>> 招商證券-半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)動態(tài)點評：荷蘭公布半導(dǎo)體設(shè)備出口新規(guī)，加速國內(nèi)設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程-230703
| 上傳日期： |
2023/7/3 |
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| 格式： |
pdf 共13頁 |
來源： |
招商證券 |
| 評級： |
推薦 |
作者： |
鄢凡,曹輝 |
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荷蘭政府于6月30日發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備出口管制新規(guī)，針對先進(jìn)的光刻和沉積設(shè)備，預(yù)計將于9月1日正式實施；ASML回應(yīng)表示本輪新規(guī)將影響其浸沒式DUV2000i及更先進(jìn)的光刻機臺，其他機臺不受影響；ASMI公司尚未對新規(guī)做出回應(yīng)。本次荷蘭出口管制新規(guī)預(yù)計將加速國內(nèi)設(shè)備自主可控進(jìn)程，看好國內(nèi)核心設(shè)備及零部件國產(chǎn)替代趨勢。
荷蘭正式公布半導(dǎo)體設(shè)備出口管制新規(guī)，預(yù)計9月1日開始實施。2023年6月30日，荷蘭政府公布有關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備出口的新規(guī)定，側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，主要包括先進(jìn)的光刻設(shè)備和沉積設(shè)備兩大類，新規(guī)將于2023年9月1日生效。1）光刻設(shè)備及相關(guān)：①EUV光罩保護(hù)膜；②EUV光罩護(hù)膜生產(chǎn)設(shè)備；③步進(jìn)重復(fù)或步進(jìn)掃描光刻機，滿足如下條件之一即受限，a.光源波長小于193nm，b.光源波長大于或等于193nm，同時最小可分辨特征尺寸小于45nm，并且最大專用卡盤覆蓋（DCO）小于或等于1.50nm；2）沉積設(shè)備：包括部分用于金屬沉積的ALD設(shè)備、部分用于硅/鍺硅/碳摻雜鍺硅外延生長的設(shè)備、部分等離子體低k介質(zhì)沉積設(shè)備。
ASML針對荷蘭出口法規(guī)做出回應(yīng)，預(yù)計受限的光刻設(shè)備為2000i浸沒式DUV及更先進(jìn)的機型。ASML也于6月30日發(fā)表聲明，ASML需要向荷蘭政府申請其最先進(jìn)的浸沒式DUV光刻系統(tǒng)（TWINSCANNXT:2000i和后續(xù)浸沒式系統(tǒng)）的所有裝運的出口許可證，荷蘭政府將決定是否授予或拒絕所需的出口許可證。由于，荷蘭新的出口管制條例將于2023年9月1日生效，ASML可以在該日期之前開始提交出口許可證申請。
ASML 1980Di DUV光刻機可以實現(xiàn)最低7nm制程，1980D/E/Fi預(yù)計不在本輪限制范圍內(nèi)。參考de Graaf、Roelof等于2016年發(fā)表的SPIE會議論文，1980Di可適用于10-16nm制程，通過多重曝光可實現(xiàn)7nm制程的光刻。按照TSMC制程路線圖，其N7節(jié)點于2018年4月正式投入量產(chǎn)，使用ASML2016年發(fā)布的1980Di機型，采用DUV工藝；TSMC的N7+節(jié)點是全球首個使用EUV工藝的技術(shù)，于2019年全面量產(chǎn)。根據(jù)ASML官網(wǎng)，1980Di最大分辨率可實現(xiàn)38nm，小于荷蘭政府規(guī)定的45nm，但其DCO指標(biāo)為最大1.6nm，不滿足法規(guī)中小于等于1.5nm的要求，因此該設(shè)備目前仍未受限。另外，根據(jù)ASML官網(wǎng)，1980Ei和Fi系列是1980Di的升級型號，主要升級體現(xiàn)在產(chǎn)能提升等，DCO指標(biāo)仍不滿足受限制標(biāo)準(zhǔn)。
ASMInternational在ALD市場具備領(lǐng)先地位，其沉積和外延設(shè)備預(yù)計將直接受到荷蘭出口新規(guī)影響。荷蘭的ASMI公司專注于沉積設(shè)備，擁有最大的單晶圓ALD應(yīng)用組合，外延領(lǐng)域份額不斷增長，并且提供PECVD和立式爐等設(shè)備，2022年，公司還新增碳化硅外延設(shè)備產(chǎn)品線。根據(jù)ASMI 2022年報，公司在ALD市場至少擁有55%的市場份額，處于絕對領(lǐng)先地位，2020年在外延設(shè)備市場份額約15%，計劃于2025年提升外延市場份額至30%。由于本次荷蘭出口新規(guī)對部分用于金屬沉積的ALD設(shè)備和部分用于硅/鍺硅/碳摻雜鍺硅外延生長的設(shè)備進(jìn)行限制，ASMI公司設(shè)備預(yù)計受到直接影響，但公司目前尚未做出官方回應(yīng)。
根據(jù)路透社，美國或?qū)⑦M(jìn)一步加深對芯片制造設(shè)備出口的限制，有可能出臺對2022年10月7日法規(guī)的更新條款。根據(jù)路透社6月29日的報道，美國和荷蘭將在今年夏天通過進(jìn)一步限制芯片制造設(shè)備的銷售，美國或?qū)⒂?月下旬公布規(guī)定，要求向部分中國Fab廠出口設(shè)備需要許可證，由于荷蘭的光刻機設(shè)備含有美國零部件，因此美國法規(guī)也適用于荷蘭公司。另據(jù)路透社表示，本輪美國出口管制如果得到實施，將對去年10月7日的法規(guī)進(jìn)行更新。
投資建議?？紤]到荷蘭在全球光刻機市場和ALD市場均處于絕對領(lǐng)先地位，我們預(yù)計本輪荷蘭設(shè)備出口管制新規(guī)會進(jìn)一步加速設(shè)備國產(chǎn)化自主可控進(jìn)程。由于ASML 1980Di光刻機暫不受限，因此預(yù)計荷蘭新規(guī)對于國產(chǎn)成熟及相對先進(jìn)制程產(chǎn)線擴產(chǎn)的影響相對可控。建議關(guān)注A股如下三類公司：1）半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)零部件公司：茂萊光學(xué)、福晶科技、騰景科技等；2）ALD和外延設(shè)備持續(xù)國產(chǎn)替代類公司：北方華創(chuàng)、拓荊科技、微導(dǎo)納米、中微公司等；3）受益于國內(nèi)成熟制程和相對先進(jìn)制程產(chǎn)線擴產(chǎn)的標(biāo)的：①沉積：北方華創(chuàng)、拓荊科技、中微公司、盛美上海、微導(dǎo)納米等；②刻蝕：北方華創(chuàng)、中微公司等；③涂膠顯影：芯源微；④熱處理：北方華創(chuàng)、盛美上海等；⑤清洗：盛美上海、至純科技、芯源微等；⑥測試：中科飛測、精測電子等；⑦離子注入：萬業(yè)企業(yè)、華海清科；⑧CMP：華海清科等。
風(fēng)險提示：美國出口管制法規(guī)趨嚴(yán)的風(fēng)險、國內(nèi)晶圓產(chǎn)線擴產(chǎn)不及預(yù)期、行業(yè)競爭加劇、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢變化的風(fēng)險。
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