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甬興證券-電子行業(yè)存儲(chǔ)芯片周度跟蹤:三星電子開(kāi)發(fā)混合CXL模塊,LPDDR4X現(xiàn)貨漲價(jià)-250520
上傳日期:
2025/5/20
大?。?/td>
727KB
格式:
pdf 共9頁(yè)
來(lái)源:
甬興證券
評(píng)級(jí):
增持
作者:
陳宇哲
,
劉奕司
行業(yè)名稱:
電子
下載權(quán)限:
此報(bào)告為加密報(bào)告,僅限高級(jí)會(huì)員查看
核心觀點(diǎn)
NAND:三星電子正開(kāi)發(fā)結(jié)合NAND的“混合CXL”模塊。根據(jù)DRAMexchange,上周(20250512-0516)NAND顆粒22個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-0.45%至2.78%,平均漲跌幅為0.64%。其中13個(gè)料號(hào)價(jià)格持平,8個(gè)料號(hào)價(jià)格上漲,1個(gè)料號(hào)價(jià)格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道,三星電子正在開(kāi)發(fā)將NAND閃存與Compute ExpressLink(CXL)模塊相結(jié)合的產(chǎn)品,目標(biāo)在2027年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
DRAM:2025年一季度全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)42.5%至267.29億美元。根據(jù)DRAMexchange,上周(20250512-0516)DRAM 18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-0.29%至7.51%,平均漲跌幅為3.29%。上周17個(gè)料號(hào)呈上漲趨勢(shì),1個(gè)料號(hào)呈下降趨勢(shì),0個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,2025年一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動(dòng)對(duì)服務(wù)器DRAM需求,PC和移動(dòng)需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯,此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補(bǔ)庫(kù)存需求的共同影響下,2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期,全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)42.5%至267.29億美元,環(huán)比減少8.5%。
HBM:HBM4量產(chǎn)在即,鍵合設(shè)備廠商率先卡位。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商韓美半導(dǎo)體宣布,將推出用于生產(chǎn)HBM4的專用設(shè)備“TCBONDER 4”。該設(shè)備針對(duì)HBM4對(duì)精度要求更高的特點(diǎn),與同類產(chǎn)品相比,生產(chǎn)效率和精度均有大幅提升。HBM4是第六代高帶寬存儲(chǔ)器,與現(xiàn)有的HBM3E相比,數(shù)據(jù)傳輸速度提高約60%,功耗降低近30%,預(yù)計(jì)AI和高性能計(jì)算(HPC)市場(chǎng)的需求將激增。TSV(硅通孔)接口數(shù)量增加到2048個(gè),是HBM3E的兩倍。HBM4最多支持16層,每個(gè)DRAM的容量也從24Gb擴(kuò)展到32Gb。
市場(chǎng)端:部分LPDDR4X資源供應(yīng)緊張,上周現(xiàn)貨市場(chǎng)多數(shù)LPDDR4X產(chǎn)品價(jià)格大幅拉漲。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道,DRAM原廠自2024年三季度以來(lái)相繼宣布減產(chǎn)/轉(zhuǎn)產(chǎn)LPDDR4X,使得現(xiàn)貨市場(chǎng)相應(yīng)LPDDR4X產(chǎn)品出現(xiàn)供應(yīng)趨緊現(xiàn)象,令上周LPDDR4X價(jià)格大幅拉漲。長(zhǎng)期來(lái)看,多數(shù)DRAM原廠仍秉持控產(chǎn)且保利潤(rùn)的態(tài)度,需求端雖傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售未見(jiàn)明顯好轉(zhuǎn),但LPDDR4X在部分移動(dòng)設(shè)備中仍是剛需,未來(lái)因LPDDR4X產(chǎn)能縮減而令資源供應(yīng)趨緊的現(xiàn)象或?qū)⒊掷m(xù)。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲(chǔ)為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM:受益于算力芯片提振HBM需求,相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)加速成長(zhǎng),建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等;
存儲(chǔ)芯片:受益于供應(yīng)端推動(dòng)漲價(jià)、庫(kù)存逐漸回歸正常、AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升,產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份,建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲(chǔ)、江波龍、德明利等。
風(fēng)險(xiǎn)提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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