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1，磷化銦襯底技術(shù)壁壘深厚，大尺寸/低位錯(cuò)為發(fā)展方向。襯底技術(shù)方面，改進(jìn)后的HB/HGF法是工業(yè)合成InP多晶的主要方法；LEC/改進(jìn)LEC/HB/HGF/VGF/VB為主要的單晶生長(zhǎng)方法；為了降低成本，磷化銦單晶向大尺寸、低位錯(cuò)、工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)發(fā)展。市場(chǎng)方面，磷化銦單晶生長(zhǎng)設(shè)備和技術(shù)壁壘較高，全球襯底市場(chǎng)集中度高；下游市場(chǎng)需求不斷增加，襯底市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，根據(jù)北京通美招股書(shū)援引Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2026年全球磷化銦襯底市場(chǎng)規(guī)模為2.02億美元，2019-2026年CAGR為12.42%。
　　 2，磷化銦外延片主要來(lái)源于IDM廠商和專業(yè)外延廠，后者市場(chǎng)集中度較高。磷化銦外延主要采用MOCVD和MBE技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)厚度、組分、摻雜和界面的精確控制；目前MOCVD設(shè)備被國(guó)外巨頭壟斷，但國(guó)內(nèi)廠商逐漸突破市場(chǎng)壁壘。全球磷化銦外延供應(yīng)商包括大型IDM制造商和專業(yè)外延廠，后者市場(chǎng)集中度高。根據(jù)恒州博智QYR百家號(hào)，2021年全球磷化銦外延片市場(chǎng)銷售額為1.04億美元，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)1.62億美元，CAGR為6.30%。
　　 3，磷化銦下游光電子領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模將快速增長(zhǎng)，通信是主要應(yīng)用場(chǎng)景、傳感應(yīng)用或?qū)⒂瓉?lái)快速增長(zhǎng)。磷化銦具有電子遷移率高、耐輻射性能好、禁帶寬度大等優(yōu)點(diǎn)，在光電子和射頻領(lǐng)域擁有關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，我們認(rèn)為未來(lái)磷化銦產(chǎn)業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力主要集中在光電子領(lǐng)域。根據(jù)Yole，2021-2027年磷化銦光電子器件市場(chǎng)規(guī)模將由25億美元增長(zhǎng)至56億美元，CAGR為14%。具體來(lái)看，2021-2027年應(yīng)用于數(shù)據(jù)通信和電信通信的InP器件市場(chǎng)規(guī)模分別將從12.4、12.9億美元增長(zhǎng)至34、18億美元，CAGR分別為18%、6%；預(yù)計(jì)2027年應(yīng)用于可穿戴傳感、消費(fèi)類3D傳感和汽車激光雷達(dá)的InP器件市場(chǎng)規(guī)模分別為1.59、1.51和0.14億美元，對(duì)應(yīng)CAGR分別達(dá)30%、37%和189%。
　　 4，國(guó)內(nèi)砷化鎵和磷化銦產(chǎn)業(yè)鏈布局趨于完善，相關(guān)本土公司逐步崛起。產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，主要本土公司包括：1）襯底方面，主要公司包括云南鍺業(yè)和有研新材等；2）外延方面，主要公司包括全磊光電和唐晶量子等；3）芯片方面，主要公司為長(zhǎng)光華芯、源杰科技、光迅科技、唯捷創(chuàng)芯、長(zhǎng)瑞光電、縱慧芯光等；4）代工方面，主要公司為三安光電等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)超預(yù)期，宏觀經(jīng)濟(jì)波動(dòng)。