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本周行情回顧
　　從指數(shù)表現(xiàn)來看，本周（2025-06-16至2025-06-20），上證指數(shù)周漲跌-0.57%，深證成指漲跌幅為-0.46%，創(chuàng)業(yè)板指數(shù)漲跌幅-0.88%，科創(chuàng)50漲跌幅為-1.47%，申萬電子指數(shù)漲跌幅-2.17%。板塊行業(yè)指數(shù)來看，表現(xiàn)最好的是LED，跌幅為0.46%，集成電路封測表現(xiàn)較弱，跌幅為3.5%；板塊概念指數(shù)來看，表現(xiàn)最好的是顯示面板指數(shù)，漲幅為0.79%，表現(xiàn)最弱的是AI算力指數(shù)，跌幅為4.46%。
　　國產存儲雙雄崛起，存儲芯片國產化持續(xù)進行
　　在2025年第一季度，中國長鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC）季度營收均突破10億美元大關。這一里程碑式的成就，標志著國內存儲企業(yè)在全球舞臺上正逐步嶄露頭角，打破了長期以來由國際巨頭主導的市場格局。
　　長鑫存儲與長江存儲的崛起，對國內存儲產業(yè)乃至整個半導體行業(yè)都具有深遠的影響。一方面，它們的成功為國內其他存儲企業(yè)樹立了榜樣，帶動了整個產業(yè)的技術升級與發(fā)展。另一方面，國內存儲企業(yè)的壯大，也有助于提升我國在全球半導體產業(yè)鏈中的地位，降低對進口存儲芯片的依賴，保障國家信息安全。
　　在擴產方面，Counterpoint預測稱，DRAM內存企業(yè)長鑫存儲今年將在去年大幅增產的基礎上產能進一步同比增長近50%；而到今年末，長鑫的按比特出貨量計市占將從一季度的6%提升到8%。在技術迭代方面，長鑫存儲今年的產能將從DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5過渡，反映到出貨量上就是DDR5/LPDDR5的市場份額將從一季度的1%左右分別提升到7%和9%。
　　在技術創(chuàng)新方面，長江存儲已成功實現(xiàn)294層3DNAND量產，并積極推進300層NAND開發(fā)，層數(shù)已逼近三星，其采用自研Xtacking4.0與先進CMOSBondedArray（CBA）架構，同時導入PLC技術提升密度。長鑫存儲則成功量產本土DDR5模組，規(guī)劃2025年底至2026年間量產HBM3記憶體，正式跨足高頻寬記憶體市場。
　　長存長鑫是國內晶圓廠擴產計劃中重要組成部分。國產存儲產業(yè)鏈相關設備/零部件/材料公司包括：精智達，神工股份，江豐電子等。
　　風險提示
　　1）下游需求不及預期；2）資本開支不及預期；3）技術迭代不及預期。