>> 浙商證券-半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)點(diǎn)評(píng)報(bào)告：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備管制靴子落地，ALD、EPI等設(shè)備國產(chǎn)化加速-230703
| 上傳日期： |
2023/7/4 |
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pdf 共11頁 |
來源： |
浙商證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
看好 |
作者： |
邱世梁,王華君 |
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事件：6月30日，荷蘭政府頒布先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口管制新規(guī)，管制范圍包括光刻機(jī)、ALD、外延、沉積設(shè)備、光罩及其生產(chǎn)設(shè)備等。條例將于2023年9月1日正式生效，此前設(shè)備發(fā)運(yùn)不受影響。同日，ASML發(fā)布公告表示新頒布的荷蘭出口管制政策僅適用于TWINSCANNXT:2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻機(jī)。
荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備管制“靴子落地”，范圍由光刻機(jī)蔓延至ALD、Epi、沉積設(shè)備根據(jù)荷蘭政府最新政策，先進(jìn)光刻機(jī)、ALD設(shè)備、Epi設(shè)備及l(fā)ow-k沉積設(shè)備、EUV光罩保護(hù)膜及其生產(chǎn)設(shè)備受到出口管制。1）光刻機(jī)：EUV和2000i以上浸沒式光刻機(jī)受限。2）ALD設(shè)備：沉積Al前驅(qū)體、TiAlC和功函數(shù)高于4.0eV的金屬的ALD設(shè)備。3）Epi設(shè)備：具備特定參數(shù)的用于生長硅、碳摻雜硅、硅鍺或碳摻雜硅鍺的設(shè)備外延設(shè)備。4）沉積設(shè)備：介電常數(shù)低于3.3、金屬線之間深高比≥等于1:1、寬度小于25nm的等離子體low-k沉積設(shè)備。5）EUV光罩保護(hù)膜及其生產(chǎn)設(shè)備。
光刻機(jī)管制范圍符合預(yù)期，其他管制設(shè)備為此次新增。此次管制主要對(duì)荷蘭兩大半導(dǎo)體設(shè)備巨頭阿斯麥、先晶半導(dǎo)體的出口造成影響：光刻機(jī)及光罩保護(hù)膜主要生產(chǎn)商為荷阿斯麥（ASML），2021年其在光刻機(jī)領(lǐng)域占據(jù)全球77%份額。先晶半導(dǎo)體（ASM）為全球ALD設(shè)備龍頭和領(lǐng)先的外延設(shè)備公司，2020年ALD、外延設(shè)備全球市占率55%、15%，并在low-k沉積設(shè)備處于領(lǐng)先地位。
國內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)無虞，新規(guī)驅(qū)動(dòng)相關(guān)設(shè)備國產(chǎn)化加速
根據(jù)ASML官網(wǎng)，1980Di光刻機(jī)的DCO值小于等于1.6nm，不滿足條例中規(guī)定的DCO值小于等于1.5nm，因此不屬于管制范圍。此前市場(chǎng)擔(dān)心荷蘭7月光刻機(jī)政策進(jìn)一步收緊，影響國內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)，此次荷蘭新規(guī)落地，限制范圍仍限于先進(jìn)制程對(duì)應(yīng)的2000i及EUV設(shè)備，國內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)主要使用的1980Di不受限。ALD設(shè)備在45nm及以下應(yīng)用廣泛，主要用于超薄膜厚度控制以及三維、超高深寬比結(jié)構(gòu)器件的材料沉積，外延（Epi）用于沉積精確控制的晶體硅基層，是先進(jìn)晶體管和存儲(chǔ)器以及晶圓制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)。ALD及Epi均為較先進(jìn)制程所需相關(guān)設(shè)備，荷蘭此次管制主要集中在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，國內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)無虞。
ALD設(shè)備：管制升級(jí)國產(chǎn)化迎來加速，微導(dǎo)、拓荊、華創(chuàng)處于領(lǐng)先地位
2022年我國ALD設(shè)備國產(chǎn)化率不足2%，處于極低水平，國產(chǎn)設(shè)備廠商微導(dǎo)、拓荊、華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)突破。微導(dǎo)納米ALD設(shè)備布局廣，TALD、PEALD兩大工藝類型全覆蓋，可鍍HfO2、ZrO2、La2O3、TiO2、Al2O3、AlN、TiN等多種材料，覆蓋單片式、多片式，在邏輯、存儲(chǔ)、新型顯示、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域取得訂單。拓荊科技PEALD進(jìn)展較快，積極推動(dòng)TALD驗(yàn)證。北方華創(chuàng)承擔(dān)ALD設(shè)備02專項(xiàng)研發(fā)，布局TALD、PEALD，產(chǎn)品應(yīng)用于集成電路等多個(gè)領(lǐng)域。多家公司實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，荷蘭管制將進(jìn)一步推動(dòng)ALD設(shè)備國產(chǎn)化工藝驗(yàn)證進(jìn)度，國產(chǎn)化迎來加速期。
外延設(shè)備：先進(jìn)芯片制造關(guān)鍵設(shè)備之一，華創(chuàng)已實(shí)現(xiàn)Si、SiC等多種材料和4-12英寸EPI設(shè)備覆蓋，中微公司積極研發(fā)鍺硅外延工藝
根據(jù)ASMI，2020年全球半導(dǎo)體外延設(shè)備市場(chǎng)8億美元，預(yù)計(jì)2025年將增長至15-18億美元。當(dāng)前半導(dǎo)體外延設(shè)備市場(chǎng)主要由應(yīng)用材料、ASMI等公司占據(jù)，國內(nèi)北方華創(chuàng)、中微公司已實(shí)現(xiàn)突破。北方華創(chuàng)作為中國外延工藝裝備技術(shù)開拓者，具備多種材料外延生長技術(shù)能力，可生長包括單晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、磷化銦（InP）等，已實(shí)現(xiàn)4英寸到12英寸設(shè)備全覆蓋。中微公司積極推進(jìn)Epi設(shè)備研發(fā)，以滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延工藝需求。
投資建議：荷蘭光刻機(jī)制裁靴子落地，國內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)無虞，國內(nèi)下游招投標(biāo)下半年有望加速，利好國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)。同時(shí)，荷蘭管制政策蔓延至其他設(shè)備，推動(dòng)相關(guān)設(shè)備國產(chǎn)化加速突破，重點(diǎn)推薦微導(dǎo)納米（ALD）、北方華創(chuàng)（ALD、Epi）、拓荊科技（ALD）、中微公司（Epi研發(fā)）。
風(fēng)險(xiǎn)提示：下游招投標(biāo)進(jìn)度不及預(yù)期、設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)度不及預(yù)期
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