōu)質(zhì)廠商，IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局：三安光電，國內(nèi)優(yōu)秀襯底廠商：天岳先進、天科合達；在設計環(huán)節(jié)具備優(yōu)秀壁壘的：斯達半導、時代電氣、新潔能、士蘭微、東微半導等，以及布局封裝材料廠商：博敏電子
風險提示
地緣政治風險及宏觀經(jīng)濟發(fā)展不及預期，產(chǎn)能擴張周期不及預期，材料端產(chǎn)能及良率提升不及預期，下游行業(yè)推廣滲透率不及預期，碳化硅器件成本下降程度不及預期
|
|
