>> 中信證券-電子行業(yè)半導體設備板塊專題：近期荷蘭、日本半導體出口管制清單措施分析-230717
| 上傳日期： |
2023/7/17 |
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| 格式： |
pdf 共21頁 |
來源： |
中信證券 |
| 評級： |
強于大市 |
作者： |
徐濤，王子源 |
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此報告為加密報告 |
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我們認為荷蘭、日本的半導體出口管制核心目標為限制先進制程，與美國2022年10月7日的出口管制目的相似，主要壓制了中國大陸半導體制造環(huán)節(jié)未來技術(shù)節(jié)點升級（走向7nm及以下）的進程，而對于國內(nèi)主流的成熟制程產(chǎn)線（28nm及以上）擴產(chǎn)影響有限。我們預計“小院高墻”式管制策略未來還將延續(xù)。國內(nèi)科技突圍有賴于國內(nèi)全產(chǎn)業(yè)鏈的配合協(xié)同，聚焦上游的設備、零部件、材料等環(huán)節(jié)。建議關(guān)注國內(nèi)頭部設備企業(yè)在“卡脖子”領(lǐng)域的潛在布局。
▍日本政府、荷蘭政府相繼于2023年5月23日、6月30日發(fā)布半導體相關(guān)出口管制措施。受此影響，列入管制清單內(nèi)的物項（日本為6大類23種半導體設備或物項，荷蘭為6種半導體設備或物項以及相關(guān)的軟件和技術(shù)）在對華出口時需要申請許可，日本、荷蘭政策將分別于7月23日、9月1日正式實施。
▍我們認為荷蘭6.30出口管制措施主要以限制先進制程為目的，主要針對16nm及以下制程。荷蘭具體限制范圍涉及光刻機、ALD原子層沉積、EPI外延、等離子增強沉積等，主要受影響荷蘭企業(yè)為ASML和ASMInternational。管制涉及到的技術(shù)指標與對應設備型號有較為明確的指向性，例如（1）光刻機方面限制NXT:2000i、2050i及后續(xù)型號，不影響1980Di，主要限制通過多重圖案化實現(xiàn)先進制程的能力；（2）限制TiAlC和功函數(shù)金屬的ALD設備，影響16nmHKMG及更先進節(jié)點；（3）限制用于硅、硅鍺的低溫（≤685℃）高真空外延設備，可能影響部分先進制程節(jié)點；（4）限制金屬間隙≤25nm的低介電常數(shù)（Low k）電介質(zhì)材料的PECVD，影響3nm及以下先進邏輯節(jié)點，而目前國內(nèi)尚無相關(guān)量產(chǎn)產(chǎn)線。因此整體短期增量影響有限，但長期制約我國半導體節(jié)點迭代能力。
▍我們認為日本5.23出口管制措施也針對先進制程，具體指標具有較強指向性。例如，（1）限制硅鍺（SiGe）與硅（Si）的刻蝕選擇性之比為100倍以上的各向同性干法刻蝕設備，是形成3nm以下GAA晶體管所必需的設備；（2）限制深寬度比超過30:1的干法刻蝕設備，主要為了限制3DNANDFlash。（3）限制鈷/鎢等金屬接觸層的沉積設備，我們認為主要針對10nm以下先進制程。而光刻膠等日本優(yōu)勢的半導體材料則未在限制行列之中。東京電子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon）三家設備公司2022年報（財年截至當年3.31），來自中國大陸客戶的營收占比分別為28.3%、26.2%、28.4%，均為其最大收入來源地區(qū)。我們預計在成熟制程相關(guān)設備后續(xù)仍有較大合作空間。
▍荷蘭6.30出口管制清單可看作日本5.23出口管制清單的子集，重合部分的物項說明存在極大相似度。荷蘭的6種產(chǎn)品均在日本清單中可找到對應表述。部分環(huán)節(jié)如浸沒式ArF光刻機，荷蘭進行了更加細致的指標說明，除分辨率≤45nm外，增加了DCO值≤1.5nm的條件，將限制范圍設定在NXT:2000i及以上的光刻機型。日本方面則是所有分辨率≤45nm的機型均需要申請許可。但我們預期在光刻機許可的實際判定尺度上，日本有望與荷蘭保持一致。
▍荷蘭、日本出口管制主要壓制了中國大陸半導體制造環(huán)節(jié)未來技術(shù)節(jié)點升級（走向7nm及以下）的進程，而對于國內(nèi)主流的成熟制程產(chǎn)線（28nm及以上）擴產(chǎn)幾乎無影響。這與美國2022年10月7日的出口管制目的相似。我們認為限制先進制程技術(shù)提供，同時保持成熟制程商業(yè)合作的“小院高墻”式管制策略將延續(xù)，保持技術(shù)代差或成為美國及盟友在相當一段時間內(nèi)的高科技競爭策略。對于國內(nèi)而言，科技突圍有賴于國內(nèi)全產(chǎn)業(yè)鏈的配合協(xié)同，時下短板和競爭焦點越來越聚焦上游的設備、零部件、材料等環(huán)節(jié)，此領(lǐng)域具有極大的內(nèi)生替代動力。同時上游創(chuàng)新必須緊密配套頭部下游客戶，建議關(guān)注中芯產(chǎn)業(yè)鏈、長存產(chǎn)業(yè)鏈華為產(chǎn)業(yè)鏈等國內(nèi)領(lǐng)先但受到實體清單影響的Fab廠和終端企業(yè)的積極變化。
▍從管制清單可以歸納出日本及荷蘭廠商當前占有領(lǐng)先地位的、受管制措施影響的相關(guān)領(lǐng)域，是國內(nèi)未來有待突破的方向，如：ArF浸沒式光刻機、EUV光刻機以及配套涂膠顯影/掩膜制造，SiGe刻蝕、高深寬比刻蝕等高端刻蝕，金屬及有機金屬化合物ALD、Si和SiGe外延、低k介質(zhì)PECVD、鎢/鈷/鉬/釕等金屬CVD/PVD等高端薄膜沉積，晶圓表面改性后單片清洗等高端清洗等。（1）光刻領(lǐng)域，上海微電子（非上市）攻關(guān)國產(chǎn)光刻機，涂膠顯影機領(lǐng)域芯源微領(lǐng)先，盛美上海亦有相關(guān)布局；（2）刻蝕設備領(lǐng)域，中微公司、北方華創(chuàng)各有所長；（3）薄膜沉積領(lǐng)域，拓荊科技、中微公司、北方華創(chuàng)、微導納米、盛美上海在細分品類中積極開拓；（4）清洗設備領(lǐng)域，盛美上海領(lǐng)先，至純科技、北方華創(chuàng)、芯源微均有布局。此外，量測、離子注入設備也是國產(chǎn)化率尚低、有待突破的領(lǐng)域，相關(guān)廠商包括精測電子、中科飛測，華海清科等。
▍風險因素：后續(xù)對華半導體技術(shù)限制超預期風險；國內(nèi)先進技術(shù)創(chuàng)新不及預期；國際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易摩擦加劇風險；先進制程技術(shù)變革風險；下游需求波動風險。
▍投資策略：持續(xù)關(guān)注國內(nèi)設備企業(yè)在“卡脖子”領(lǐng)域的新品布局和訂單增量，建議關(guān)注國內(nèi)頭部設備企業(yè)如中微公司、
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