>> 國泰君安-碳化硅行業(yè)專題：第三代半導(dǎo)體明日之星，“上車+追光”跑出發(fā)展加速度-230506
| 上傳日期： |
2023/5/6 |
大小： |
1720KB |
| 格式： |
pdf 共20頁 |
來源： |
國泰君安 |
| 評級： |
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作者： |
龐鈞文,石巖,馬銘宏 |
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第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優(yōu)勢，可實現(xiàn)功率模塊小型化、輕量化。主要應(yīng)用于新能源汽車/充電樁、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等領(lǐng)域。
憑借性能優(yōu)勢碳化硅功率器件有望迎來快速發(fā)展。2021年全球第三代功率半導(dǎo)體市場滲透率約為4.6%-7.3%，較2020年滲透率提升約2%。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模約為10.90億美元，2027年全球?qū)щ娦吞蓟韫β势骷袌隹臻g有望突破至62.97億美元，六年年均復(fù)合增速約為34%。
碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺蓄勢待發(fā)。功率器件主要應(yīng)用于新能源車的主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)、DC/DC轉(zhuǎn)換器和非車載充電樁等關(guān)鍵電驅(qū)電控部件。盡管SiCMOSFET價格相比于Si IGBT價格仍然較高，但碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備明顯優(yōu)勢。新能源汽車已成為碳化硅功率器件最主要的市場。在目前各大主流車廠積極布局800V電壓平臺的背景下，碳化硅的性價比突出，市場前景廣闊。配套的直流充電樁市場將進(jìn)一步加速碳化硅需求增長。
碳化硅“追光”，拓展光伏儲能新應(yīng)用場景。碳化硅功率模塊可使逆變器轉(zhuǎn)換效率提升至99%以上，能量損耗降低30%以上，同時具備縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低系統(tǒng)散熱要求等優(yōu)勢。根據(jù)CASA數(shù)據(jù)，2021年中國光伏領(lǐng)域第三代功率半導(dǎo)體的滲透率超過13%，市場規(guī)模約4.78億元，預(yù)計2026年光伏用第三代半導(dǎo)體市場空間將接近20億元，五年CAGR超過30%。另外，隨著可再生能源發(fā)電占比提高以及智能電網(wǎng)的應(yīng)用，儲能系統(tǒng)與電力電子變壓器進(jìn)一步拓寬了碳化硅的市場。
風(fēng)險提示：國產(chǎn)替代不及預(yù)期；800V技術(shù)滲透不及預(yù)期；成本下降不及預(yù)期；行業(yè)競爭加劇。
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