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事件：
　　華虹半導(dǎo)體（HHGrace，1347.HK）于5月11日發(fā)布2023年第一季度財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收6.30億美元，同比+6.1%/環(huán)比持平；毛利率32.1%，同比+5.2ppts/環(huán)比-6.1ppts。綜合財(cái)報(bào)及交流會(huì)議信息，總結(jié)要點(diǎn)如下：
　　評(píng)論：
　　1、23Q1收入和毛利率符合預(yù)期，產(chǎn)能利用率維持滿載。
　　1）營(yíng)收：23Q1收入6.3億美元，同比+6.1%/環(huán)比持平，符合預(yù)期；2）產(chǎn)能和產(chǎn)能利用率：23Q1折合8寸總產(chǎn)能達(dá)32.4萬(wàn)片/月，環(huán)比持平，其中12寸產(chǎn)能仍為6.5萬(wàn)片/月；23Q1產(chǎn)能利用率為103.5%，環(huán)比+0.3ppt。其中，8寸產(chǎn)能利用率107.1%，環(huán)比+1.2ppts，12寸產(chǎn)能利用率99.0%，環(huán)比-0.9ppt；3）毛利率：23Q1毛利率為32.1%，為22Q4指引下限（32-34%），同比+5.2ppts/環(huán)比-6.1ppts，同比上升主要系A(chǔ)SP上漲，部分被折舊成本上升抵消，環(huán)比下滑主要系降價(jià)和折舊影響。
　　2、高壓產(chǎn)品需求旺盛，MCU保持高稼動(dòng)率，公司對(duì)部分產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行讓步。
　　23Q1 MCU等嵌入式存儲(chǔ)器收入2.4億美元，同比+68%；NOR等獨(dú)立存儲(chǔ)器0.32億美元，同比-45.7%；分立器件收入2.3億美元，同比+28.3%；RF和CIS等邏輯收入0.39億美元，同比-59%；PMIC和模擬收入0.88億美元，同比-25%。公司在MCU保持高產(chǎn)能利用率，IGBT和超級(jí)結(jié)MOS等高壓產(chǎn)品需求旺盛，盈利能力強(qiáng)勁。公司對(duì)產(chǎn)品價(jià)格有所讓步，特別是NOR和CIS，為了保持高產(chǎn)量，對(duì)MCU等也可能有價(jià)格讓步。
　　3、2023全年資本支出大約7-9億美元，無(wú)錫二廠預(yù)計(jì)于2024年底量產(chǎn)。
　　1）23Q1指引：預(yù)計(jì)收入6.3億美元，環(huán)比持平；毛利率25-27%，中值環(huán)比下滑6pcts；2）無(wú)錫產(chǎn)線：23Q1資本支出2.166億美元，其中1.91億美元用于華虹無(wú)錫；2023年資本支出規(guī)劃8.85億美元，其中7億美元用于無(wú)錫一廠剩余產(chǎn)能爬坡，1.85億美元用于8寸產(chǎn)線（8寸實(shí)際支出可能為0.5-1億美元）；無(wú)錫一廠產(chǎn)能將在23Q2-Q4內(nèi)逐步釋放，總規(guī)劃為9.5萬(wàn)片/月；3）無(wú)錫新廠：無(wú)錫新廠總投資預(yù)計(jì)超100億美元，其中一期將投入67億美元，一期產(chǎn)能規(guī)劃8.3萬(wàn)片/月，將為總產(chǎn)能的一半；制程為40/55nm，大部分用于IGBT等器件。一期分兩階段擴(kuò)產(chǎn)，第一階段擴(kuò)產(chǎn)4-5萬(wàn)片/月，第二階段擴(kuò)產(chǎn)3-4萬(wàn)片/月。2023年一期產(chǎn)線投入預(yù)計(jì)為7-9億美元，大部分投資將在2024年發(fā)生。公司計(jì)劃幾個(gè)月之后推進(jìn)無(wú)錫新廠一期建設(shè)，預(yù)計(jì)2024年底量產(chǎn)爬坡，在2025年年初形成一定產(chǎn)能。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求下滑；無(wú)錫產(chǎn)能爬坡及客戶導(dǎo)入不及預(yù)期；宏觀經(jīng)濟(jì)及政策風(fēng)險(xiǎn)。