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核心觀點(diǎn)
　　NAND：SK海力士宣布量產(chǎn)321層NAND閃存，2025年上半年開始供應(yīng)。根據(jù)DRAMexchange，上周（1118-1122）NAND顆粒22個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-2.35%至3.33%，平均漲跌幅為0.10%。其中17個(gè)料號(hào)價(jià)格持平，1個(gè)料號(hào)價(jià)格上漲，4個(gè)料號(hào)價(jià)格下跌。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道，SK海力士宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4DNAND閃存。此次321層產(chǎn)品與上一代相比，數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高10%以上。
　　DRAM: 2024年三季度DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增加10.4%至258.5億美元。根據(jù)DRAMexchange，上周（1118-1122）DRAM 18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.61%至0.00%，平均漲跌幅為-0.63%。上周0個(gè)料號(hào)呈上漲趨勢(shì)，17個(gè)料號(hào)呈下降趨勢(shì)，1個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道，2024年三季度DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增加10.4%至258.5億美元。因AI及服務(wù)器需求仍保持一定熱度，三星、SK海力士和美光的DRAM收入在三季度依然保持環(huán)比增長(zhǎng)，而其他包括手機(jī)、PC和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求相對(duì)疲軟，令南亞科技和華邦電子的DRAM收入出現(xiàn)減少。
　　HBM：第六代HBM（HBM4）中或引入無助焊劑鍵合技術(shù)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道，隨著高頻寬內(nèi)存（HBM）堆疊層數(shù)逐漸增加，存儲(chǔ)廠商正嘗試無助焊劑DRAM鍵合技術(shù)，旨在將DRAM堆疊時(shí)的間距最小化。目前HBM制造商正積極推動(dòng)在第六代HBM（HBM4）中，引入無助焊劑鍵合技術(shù)。除無助焊劑鍵合技術(shù)外，業(yè)界也正在研發(fā)混合鍵合技術(shù)，預(yù)計(jì)最快將應(yīng)用于HBM4E產(chǎn)品，2026年導(dǎo)入量產(chǎn)。在此之前，無助焊劑鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)將先實(shí)現(xiàn)商用化。
　　市場(chǎng)端：行業(yè)SSD/內(nèi)存條價(jià)格趨穩(wěn)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道，本周渠道SSD/內(nèi)存條價(jià)格小幅下跌;近期部分PC客戶追加訂單，行業(yè)SSD/內(nèi)存條價(jià)格趨穩(wěn)；繼連跌近一個(gè)月之后，嵌入式產(chǎn)品報(bào)價(jià)也暫時(shí)維持不變。渠道端內(nèi)存條持續(xù)受低端資源冗余影響，自2024年4月初以來，價(jià)格便一路走跌，部分低容量?jī)?nèi)存條近半年多跌幅已逾40%，也因此前跌幅過大，相對(duì)于SSD，渠道內(nèi)存條價(jià)格降幅空間相對(duì)有限，但受制于需求仍然未見明顯起色，整體來看渠道行情向下難有改觀。
　　投資建議
　　我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲(chǔ)為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長(zhǎng)，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等；
　　存儲(chǔ)芯片：受益于供應(yīng)端推動(dòng)漲價(jià)、庫(kù)存逐漸回歸正常、AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注恒爍股份、佰維存儲(chǔ)、江波龍、德明利、深科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等。