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國(guó)產(chǎn)設(shè)備取得突破+兩存上市緩解資金壓力，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)有望步入高增
　　2025年兩存擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度緩慢，我們認(rèn)為主因設(shè)備限制與資金壓力。一方面，長(zhǎng)存于今年年初被納入實(shí)體清單，導(dǎo)致進(jìn)口設(shè)備采購(gòu)困難，一定程度上限制了產(chǎn)能的擴(kuò)張。另一方面，目前長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存已分別完成股改與上市輔導(dǎo)，IPO財(cái)務(wù)壓力下，預(yù)計(jì)將階段性控制Capex規(guī)模，主動(dòng)控制投資節(jié)奏。我們認(rèn)為，出口限制導(dǎo)致的驗(yàn)證受限與IPO前財(cái)務(wù)壓力共同制約了設(shè)備需求的釋放。不過(guò)往后看，國(guó)內(nèi)設(shè)備公司已經(jīng)逐步在關(guān)鍵工藝設(shè)備上取得積極進(jìn)展，同時(shí)長(zhǎng)鑫長(zhǎng)存資金壓力也有望在IPO后得到明顯緩解，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)有望迎來(lái)高速增長(zhǎng)。
　　AI需求帶動(dòng)的存儲(chǔ)短缺或?qū)⒅辽俪掷m(xù)至2027年，擴(kuò)產(chǎn)的必要性在提升
　　在AI超級(jí)周期的拉動(dòng)之下，存儲(chǔ)芯片正面臨短缺。從需求層面看，AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，單臺(tái)AI服務(wù)器的DRAM用量約為傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍，NAND用量約為3倍，2025年AI對(duì)存儲(chǔ)的需求占比來(lái)到40%，未來(lái)或?qū)⑦M(jìn)一步提升。此外HDD的產(chǎn)能緊張也導(dǎo)致SSD為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)滲透加速；供給層面而言，三星、海力士等原廠均表示未來(lái)將把大部分資本開(kāi)支投向持續(xù)緊缺的HBM及高利潤(rùn)率的產(chǎn)品。結(jié)果而言，據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)觀察，傳統(tǒng)DRAM可能在2027年后才開(kāi)始回穩(wěn)，NAND與高容量存儲(chǔ)需求可能會(huì)持續(xù)至2028年甚至更久，因此我們認(rèn)為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)有望在缺貨的情況之下帶動(dòng)份額擴(kuò)張，擴(kuò)產(chǎn)的必要性在提升。
　　國(guó)產(chǎn)設(shè)備在關(guān)鍵工藝逐漸實(shí)現(xiàn)突破，存儲(chǔ)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率有望快速提升
　　從工藝層面而言，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)將會(huì)顯著帶動(dòng)刻蝕與薄膜設(shè)備需求，如3DNAND涉及的關(guān)鍵工藝包含ONON交替沉積、高深寬比通孔刻蝕、孔壁ONO沉積、臺(tái)階刻蝕、狹縫刻蝕等；而DRAM涉及的關(guān)鍵工藝包括多重曝光、電容高深寬比刻蝕和沉積、HKMG沉積等。具體而言，ONON沉積涉及反復(fù)的刻蝕和沉積循環(huán)；高深寬比刻蝕為保證垂直度和側(cè)壁保護(hù)、高選擇比、刻蝕速率等，需要更復(fù)雜的離子源設(shè)計(jì)、更多的腔室及更精確的控制能力，帶動(dòng)設(shè)備價(jià)值量提升；ONO沉積需保持薄膜均勻性和膜厚控制，涉及到多類(lèi)工藝的的ALD，帶動(dòng)薄膜沉積設(shè)備需求。最后多重曝光和Gate Last HKMG分別涉及重復(fù)的刻蝕沉積循環(huán)和復(fù)雜的偽柵替代工藝，均會(huì)帶動(dòng)薄膜沉積和刻蝕設(shè)備的用量。此外，在工藝步驟增加的趨勢(shì)下，過(guò)程控制與電學(xué)測(cè)試設(shè)備需求也有望提升。
　　當(dāng)前國(guó)產(chǎn)設(shè)備公司在各類(lèi)工藝取得突破，如北方華創(chuàng)、中微公司部分高深寬比刻蝕設(shè)備已經(jīng)在下游客戶(hù)產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，拓荊科技應(yīng)用于先進(jìn)制程的薄膜沉積機(jī)臺(tái)也已在Q3實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)中科飛測(cè)明場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備也已進(jìn)入先進(jìn)產(chǎn)線驗(yàn)證。因此，持續(xù)突破下，存儲(chǔ)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率有望步入增長(zhǎng)快車(chē)道。
　　主要受益標(biāo)的
　　刻蝕設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司；
　　薄膜沉積設(shè)備：拓荊科技、北方華創(chuàng)、微導(dǎo)納米、邁為股份等；
　　過(guò)程控制設(shè)備：中科飛測(cè)、精測(cè)電子等；
　　后道設(shè)備：長(zhǎng)川科技、精智達(dá)、矽電股份等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局加劇等。