>> 華金證券-天岳先進(jìn)(688234)產(chǎn)品+產(chǎn)能+訂單+技術(shù)穩(wěn)固基本盤，液相法獲得突破-230704
| 上傳日期： |
2023/7/4 |
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| 307KB |
| 格式： |
pdf 共5頁 |
來源： |
華金證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
孫遠(yuǎn)峰,王海維 |
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事件點評
近日，天岳先進(jìn)在Semicon China展會闡述8英寸碳化硅襯底最新技術(shù)動態(tài)，受業(yè)內(nèi)高度關(guān)注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇公開天岳先進(jìn)最新進(jìn)展。
產(chǎn)品+產(chǎn)能+訂單+技術(shù)，穩(wěn)固天岳先進(jìn)基本盤。產(chǎn)品方面，公司以6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主，滿足全球客戶需求。產(chǎn)能方面，公司上海臨港工廠已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品交付階段，持續(xù)發(fā)力提升6英寸襯底產(chǎn)量；晶體質(zhì)量及厚度持續(xù)提升，規(guī)?；a(chǎn)襯底質(zhì)量穩(wěn)定可靠。訂單方面，2022年公司與行業(yè)內(nèi)多家汽車電子、電力電子器件等領(lǐng)域知名客戶簽署長期協(xié)議（包括已經(jīng)披露13.96億元重大合同），為公司后續(xù)銷售持續(xù)增長提供動力。技術(shù)方面，布局液相法多年，過熱場、溶液設(shè)計及工藝創(chuàng)新突破部分碳化硅生長難題；在大尺寸單晶高效制備方面，采用公司最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm；通過自主擴(kuò)徑技術(shù)制備的高品質(zhì)8英寸產(chǎn)品，目前也已具備產(chǎn)業(yè)化能力。
深耕液相法，突破碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制及缺陷控制難題。液相法選用石墨材料作為坩堝，同時將其作為碳源，在石墨坩堝中填充硅熔體。將SiC晶種放置在石墨坩堝頂部，與熔體接觸，控制晶種溫度略低于熔體溫度。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體生長。生長一般在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行（如Ar），生長溫度在1750-2100℃之間。為提高晶體生長速率，在生長過程中可調(diào)節(jié)石墨坩堝和種子晶體旋轉(zhuǎn)方向及旋轉(zhuǎn)速度。通過液相法獲得均勻且高品質(zhì)晶體需要對溫場及流場進(jìn)行控制，具有較高技術(shù)難度，天岳先進(jìn)在該技術(shù)上布局多年。近日，公司采用液相法制備出低缺陷8英寸晶體，通過熱場、溶液設(shè)計及工藝創(chuàng)新突破碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題，尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。
三大優(yōu)勢有望助力液相法成為SiC晶體生長新突破點。（1）位錯密度低：采用液相法生長可大幅度降低生長溫度，減少從高溫狀態(tài)降溫冷卻過程中由于熱應(yīng)力導(dǎo)致的位錯，有效抑制生長過程中位錯產(chǎn)生；（2）液相法生長SiC可通過放肩技術(shù)相對簡單進(jìn)行擴(kuò)徑生長；（3）可以獲得p型晶體：液相法由于生長氣壓高，溫度相對較低，在該條件下Al不容易揮發(fā)而流失，且液相法助熔液中增加Al可較容易獲得高載流子濃度p型SiC晶體。
投資建議：我們公司預(yù)測2023年至2025年營業(yè)收入分別為10.83/15.15/19.54億元，增速分別為159.8%/39.9%/28.9%；歸母凈利潤分別為0.14/1.12/2.03億元，增速分別為107.9%/704.7%/81.6%。考慮到天岳先進(jìn)為國內(nèi)碳化硅襯底稀缺性標(biāo)的，且為國內(nèi)同時大規(guī)模量產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅襯底和半絕緣型碳化硅襯底領(lǐng)軍企業(yè)，疊加第三代半導(dǎo)體滲透率逐步提升，維持“增持-A”建議。
風(fēng)險提示：技術(shù)迭代和研發(fā)投入不及預(yù)期風(fēng)險；產(chǎn)能產(chǎn)量提升不及預(yù)期風(fēng)險；碳化硅襯底成本高昂制約下游應(yīng)用發(fā)展風(fēng)險。
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