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日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式公告針對高端半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制措施，并將于7月開始實(shí)施，措施內(nèi)容符合我們先前預(yù)期。主要影響為清單內(nèi)的6大類23種高端半導(dǎo)體設(shè)備（或物項(xiàng)）未來對華出口需申請?jiān)S可證。中國大陸為日本主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商的重要收入來源地區(qū)之一，出口限制主要針對先進(jìn)芯片制造，符合預(yù)期，否則，倘若施行全面限制對日本半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)也會有較大沖擊。建議關(guān)注成熟制程擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)、先進(jìn)制程國產(chǎn)替代力度有望加大背景下的半導(dǎo)體設(shè)備/零部件環(huán)節(jié)。
　　▍2023年5月23日，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省發(fā)布省令，正式出臺針對23種半導(dǎo)體制造設(shè)備（或物項(xiàng)）的出口管制措施，并將于7月23日開始實(shí)施。該措施內(nèi)容與3月31日公布的征詢公眾意見稿基本一致，符合先前預(yù)期（可參考我們于4月3日發(fā)布的點(diǎn)評《日本限制半導(dǎo)體設(shè)備出口，持續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化機(jī)會》）。
　　▍本次措施主要是增加了6大類23種管制物項(xiàng)，要求對華出口需申請?jiān)S可。在清單內(nèi)的受管制物品在向中國大陸、俄羅斯等地區(qū)出口時(shí)，需要獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的許可證。清單主要針對高端半導(dǎo)體制造設(shè)備，尤其是特別聚焦了ArF浸沒式光刻、EUV配套設(shè)備及部件、鈷/鎢等金屬沉積、高深寬比刻蝕和硅鍺刻蝕等技術(shù)指標(biāo)較高、材料特殊、在先進(jìn)制程有針對性應(yīng)用的半導(dǎo)體設(shè)備品種，而光刻膠等日本優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料則未在限制行列之中。
　　▍具體這6大類23種半導(dǎo)體制造設(shè)備（或物項(xiàng)）主要包括：
　　1、光刻（4項(xiàng)）：ArF浸沒式光刻機(jī)、用于EUV光刻的涂膠顯影設(shè)備、用于EUV光刻的光罩護(hù)膜（清單中唯一一種非設(shè)備品種，用于EUV光罩的配套）及其生產(chǎn)設(shè)備。其中EUV光刻機(jī)（僅荷蘭ASML提供）的采購國內(nèi)長期受限，日本限制EUV配套產(chǎn)品對中國大陸沒有實(shí)質(zhì)影響，而ArF浸沒式光刻機(jī)日本尼康有相關(guān)產(chǎn)品，未來需觀察許可實(shí)際發(fā)放情況。
　　2、刻蝕（3項(xiàng)）：高深寬比刻蝕、硅鍺刻蝕等。
　　3、薄膜沉積（11項(xiàng)）：用于鈷、鎢、鉬、釕等金屬薄膜、Contact層、Low-k等介質(zhì)、掩膜版、硅和硅鍺外延等沉積的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉積設(shè)備。
　　4、熱處理（1項(xiàng)）：用于銅、鈷、鎢的低壓退火設(shè)備。
　　5、清洗（3項(xiàng)）：銅膜清洗、干法清洗、晶圓改性后干燥的單片濕法清洗。
　　6、檢測（1項(xiàng)）：EUV光刻掩膜版檢測設(shè)備。
　　物項(xiàng)清單雖未明確說明設(shè)備對應(yīng)的制程節(jié)點(diǎn)，但技術(shù)指標(biāo)、應(yīng)用于具體材料和工藝的描述均具有較強(qiáng)的針對性，主要面向與先進(jìn)制程相關(guān)的設(shè)備品種。
　　▍中國大陸為日本主要半導(dǎo)體設(shè)備廠商的重要收入來源地區(qū)之一，本次出口限制主要針對高端半導(dǎo)體制造，符合我們先前預(yù)期。以日本半導(dǎo)體設(shè)備公司東京電子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）為例，根據(jù)三家公司2022年報(bào)（2021.4.1-2022.3.31），來自中國大陸客戶的營收占比分別為28.3%、26.2%、28.4%，均為其最大收入來源地區(qū)。本次出口限制主要針對先進(jìn)半導(dǎo)體制造，符合我們先前預(yù)期。否則，若日本對華成熟芯片相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備也實(shí)際施加限制，則將會影響日本相關(guān)設(shè)備公司的營收，長期削弱日本在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的份額優(yōu)勢，同時(shí)中國本土技術(shù)生態(tài)鏈有望在重壓下加速本土替代。
　　▍風(fēng)險(xiǎn)因素：后續(xù)對華半導(dǎo)體技術(shù)限制超預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新不及預(yù)期；國際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)；先進(jìn)制程技術(shù)變革風(fēng)險(xiǎn)；下游需求波動風(fēng)險(xiǎn)。
　　▍投資策略：當(dāng)下從產(chǎn)業(yè)安全角度，建議重點(diǎn)關(guān)注設(shè)備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”環(huán)節(jié)，有望獲得政策推動。短期來看，建議關(guān)注日本及荷蘭廠商占有領(lǐng)先地位的、并能夠?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代的設(shè)備/材料環(huán)節(jié)；長期來看，建議關(guān)注受益國產(chǎn)替代加速的設(shè)備、零部件、材料等各環(huán)節(jié)的相關(guān)公司。建議關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)備/零部件公司：北方華創(chuàng)、富創(chuàng)精密、芯源微、拓荊科技、中微公司、至純科技、盛美上海、華海清科、精測電子、中科飛測、微導(dǎo)納米等。