>> 東吳證券-電子行業(yè)深度報告:存儲行業(yè)拐點已至,國產(chǎn)化主線確立-230928
| 上傳日期: |
2023/9/28 |
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| 1303KB |
| 格式: |
pdf 共20頁 |
來源: |
東吳證券 |
| 評級: |
強于大市 |
作者: |
馬天翼,金晶 |
| 行業(yè)名稱: |
電子 |
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存儲行業(yè)周期拐點確立,國產(chǎn)化進程加速:伴隨需求回暖、單設備存儲容量提升以及備貨潮,存儲市場規(guī)模逐步恢復增長。存儲顆粒2023Q3價格環(huán)比跌幅收斂,部分產(chǎn)品已出現(xiàn)漲價現(xiàn)象。DRAM目前跌價過多的低價顆粒已出現(xiàn)漲價,且合約價后續(xù)跌幅有限,DDR4部分產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格分別于8月底及9月觸底后出現(xiàn)反彈跡象,環(huán)比8月漲幅0%~10%,市場逐步回暖。此外,NANDWafer相繼強勢拉漲,并且上游的漲價有望持續(xù)發(fā)酵。龍頭大廠三星等醞釀漲價背景之下,國內存儲廠商也陸續(xù)跟進。國產(chǎn)廠商DRAM和NAND的技術水平向海外主流水平靠近,份額占比逐步提升,存儲國產(chǎn)化主線確立。 存儲廠商減產(chǎn)計劃持續(xù),庫存拐點開始顯現(xiàn):海外大廠稼動率持續(xù)下降助力加速庫存去化,根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示,2023年Q2三星/美光/海力士的稼動率分別下降至77%/74%/82%,海力士與美光23年Q2的資本開支分別同比下降62%/40%,并加速布局HBM新產(chǎn)品。此外,2023年中報數(shù)據(jù)顯示大部分模組廠庫存原材料環(huán)比增長,絕大多數(shù)模組廠庫存周轉天數(shù)環(huán)比有所下降,模組廠開始備貨,預期未來量價齊升;部分IC廠商庫存商品環(huán)比減少,存貨周轉天數(shù)環(huán)比有所下降,庫存去化效果良好,效益有望下半年顯現(xiàn)。另外DRAM和NAND的全球市場規(guī)模從2023 Q2開始環(huán)比提升,DRAM 2023Q2全球市場規(guī)模環(huán)比提升20.4%,NAND 2023Q2全球市場規(guī)模環(huán)比提升7.4%。伴隨下游需求逐步回暖,存儲市場供過于求與存儲器價格下跌情形逐步扭轉,各廠家?guī)齑嫠挥型鸩秸;袠I(yè)業(yè)績有望恢復增長態(tài)勢。 消費電子、AI服務器、車載等多領域助力存儲行業(yè)回暖:消費電子行業(yè)需求回暖、AI浪潮襲來與汽車市場景氣度上升將推動存儲行業(yè)回暖。2023Q2筆電市場需求連續(xù)六個季度以來首次恢復成長,智能手機出貨量同比降幅收窄,TWS耳機Q2實現(xiàn)環(huán)比增長,可穿戴設備市場中國產(chǎn)品牌份額持續(xù)提升。2023年全球AI服務器存儲市場規(guī)模為76億美元,預計2026年能達到492億美元,23-26年CAGR為86.4%;根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2027年車載存儲市場規(guī)模達到125億美元,2021-2027年CAGR為20%。消費電子、AR/VR新品、AI服務器和車載等領域的增量拉動了NAND和DRAM存儲器的需求回暖。 投資建議:存儲行業(yè)拐點確立,國產(chǎn)化勢在必行。通過對產(chǎn)業(yè)鏈主要玩家減產(chǎn)動作、庫存及價格開始見底反彈等觀測,我們認為當前存儲行業(yè)拐點已至,并且在部分DRAM價格上漲、NANDFlash wafer合約價成功拉漲、國產(chǎn)化主線確定等催化下,我們在當前時點看好存儲產(chǎn)業(yè)尤其是國產(chǎn)化進程加速。伴隨下游AI服務器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領域需求復蘇催化拉動,基于產(chǎn)業(yè)配套及國產(chǎn)化替代等邏輯,我們認為存儲產(chǎn)業(yè)投資重點看三條主線:1)龍頭廠商:兆易創(chuàng)新、北京君正、江波龍等。2)國產(chǎn)化主線:萬潤科技、東芯股份、德明利、恒爍股份、普冉股份、佰維存儲、聚辰股份、瀾起科技等。3)建議關注國內存儲芯片材料設備、設計、晶圓及代工廠、模組、封測等產(chǎn)業(yè)鏈相關廠商。 風險提示:下游復蘇不及預期風險;存儲價格反彈不及預期風險;宏觀經(jīng)濟形勢變化風險;龍頭廠商減產(chǎn)不及預期風險
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