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　　電子行業(yè)點(diǎn)評(píng)：存儲(chǔ)復(fù)蘇的利潤兌現(xiàn)剛剛開
　　存儲(chǔ)復(fù)蘇已從價(jià)格指數(shù)傳導(dǎo)至利潤表。2023年9月以來，以NAND為代表的存儲(chǔ)芯片價(jià)格見底復(fù)蘇。隨后，CIS、功率半導(dǎo)體相繼見底復(fù)蘇。價(jià)格方面，據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2023年，NAND指數(shù)從最低點(diǎn)反彈55.6%，全年上漲12.2%；DRAM指數(shù)從最低點(diǎn)反彈14.6%，全年下跌22.7%。
　　國際存儲(chǔ)原廠業(yè)績逐季修復(fù)，虧損實(shí)現(xiàn)縮小。三星電子表示Q4存儲(chǔ)價(jià)格將環(huán)比上漲，預(yù)計(jì)2024年智能手機(jī)市場需求將反彈。SK海力士Q3DRAM業(yè)務(wù)扭虧為盈，Q4 NAND供應(yīng)進(jìn)一步收縮。美光將嚴(yán)格控制供應(yīng)和產(chǎn)能投資，2024年價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)。
　　我們認(rèn)為，由于庫存到產(chǎn)品的周期約6M至9M，4Q2023起將迎來存儲(chǔ)個(gè)股的業(yè)績逐季兌現(xiàn)。品類方面，TLCNAND相關(guān)產(chǎn)品率先受益，DRAM其次，SLCNAND等作為存儲(chǔ)利基產(chǎn)品的復(fù)蘇行情相對滯后。整體將呈現(xiàn)復(fù)蘇增強(qiáng)態(tài)勢。
　　A股上市公司2023年業(yè)績預(yù)告顯示NAND存儲(chǔ)上市公司4Q23進(jìn)入業(yè)績反轉(zhuǎn)期。德明利：根據(jù)2023年業(yè)績預(yù)告，若以中值計(jì)算，23Q4實(shí)現(xiàn)歸母凈利1.38億元，同比大幅增長且環(huán)比扭虧，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)扣非凈利潤1.34億元，同比環(huán)比皆實(shí)現(xiàn)扭虧。
　　核心假設(shè)風(fēng)險(xiǎn)：晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期；產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期；新型終端創(chuàng)新和滲透提升不及預(yù)期等。
　　(聯(lián)系人：楊海晏/劉洋)