>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：三星電子或提高1b DRAM良率，NAND／DRAM市場價小幅波動-240616
| 上傳日期： |
2024/6/16 |
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| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲 |
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核心觀點(diǎn)
NAND：NAND顆粒市場價格小幅波動，西部數(shù)據(jù)預(yù)覽2Tb QLCNAND閃存芯片。根據(jù)DRAMexchange，上周（0610-0614）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-0.62%至3.11%，平均漲跌幅為0.20%。其中9個料號價格持平，7個料號價格上漲，6個料號價格下跌。根據(jù)CFM閃存市場報道，西部數(shù)據(jù)預(yù)覽了其創(chuàng)新的BICS82Tb QLCNAND閃存芯片，這款芯片以其218層的堆疊技術(shù)，成為目前業(yè)界最高密度的閃存產(chǎn)品。BICS82Tb QLCNAND閃存芯片的單芯片容量達(dá)2Tb，西數(shù)有望通過16層堆疊技術(shù)提供4TB的存儲容量顆粒。
DRAM：顆粒價格小幅波動，三星電子或?qū)⑻岣?b DRAM良率及產(chǎn)能。根據(jù)DRAMexchange，上周（0610-0614）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-3.69%至0.04%，平均漲跌幅為-0.89%。上周1個料號呈上漲趨勢，15個料號呈下降趨勢，2個料號價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，三星電子存儲部門已于上個月成立專門工作小組，以提高1b DRAM良率及產(chǎn)能，將從2024年上半年的每月4萬張擴(kuò)大到第三季度的7萬張、然后第四季度達(dá)到10萬張的規(guī)模，并計(jì)劃2025年將產(chǎn)能擴(kuò)大到20萬張/月。
HBM：SK海力士稱其HBM產(chǎn)品比競爭對手產(chǎn)品更堅(jiān)固。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，SK海力士聲稱，其HBM采用該司獨(dú)特的大規(guī)模回流成型底部填充(MR-MUF)技術(shù)制造，比使用熱壓縮非導(dǎo)電膜(TC-NCF)制造的產(chǎn)品堅(jiān)固60%。SK海力士通過使用尖銳工具刺穿HBM安裝的DRAM頂部以產(chǎn)生劃痕來進(jìn)行測試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)其芯片的劃痕比使用TC-NCF生產(chǎn)的芯片少。
市場端：渠道和行業(yè)SSD價格保持穩(wěn)定。上周（0610-0614）eMMC價格持平，UFS價格持平。根據(jù)CFM閃存市場報道，存儲現(xiàn)貨渠道市場需求寡淡，競價出貨以達(dá)降低庫存水位。本周渠道內(nèi)存條價格全面下調(diào)，渠道SSD整體價格暫時持平不變，部分渠道品牌SSD價格有一定的下滑，短期渠道行情仍不明朗。存儲行業(yè)市場方面，因終端廠商原本就擁有一定的庫存，上游資源價格仍居高位，采購端還是遵循按需拿貨策略，本周行業(yè)SSD和內(nèi)存價格維持不變?，F(xiàn)貨嵌入式市場方面，本周嵌入式產(chǎn)品整體價格維持不變，現(xiàn)貨市場觀望氣氛依然濃厚。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利、深科技等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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