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應(yīng)變片為應(yīng)變式力傳感器核心部件，可分為金屬和半導(dǎo)體兩類
　　常見的扭矩和六維力傳感器多為電阻應(yīng)變式原理，其通常由彈性體和應(yīng)變片構(gòu)成。應(yīng)變片在受到彈性體傳遞的外力作用時(shí)產(chǎn)生形變導(dǎo)致電阻變化，最終傳感器通過校準(zhǔn)和線性化將電信號轉(zhuǎn)換為實(shí)際扭矩值。作為核心零部件的應(yīng)變片可分為金屬式和半導(dǎo)體式兩類。金屬式可分為絲式、箔式和金屬膜式，原理是基于應(yīng)變效應(yīng)下金屬電阻值的變化。半導(dǎo)體式可分為薄膜式、擴(kuò)散式和外延式，原理是基于壓阻效應(yīng)下半導(dǎo)體材料電阻率的變化。半導(dǎo)體應(yīng)變片的精度、靈敏度高于金屬應(yīng)變片，MEMS工藝下半導(dǎo)體應(yīng)變片可實(shí)現(xiàn)高精度和低成本并存。
　　應(yīng)變式力傳感器最為常見，MEMS助力半導(dǎo)體應(yīng)變片實(shí)現(xiàn)高精度低成本
　　力傳感器中電阻應(yīng)變式最為常見。應(yīng)變式扭矩傳感器和六維力傳感器主要由彈性體和應(yīng)變片構(gòu)成。彈性體通常是一個(gè)柔性金屬組件（如彈性桿），連接在輸入軸和輸出軸之間，應(yīng)變片則固定在彈性體上。當(dāng)外力施加到輸入軸上時(shí)，彈性體發(fā)生形變，應(yīng)變片隨之形變，電阻值發(fā)生變化。最終通過校準(zhǔn)和線性化，可以將傳感器輸出的電信號轉(zhuǎn)換為實(shí)際的扭矩值。應(yīng)變片可分為金屬式和半導(dǎo)體式兩類，半導(dǎo)體應(yīng)變片的精度、靈敏度高于金屬應(yīng)變片，并且采用MEMS工藝制造的半導(dǎo)體應(yīng)變片可實(shí)現(xiàn)高精度和低成本，但其本身存在溫度穩(wěn)定性差、大應(yīng)力下非線性誤差大、機(jī)械強(qiáng)度低等缺點(diǎn)。
　　金屬應(yīng)變片：可分為絲式/箔式/膜式，原理基于應(yīng)變效應(yīng)下的電阻變化
　　金屬應(yīng)變片基于金屬應(yīng)變效應(yīng)測量受力，應(yīng)變效應(yīng)指材料在受到外力時(shí)發(fā)生形變，對應(yīng)的電阻發(fā)生變化的情況。為了測量應(yīng)變力，金屬會被繞成柵狀（敏感柵），因此可分為絲式、箔式和金屬膜式應(yīng)變片。金屬絲式用0.01-0.05mm的金屬絲做敏感柵，優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格便宜，缺點(diǎn)是蠕變較大，金屬絲易脫落；金屬箔式是利用照相制版或光刻技術(shù)，將厚約為0.003-0.01mm的金屬箔片制成敏感柵，優(yōu)點(diǎn)是接觸面積大散熱好，蠕變小，目前被廣泛使用；金屬薄膜式采用真空蒸發(fā)或真空沉積等方法，在絕緣基底上形成厚度在0.1μm以下的金屬電阻薄膜，優(yōu)點(diǎn)是靈敏度高，電流密度大，工作溫度范圍廣。
　　半導(dǎo)體應(yīng)變片：可分為薄膜/擴(kuò)散/外延式，原理基于壓阻下的電阻率變化
　　半導(dǎo)體應(yīng)變片利用壓阻效應(yīng)測量受力，壓阻效應(yīng)指的是材料在外力作用下電阻率產(chǎn)生變化，導(dǎo)致電阻發(fā)生變化的情況。半導(dǎo)體應(yīng)變片可分為薄膜式、擴(kuò)散式和外延式。薄膜式將半導(dǎo)體材料沉積在帶有絕緣層的試件上或藍(lán)寶石上，通過改變沉積時(shí)襯底溫度來控制沉積層電阻率，優(yōu)點(diǎn)是能制造出各種溫度自補(bǔ)償薄膜應(yīng)變片；擴(kuò)散式將P型雜質(zhì)擴(kuò)散到高電阻N型硅基底上，形成一層極薄的P型導(dǎo)電層，優(yōu)點(diǎn)是穩(wěn)定性好，機(jī)械滯后和蠕變小，電阻溫度系數(shù)小，缺點(diǎn)是由于存在P-N結(jié)，高溫時(shí)絕緣電阻大大下降；外延式在多晶硅或藍(lán)寶石的襯底上外延一層單晶硅，優(yōu)點(diǎn)是工作溫度可達(dá)300℃以上。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：力傳感器技術(shù)變更、半導(dǎo)體應(yīng)變片降本不及預(yù)期、半導(dǎo)體應(yīng)變片量產(chǎn)不及預(yù)期。