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中國(guó)存儲(chǔ)廠商或全面導(dǎo)入本土EDA，本土EDA廠商扮演關(guān)鍵角色
　　根據(jù)Digitimes信息披露顯示，中國(guó)廠商首次在大規(guī)模Flash與DRAM量產(chǎn)中，全面導(dǎo)入自研本土EDA工具，為產(chǎn)業(yè)自主化補(bǔ)齊了最關(guān)鍵的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。國(guó)內(nèi)公司已開(kāi)發(fā)全流程EDA系統(tǒng)，且能支援DRAM、NANDFlash量產(chǎn)的設(shè)計(jì)平臺(tái)。此舉將推動(dòng)中國(guó)逐步形成晶片自制＋本土EDA工具的供應(yīng)鏈，以降低對(duì)國(guó)際EDA廠家的依賴。目前，華大九天已建立多個(gè)全流程EDA工具，涵蓋類比、記憶體、射頻與平板顯示電路，具備本土替代的能力。不過(guò)，在數(shù)位邏輯設(shè)計(jì)與晶圓制造環(huán)節(jié)，與國(guó)際大廠仍存在差距。未來(lái)公司設(shè)定目標(biāo)是逐步構(gòu)建全領(lǐng)域、全流程EDA工具鏈，支撐中國(guó)IC設(shè)計(jì)與自制產(chǎn)業(yè)。
　　華為UCM通過(guò)軟件方法解開(kāi)硬件使用瓶頸，提升存儲(chǔ)使用效率
　　根據(jù)Digitimes信息，華為推出UCM（Unified Cache Manager）推理記憶資料管理器的新技術(shù)，根據(jù)華為宣稱，UCM測(cè)試中可讓First Token的生成延遲縮短9成，模型上下文記憶范圍擴(kuò)展10倍，整體吞吐率提升高達(dá)22倍。
　　從產(chǎn)業(yè)角度來(lái)看，華為UCM并非要取代HBM，而是提升其使用效能，讓獲取的有限資源得以發(fā)揮最大的作用與效能。將資料依熱度存放在不同層級(jí)記憶體之中。也就是把最即時(shí)、最常用的數(shù)據(jù)放入HBM，中期需要的則下放至DRAM，而大量但低頻訪問(wèn)的冷資料則下沉到SSD。
　　華為軟件能力創(chuàng)新，補(bǔ)償中國(guó)本土AI在硬體層面的缺陷，并為本土廠家額外爭(zhēng)取到時(shí)間窗口。將既有的、有限HBM硬體發(fā)揮最大效能，讓每一顆HBM發(fā)揮更高的效能；透過(guò)規(guī)劃管理AI記憶結(jié)構(gòu)，在硬體受限的情況下釋放出最大的潛能。
　　國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)化水平，國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈值得關(guān)注
　　國(guó)家安全部公眾號(hào)發(fā)文表示，無(wú)論是提升自主創(chuàng)新能力，維護(hù)科技自身安全，還是充分應(yīng)用科技實(shí)力，支撐和保障國(guó)家重點(diǎn)領(lǐng)域安全，都需要我們統(tǒng)籌發(fā)展和安全，積極應(yīng)對(duì)科技領(lǐng)域的安全風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)。全面增強(qiáng)科技維護(hù)和塑造國(guó)家總體安全的能力，以新安全格局保障新發(fā)展格局，以高水平安全保障高質(zhì)量發(fā)展。
　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的崛起，對(duì)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)都具有深遠(yuǎn)的影響。一方面，它們的成功為國(guó)內(nèi)其他存儲(chǔ)企業(yè)樹(shù)立了榜樣，帶動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)與發(fā)展。另一方面，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)的壯大，也有助于提升我國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位，降低對(duì)進(jìn)口存儲(chǔ)芯片的依賴，保障國(guó)家信息安全。
　　國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)雙雄崛起，存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化持續(xù)進(jìn)行
　　長(zhǎng)存長(zhǎng)鑫是國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃中重要組成部分。在擴(kuò)產(chǎn)方面，Counterpoint預(yù)測(cè)稱，DRAM內(nèi)存企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年將在去年大幅增產(chǎn)的基礎(chǔ)上產(chǎn)能進(jìn)一步同比增長(zhǎng)近50%；而到今年末，長(zhǎng)鑫的按比特出貨量計(jì)市占將從一季度的6%提升到8%。在技術(shù)迭代方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年的產(chǎn)能將從DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5過(guò)渡，反映到出貨量上就是DDR5/LPDDR5的市場(chǎng)份額將從一季度的1%左右分別提升到7%和9%。在技術(shù)創(chuàng)新方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功實(shí)現(xiàn)294層3DNAND量產(chǎn)，并積極推進(jìn)300層NAND開(kāi)發(fā)，層數(shù)已逼近三星，其采用自研Xtacking4.0與先進(jìn)CMOSBonded Array（CBA）架構(gòu)，同時(shí)導(dǎo)入PLC技術(shù)提升密度。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)則成功量產(chǎn)本土DDR5模組，規(guī)劃2025年底至2026年間量產(chǎn)HBM3記憶體，正式跨足高頻寬記憶體市場(chǎng)。
　　國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司：精智達(dá)，兆易創(chuàng)新，華大九天，神工股份,上海新陽(yáng)，江波龍，佰維存儲(chǔ)等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　1）下游需求不及預(yù)期；2）國(guó)產(chǎn)大模型迭代不及預(yù)期；3）制裁加碼；4）算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)不及預(yù)期；5）國(guó)產(chǎn)算力技術(shù)迭代不及預(yù)期。