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半導(dǎo)體作為人類科技進(jìn)步的技術(shù)核心，過去一直按“摩爾定律”前進(jìn)。智能手機(jī)芯片小型低功耗的要求顯著放大制程微型化的作用，臺(tái)積電沿著晶體管縮小的路徑屢試不爽，始終保持行業(yè)領(lǐng)先。尤其28nm后在FinFET技術(shù)上逐步甩開競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，14nm以下基本處于市場(chǎng)壟斷地位。摩爾定律正接近物理極限使得晶體管微型化變得越來越困難，全周圍柵極（GAA）技術(shù)為制程突破提供了可行解決方案。從各晶圓廠技術(shù)路徑規(guī)劃來看，2nm采用GAA成為業(yè)內(nèi)普遍選擇。
　　終端市場(chǎng)需求從智能手機(jī)向人工智能轉(zhuǎn)變，高端需求集中在云端的高算力AI芯片，成本平衡的考量更凸顯。GAA解決了技術(shù)問題，但伴隨著制程復(fù)雜性的增加和制造成本的劇增。芯片制造商要在推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)考慮成本和可行性。封裝技術(shù)進(jìn)入3D世代，更小空間內(nèi)能包裝更多功能模塊，提供了摩爾定律之外新的技術(shù)路徑，以此來提升芯片性能。晶圓廠可通過優(yōu)化封裝和設(shè)計(jì)來降低成本，而無需依賴于制程的微型化，這一趨勢(shì)可能會(huì)弱化先進(jìn)制程的影響。
　　三星和英特爾先后加入先進(jìn)制程的專業(yè)代工市場(chǎng)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局可能變得更復(fù)雜。3nm節(jié)點(diǎn)三星選擇GAA以期實(shí)現(xiàn)追趕跨越式發(fā)展，臺(tái)積電則堅(jiān)守FinFET。英特爾分拆代工部門尋求對(duì)外代工業(yè)務(wù)擴(kuò)張，計(jì)劃2nm節(jié)點(diǎn)趕上臺(tái)積電且先進(jìn)封裝技術(shù)大力投入后望建立優(yōu)勢(shì)。這兩家有能力投入大量的資源來開發(fā)新技術(shù)和提高產(chǎn)能，潛在可能導(dǎo)致競(jìng)爭(zhēng)加劇和產(chǎn)能過剩。成熟制程市場(chǎng)，中芯國(guó)際為代表的廠商正逆周期擴(kuò)張。美對(duì)華技術(shù)封鎖下中國(guó)設(shè)計(jì)廠商往先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的遷移受阻，傾向更為成熟可行的替代方案。