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國(guó)金證券-電子行業(yè)研究:存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)周期疊加自主可控加速,看好半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈-251201
上傳日期:
2025/12/2
大?。?/td>
2778KB
格式:
pdf 共22頁(yè)
來(lái)源:
國(guó)金證券
評(píng)級(jí):
--
作者:
樊志遠(yuǎn)
,
戴宗廷
,
周煥博
行業(yè)名稱(chēng):
電子
下載權(quán)限:
無(wú)限制-登錄即可下載
行業(yè)觀點(diǎn)
半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石,存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)與自主可控共振,國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備位于產(chǎn)業(yè)鏈上游,是支撐芯片制造與封測(cè)的核心產(chǎn)業(yè)。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù),2025年上半年仍以33.2%的份額保持全球最大單一市場(chǎng)地位,國(guó)內(nèi)設(shè)備龍頭業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼,2025年前三季度八家龍頭公司合計(jì)營(yíng)收同增37.3%,歸母凈利潤(rùn)同增23.9%。我們判斷,隨著AI大模型驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)向3D化演進(jìn),疊加長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存等國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)新一輪高速增長(zhǎng)機(jī)遇。
投資邏輯
全球半導(dǎo)體步入強(qiáng)勁復(fù)蘇周期,設(shè)備市場(chǎng)維持高景氣。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)已結(jié)束去庫(kù)周期,根據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2025年上半年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)18.9%,全年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%。隨著行業(yè)供需關(guān)系改善,在AI算力與先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)下,SEMI預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額有望在2026年突破1300億美元。中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)雖受過(guò)往超額備貨影響短期承壓,但作為全球最大單一市場(chǎng),隨著國(guó)產(chǎn)化加速及結(jié)構(gòu)性擴(kuò)產(chǎn)持續(xù),有望迎來(lái)確定性改善。
AI技術(shù)迭代引爆存儲(chǔ)需求,供需缺口推升價(jià)格中樞。大模型向思維鏈(CoT)機(jī)制及多模態(tài)演進(jìn),推動(dòng)數(shù)據(jù)吞吐量指數(shù)級(jí)躍升,直接拉動(dòng)高性能存儲(chǔ)需求。供給端,海外原廠(三星、SK海力士等)執(zhí)行嚴(yán)格控產(chǎn)策略,HBM及先進(jìn)DRAM產(chǎn)能被鎖定,導(dǎo)致常規(guī)存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨顯著供需缺口。根據(jù)TrendForce的預(yù)計(jì),在AI對(duì)存儲(chǔ)需求的激增與原廠控產(chǎn)的雙重作用下,NAND及DRAM價(jià)格持續(xù)上行,2025Q4預(yù)計(jì)分別上漲5-10%及13-18%,行業(yè)景氣度顯著提升。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭擴(kuò)產(chǎn)加速,IPO與三期項(xiàng)目落地催化設(shè)備招標(biāo)。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨比全球更嚴(yán)峻的產(chǎn)能缺口,自主可控訴求迫切。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式啟動(dòng)IPO輔導(dǎo),估值及資金實(shí)力大幅增強(qiáng),且LPDDR5等先進(jìn)制程技術(shù)代差縮短至1年左右,產(chǎn)能爬坡確定性高;長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目已注冊(cè)成立,Xtacking 4.0技術(shù)獲國(guó)際認(rèn)可。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)的大規(guī)模落地,將直接帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)設(shè)備在核心制程環(huán)節(jié)的份額提升。
技術(shù)架構(gòu)突破物理極限,刻蝕與薄膜沉積設(shè)備迎來(lái)“量?jī)r(jià)齊升”。存儲(chǔ)芯片架構(gòu)正經(jīng)歷從2D向3D的深層次變革。隨著3DDRAM技術(shù)的引入以及NAND堆疊層數(shù)向5xx層及以上演進(jìn),制造工藝中對(duì)高深寬比刻蝕及先進(jìn)薄膜沉積的要求呈指數(shù)級(jí)提升。根據(jù)泛林半導(dǎo)體測(cè)算,在此輪技術(shù)迭代中,刻蝕與薄膜沉積等關(guān)鍵設(shè)備的市場(chǎng)有望分別實(shí)現(xiàn)1.7倍及1.8倍的顯著增長(zhǎng),相關(guān)設(shè)備廠商將深度受益于工藝復(fù)雜度提升帶來(lái)的紅利。
投資建議與估值
我們判斷,2025年將是國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備訂單增長(zhǎng)與業(yè)績(jī)兌現(xiàn)的大年。1)核心受益標(biāo)的:看好深度受益于存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)及3D技術(shù)迭代,且在刻蝕、薄膜沉積等高價(jià)值環(huán)節(jié)具備領(lǐng)先地位的中微公司等;2)平臺(tái)化龍頭:看好產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋廣、受益于先進(jìn)制程驗(yàn)證導(dǎo)入的平臺(tái)型龍頭北方華創(chuàng);3)細(xì)分賽道突圍:建議關(guān)注在CMP、量測(cè)檢測(cè)、等環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率快速提升的華海清科、中科飛測(cè)、精測(cè)電子等。
風(fēng)險(xiǎn)提示
晶圓廠資本開(kāi)支及擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目推進(jìn)不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn);行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇及平臺(tái)化布局帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn);海外制裁加劇及核心零部件供應(yīng)鏈交付風(fēng)險(xiǎn)。
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