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刻蝕概覽：
　　刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過程中，刻蝕步驟多達(dá)上百個(gè)，是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。
　　刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。目前應(yīng)用主要以干法刻蝕為主，市場(chǎng)占比90%以上。濕法刻蝕在小尺寸及復(fù)雜結(jié)構(gòu)應(yīng)用中具有局限性，目前主要用于干法刻蝕后殘留物的清洗。
　　根據(jù)作用原理，干法刻蝕可分為物理刻蝕（離子銑刻蝕）和化學(xué)刻蝕（等離子刻蝕）。
　　根據(jù)被刻蝕的材料類型，干法刻蝕則可分為金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕與硅刻蝕，介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)器等芯片制造中，合計(jì)占九成以上市場(chǎng)規(guī)模。
　　刻蝕關(guān)鍵工藝：大馬士革&極高深寬比
　　新電子材料的集成和加工器件尺寸的不斷縮小為刻蝕設(shè)備帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，同時(shí)對(duì)性能的要求（刻蝕均勻性、穩(wěn)定性和可靠性）越來越高。分別從邏輯器件和存儲(chǔ)器件的技術(shù)演進(jìn)路線看刻蝕工藝應(yīng)用：
　　在28納米及以下的邏輯器件生產(chǎn)工藝中，一體化大馬士革刻蝕工藝，需要一次完成通孔和溝槽的刻蝕，是技術(shù)要求最高、市場(chǎng)占有率最大的刻蝕工藝之一。
　　存儲(chǔ)器件2D到3D的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變使等離子體刻蝕成為最關(guān)鍵的加工步驟。在存儲(chǔ)器件中，極高深寬比刻蝕是最為困難和關(guān)鍵的工藝，是在多種膜結(jié)構(gòu)上，刻蝕出極高深寬比（>40:1）的深孔/深槽。
　　刻蝕設(shè)備市場(chǎng)情況：
　　微縮化+3D化，推動(dòng)刻蝕用量增加；根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2022年全球刻蝕設(shè)備占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約22%，約230億美元市場(chǎng)規(guī)模。刻蝕設(shè)備呈現(xiàn)日美廠商頭部集中、中國(guó)廠商崛起的競(jìng)爭(zhēng)格局。
　　相關(guān)標(biāo)的：
　　刻蝕設(shè)備：北方華創(chuàng)，中微公司，屹唐股份（未上市）；
　　零部件：富創(chuàng)精密，江豐電子，新萊應(yīng)材，英杰電氣，國(guó)力股份，華卓精科（未上市）
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：1）下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期；2）技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期；3）零部件短缺影響出貨；4）貿(mào)易爭(zhēng)端風(fēng)險(xiǎn)。