>> 東吳證券-晶盛機電(300316)首條12英寸碳化硅襯底加工中試線正式通線，SiC襯底應(yīng)用打開公司成長空間-250928
| 上傳日期： |
2025/9/29 |
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| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
東吳證券 |
| 評級： |
買入 |
作者： |
周爾雙,李文意 |
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半導(dǎo)體收入占比不斷提升，訂單快速增長。12英寸碳化硅襯底加工中試線通線，可兼容導(dǎo)電&半絕緣型。9月26日，首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國產(chǎn)化，標(biāo)志著晶盛在全球SiC襯底技術(shù)從并跑向領(lǐng)跑邁進，邁入高效智造新階段。
SiC憑借其高熱導(dǎo)率和高工藝窗口，有望顯著提升CoWoS結(jié)構(gòu)散熱并降低封裝尺寸。英偉達(dá)GPU芯片從H100到B200均采用CoWoS封裝（芯片-晶圓-基板）技術(shù)。CoWoS通過將多個芯片（如處理器、存儲器等）高密度地堆疊集成在一個封裝內(nèi)，顯著縮小了封裝面積，并大幅提升了芯片系統(tǒng)的性能和能效。但隨著GPU芯片功率增大，將眾多芯片集成到硅中介層容易導(dǎo)致更高的散熱需求。（1）單晶碳化硅是一種具有高導(dǎo)熱性的半導(dǎo)體，其熱導(dǎo)率達(dá)到490 W/m·K，比硅高出2–3倍，是高性能CoWoS結(jié)構(gòu)中介層的理想材料。（2）與硅中介層相比，單晶SiC還具有更好的耐化學(xué)性，因此可以通過刻蝕制備出更高深寬比的通孔，進一步縮小CoWoS封裝尺寸。美國尼爾森科學(xué)采用的350 μm碳化硅能夠制備出109:1的碳化硅中介層，顯著高于常規(guī)硅中介層的17:1深寬比。
SiC具備高折射率、高熱導(dǎo)性，成為AR眼鏡鏡片的理想基底材料?；撞牧系恼凵渎试礁?，AR鏡片的FOV就更大，單層SiC鏡片即可實現(xiàn)80度以上FOV，可以提供更輕薄的尺寸和更大更清晰的視覺效果。高折射率同樣可以有效解決光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的彩虹紋和色散問題。高導(dǎo)熱性則有效提升了AR眼鏡的散熱能力和性能表現(xiàn)。同時，SiC材料的高硬度和熱穩(wěn)定性亦支持刻蝕工藝的引入，有效提升產(chǎn)能和良率。
晶盛積極擴產(chǎn)6&8英寸襯底產(chǎn)能，已具備12英寸能力。晶盛目前已經(jīng)攻克12英寸碳化硅晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長的技術(shù)突破，成功長出12英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體。
盈利預(yù)測與投資評級：我們維持公司2025-2027年歸母凈利潤預(yù)測為10/12/15億元，對應(yīng)當(dāng)前PE為58/47/38倍，維持“買入”評級。
風(fēng)險提示：下游應(yīng)用拓展不及預(yù)期，技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期。
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