>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：DDR4現(xiàn)貨溫和回調(diào)，三星電子推進(jìn)HBM3E供應(yīng)-250716
| 上傳日期： |
2025/7/16 |
大小： |
745KB |
| 格式： |
pdf 共9頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲,劉奕司 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
|
|
核心觀點
NAND：鎧俠UFS 4.1開始送樣512GB和1TB版本采用BiCS 8NAND。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250707-0711）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-2.33%至3.37%，平均漲跌幅為0.51%。其中4個料號價格持平，13個料號價格上漲，5個料號價格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，鎧俠宣布其符合最新UFSVer.4.1規(guī)范的嵌入式閃存設(shè)備現(xiàn)已出樣，提供256GB、512GB和1TB容量選擇，采用小型BGA封裝。其中，512GB和1TB版本采用最新的第八代BiCSFLASH 3D閃存。
DRAM：Trendforce稱DDR4現(xiàn)貨價格大幅上漲后出現(xiàn)溫和回調(diào)。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250707-0711）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-4.96%至5.55%，平均漲跌幅為0.20%。上周7個料號呈上漲趨勢，10個料號呈下降趨勢，1個料號價格持平。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，根據(jù)Trendforce集邦咨詢的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM方面，雖然DDR4現(xiàn)貨價格出現(xiàn)間歇性上漲，但這主要反映的是此前漲幅過快的回調(diào)，而非供應(yīng)過剩。NAND閃存方面，消費市場需求已顯露出疲態(tài)，買家目前正密切關(guān)注美國關(guān)稅措施可能對下一階段造成的影響。
HBM：三星電子與博通推進(jìn)12層HBM3E供應(yīng)，預(yù)計供應(yīng)量達(dá)10億Gb。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計算約為10億Gb級別左右，量產(chǎn)時間預(yù)計最早從2025年下半年延續(xù)至2026年。
市場端：CFM更新DDR4 RDIMM 7月價格，服務(wù)器市場漸趨恢復(fù)理性下僅零星急單成交。根據(jù)CFM閃存市場報道，近段時間來，服務(wù)器DDR4 RDIMM現(xiàn)貨價格連續(xù)快速拉漲后，較2025年一季度低點呈翻倍式增長；然而，高價DDR4 RDIMM已引發(fā)服務(wù)器終端客戶抵觸心理日漸強(qiáng)烈，除零星急單外，服務(wù)器終端客戶普遍不愿高位”接盤“，服務(wù)器現(xiàn)貨市場整體交易氛圍趨于冷清。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
|
|
