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本周核心觀點(diǎn)與重點(diǎn)要聞回顧
　　HBM：英偉達(dá)H200首次搭載HBM3e，高帶寬內(nèi)存需求有望增長(zhǎng)，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望深度受益。H200是英偉達(dá)第一款使用HBM3e內(nèi)存的芯片，這種內(nèi)存速度更快，容量更大，因此更適合大語言模型。英偉達(dá)H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內(nèi)存；與A100相比，H200內(nèi)存容量越提升兩倍，帶寬約增加了2.4倍。
　　AI可穿戴：雙十一科大訊飛硬件銷售額同比增長(zhǎng)126%，AI可穿戴設(shè)備市場(chǎng)有望加速發(fā)展。首款可穿戴AI設(shè)備“Ai Pin”于近期發(fā)布，它是一種安置在服裝上的微型單色投影，可以投屏在手掌上進(jìn)行交互。雙十一科大訊飛硬件銷售額同比增長(zhǎng)126%，多款A(yù)I產(chǎn)品蟬聯(lián)品類冠軍。
　　存儲(chǔ)芯片：預(yù)期2026年DRAM產(chǎn)值有望突破1,000億美元，NAND延續(xù)漲價(jià)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望逐步向好。華邦電子表示，AI將驅(qū)動(dòng)DRAM市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，2026年產(chǎn)值有望突破1000億美元規(guī)模。CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道，現(xiàn)貨市場(chǎng)NAND供應(yīng)趨緊、價(jià)格緩漲的市況在一段時(shí)間里或成為常態(tài)。
　　先進(jìn)封裝：三星將推出3DAI芯片封裝技術(shù)SAINT與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，HBM通過先進(jìn)封裝堆疊多個(gè)DRAM，持續(xù)看好先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈。星電子公司計(jì)劃2024年推出先進(jìn)的三維芯片封裝技術(shù)，以更小的尺寸集成高性能芯片（包括AI芯片）所需的內(nèi)存和處理器。
　　市場(chǎng)行情回顧
　　本周（11.13-11.17），A股申萬電子指數(shù)上漲0.86%，整體跑贏滬深300指數(shù)1.38pct，跑輸創(chuàng)業(yè)板綜指數(shù)0.26pct。申萬電子二級(jí)六大子板塊漲跌幅由高到低分別為：其他電子II(5.27%)、光學(xué)光電子(1.71%)、電子化學(xué)品II(1.59%)、元件(1.17%)、消費(fèi)電子(1.02%)、半導(dǎo)體(0.03%)。從海外市場(chǎng)指數(shù)表現(xiàn)來看，整體繼續(xù)維持強(qiáng)勢(shì)，海內(nèi)外指數(shù)漲跌幅由高到低分別為：費(fèi)城半導(dǎo)體(4.37%)、臺(tái)灣電子(3.30%)、納斯達(dá)克(2.37%)、恒生科技(2.25%)、道瓊斯美國(guó)科技(1.84%)、申萬電子(0.86%)。
　　投資建議
　　本周我們重點(diǎn)看好受益英偉達(dá)H200發(fā)布的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、受益AI賦能的智能可穿戴產(chǎn)業(yè)鏈，繼續(xù)看好以存儲(chǔ)、封裝為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
　　HBM：受益于英偉達(dá)將HBM3e首次應(yīng)用在新發(fā)布的H200算力芯片，HBM產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長(zhǎng)，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等；
　　AI可穿戴：受益于AI+可穿戴帶來的創(chuàng)新體驗(yàn)和銷量提升，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望加速受益，建議關(guān)注漫步者、博碩科技、科大訊飛、國(guó)光電器、領(lǐng)益智造等；
　　存儲(chǔ)芯片：存儲(chǔ)板塊目前存在三因素共振：供應(yīng)端推動(dòng)NAND產(chǎn)品漲價(jià)；庫(kù)存逐漸回到正常水位；AI帶動(dòng)HBM與DDR5需求上升。建議關(guān)注東芯股份、江波龍、深科技、德明利、兆易創(chuàng)新等；
　　先進(jìn)封裝：半導(dǎo)體大廠持續(xù)布局先進(jìn)封裝，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司有望受益并迎來加速成長(zhǎng)，建議關(guān)注甬矽電子、晶方科技、藍(lán)箭電子、通富微電、長(zhǎng)電科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等。