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營(yíng)收：FY23Q2，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.31萬(wàn)億韓元，同比-47%，環(huán)比+44%，環(huán)比上升主要系Chat GPT為核心的生成式人工智能（AI）市場(chǎng)擴(kuò)張下，AI服務(wù)器內(nèi)存需求迅速增長(zhǎng)，HBM3和DDR5等高端產(chǎn)品的銷(xiāo)量增加；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)-2.88萬(wàn)億韓元，主要系比特出貨量增加導(dǎo)致銷(xiāo)售成本增加，但持續(xù)降本也帶來(lái)SG&A減少，同時(shí)DRAM定價(jià)提高降低了存貨估價(jià)損失；毛利率-16%，同比-62pcts，環(huán)比+16pcts；凈利潤(rùn)虧損2.99萬(wàn)億韓元，凈利率-41%，同比-62pcts，環(huán)比+10pcts。
　　DRAM與NAND：（1）DRAM：23Q2營(yíng)收占比62%，同比-2pcts，環(huán)比+4pcts，出貨量環(huán)比上升35%左右，ASP環(huán)比上升5~10%。因PC和智能手機(jī)需求低迷，DDR4等普通DRAM產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑，但用于人工智能服務(wù)器的高端產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(zhǎng)，本季度DRAM blendedASP有所上漲；（2）NAND：23Q2營(yíng)收占比30%，同比-2pcts，環(huán)比-3pcts，出貨量環(huán)比上升約50%，ASP環(huán)比下降約10%。
　　資本開(kāi)支將更加注重管理效率：23年CapEx計(jì)劃同比減少50%以上，目前執(zhí)行情況良好。為了在有限的資本支出預(yù)算內(nèi)確保高密度DDR5/HBM的生產(chǎn)能力，公司將努力提高生產(chǎn)率，縮短設(shè)備交付時(shí)間，減少其他投資。
　　庫(kù)存水平仍需靜待恢復(fù)：存儲(chǔ)需求從23Q2開(kāi)始恢復(fù)，但不足以使22下半年以來(lái)居高不下的庫(kù)存水平恢復(fù)正常，考慮到目前NAND庫(kù)存水平高于DRAM以及NAND的利潤(rùn)率低于DRAM，公司決定進(jìn)一步削減NAND產(chǎn)量。
　　終端市場(chǎng)需求開(kāi)始復(fù)蘇：（1）服務(wù)器：通信服務(wù)供應(yīng)商緊縮IT開(kāi)支，調(diào)整庫(kù)存，23年需求較疲軟，但AI市場(chǎng)增長(zhǎng)帶動(dòng)高端產(chǎn)品（高密度DDR5/HBM）需求增加，中長(zhǎng)期AISV市場(chǎng)CAGR約35%，SV總需求CAGR為5~10%；（2）PC：庫(kù)存開(kāi)始減少，出貨量環(huán)比增加，同時(shí)CB/低規(guī)格NB存在替代需求，商用/游戲有望推動(dòng)下半年P(guān)C領(lǐng)域需求上升；（3）智能手機(jī)：下半年新產(chǎn)品發(fā)布，伴隨內(nèi)存容量上升和價(jià)格下降，下半年SP需求有望改善，旗艦產(chǎn)品對(duì)高密度/高性能LPDDR5需求或?qū)⒃黾印?br>　　23年出貨量指引：Q3出貨量指引：（1）DRAM：23Q3出貨量預(yù)計(jì)環(huán)比增加10~15%，主要系為支持高密度和HBM的需求，擴(kuò)大DDR5和高性能、高密度LPDDR5銷(xiāo)量；（2）NAND：擴(kuò)大176層SSD銷(xiāo)量，23Q3出貨量預(yù)計(jì)與23Q2持平。全年出貨量指引：23年DRAM按位元出貨量將同比增加5~10%，NAND按位元出貨量將同比增加15%左右。
　　產(chǎn)品業(yè)內(nèi)領(lǐng)先：（1）1bnm：市場(chǎng)上應(yīng)用于服務(wù)器端最快的1bnm DDR5正在驗(yàn)證，采用了HKMG工藝，功耗比1anm降低20%+，公司預(yù)計(jì)24上半年將1bnm技術(shù)應(yīng)用擴(kuò)展至LPDDR5T和HBM3E；（2）1anm：1anm DDR5產(chǎn)品組合包括業(yè)界唯一通過(guò)驗(yàn)證的16GB/24GB和128GB+高密度模塊；（3）HBM：全球首家12層堆疊技術(shù)，可支持最大密度24GBHBM3。
　　其他：公司目標(biāo)擴(kuò)大包括HBM3、DDR5和LPDDR5等高端DRAM產(chǎn)品以及176層SSD產(chǎn)品的銷(xiāo)售。公司今年還將提高1bnm、第五代10nm產(chǎn)品、DRAM和238層NAND的質(zhì)量和良率，一旦看到行業(yè)好轉(zhuǎn)，將擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模。公司將努力通過(guò)高端產(chǎn)品的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)支撐盈利。
　　投資建議：23Q2需求開(kāi)始恢復(fù)，庫(kù)存去化持續(xù)進(jìn)行，同時(shí)疊加AI服務(wù)帶來(lái)對(duì)高密度/高性能存儲(chǔ)的增量需求，存儲(chǔ)市場(chǎng)周期或?qū)⒓铀儆|底反彈。我們建議關(guān)注AI算力和存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈：（1）算力：工業(yè)富聯(lián)/滬電股份/寒武紀(jì)；（2）存儲(chǔ)設(shè)計(jì)：兆易創(chuàng)新/東芯股份/北京君正/普冉股份；（3）內(nèi)存接口：瀾起科技/聚辰股份；（4）存儲(chǔ)模組：江波龍/德明利/佰維存儲(chǔ)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期，庫(kù)存恢復(fù)不及預(yù)期，產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期。