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投資要點(diǎn)
　　耐高溫高壓高頻，碳化硅電氣性能優(yōu)異
　　碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率等指標(biāo)具有顯著優(yōu)勢，可滿足現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風(fēng)電、5G通信等。
　　工藝難度大幅增加，長晶環(huán)節(jié)是瓶頸
　　碳化硅制造工藝具有高技術(shù)壁壘，襯底長晶存在條件控制嚴(yán)、長晶速度慢、晶型要求高三大技術(shù)難點(diǎn)，而加工難度大帶來的低產(chǎn)品良率導(dǎo)致碳化硅成本高；外延的厚度和摻雜濃度為影響最終器件的關(guān)鍵參數(shù)。
　　下游應(yīng)用場景豐富，新能源帶來最大增長點(diǎn)
　　碳化硅器件下游應(yīng)用領(lǐng)域包括電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、5G通信等，其中新能源汽車為最大終端應(yīng)用市場。高轉(zhuǎn)換效率和高功率帶來整車系統(tǒng)成本下降，特斯拉、比亞迪、小鵬等車企相繼使用SiCMOSFET。Yole預(yù)計(jì)2027年全球?qū)щ娦吞蓟韫β势骷袌鲆?guī)模有望達(dá)63億美元，其中電動汽車下游領(lǐng)域占比達(dá)80%。
　　碳化硅供需缺口持續(xù)擴(kuò)大，海內(nèi)外廠商加速研發(fā)擴(kuò)產(chǎn)
　　供給端：海外龍頭主導(dǎo)出貨量，全球有效產(chǎn)能仍不足。全球碳化硅市場呈美國、歐洲、日本三足鼎立的格局，海外廠商已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)6英寸碳化硅襯底，計(jì)劃2023年實(shí)現(xiàn)8英寸量產(chǎn)；國內(nèi)仍以小尺寸為主，部分實(shí)現(xiàn)6英寸量產(chǎn)，正加速研發(fā)縮小與國際龍頭的差距，整體來看全球有效產(chǎn)能仍不足。需求端：下游需求不斷擴(kuò)大，百億市場空間可期。據(jù)我們測算，2025年全球碳化硅襯底市場需求達(dá)188.4億元，碳化硅器件市場需求達(dá)627.8億元。2025年之前行業(yè)仍呈現(xiàn)供給不足的局面。
　　投資建議：
　　建議關(guān)注：合盛硅業(yè)。
　　風(fēng)險提示
　　技術(shù)研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期；全球碳化硅行業(yè)競爭加劇。