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核心觀點(diǎn)
　　單顆AI芯片和單個(gè)AI計(jì)算機(jī)柜功率的不斷提升，促使AIDC電源向大功率、直流化、高壓化不斷迭代。本報(bào)告嘗試詳盡地梳理AIDC電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，以及給各環(huán)節(jié)設(shè)備帶來的變化。投資機(jī)會(huì)包括四大類：（1）AIDC電源主機(jī)，即PSU、HVDC、SST等環(huán)節(jié)，價(jià)值量集中、技術(shù)壁壘和入圍門檻高；（2）電站級(jí)儲(chǔ)能，越來越成為AI數(shù)據(jù)中心并網(wǎng)的剛需；（3）核心零部件，尤其看好固態(tài)斷路器、CBU/BBU、DC/DC設(shè)備、電子熔斷器/繼電器等AIDC新增環(huán)節(jié)；（4）GaN、SiC等第三代半導(dǎo)體。綜合考慮市場(chǎng)空間、業(yè)務(wù)彈性、個(gè)股α等因素，推薦陽光電源、麥格米特、歐陸通、良信股份、金盤科技等。
　　摘要
　　AI供電方案的根本驅(qū)動(dòng)力是單芯片和單機(jī)柜功率的不斷提升
　　以英偉達(dá)為首的AI芯片廠商不斷迭代升級(jí)其最新AI芯片的功率。英偉達(dá)已從Maxwell時(shí)代單顆芯片250W提升至B200芯片的超過1000W；谷歌、微軟、Meta等自研芯片也向單顆1000W以上邁進(jìn)。通過NVL72（英偉達(dá)）、Superpod（谷歌）等多芯片設(shè)計(jì)，單機(jī)柜功率進(jìn)一步向MW級(jí)邁進(jìn)。我們認(rèn)為，至2028年北美新增AI數(shù)據(jù)中心功率可達(dá)71GW。
　　大功率化、高壓化、直流化是AIDC電源迭代的主要方向
　　英偉達(dá)發(fā)布的800V供電白皮書給出了交流→800V直流（低壓整流器過渡）→800V直流（HVDC sidecar方案）→SST（固態(tài)變壓器）的清晰迭代路徑。同時(shí)OCP組織通過多批標(biāo)準(zhǔn)的迭代也確立了±400V的供電標(biāo)準(zhǔn)。但兩者目的均是通過直流供電實(shí)現(xiàn)MW級(jí)機(jī)柜功率，也認(rèn)可SST作為終極的供電方案。
　　從無到有，從小到大：供電方案迭代帶來了哪些變化和增長(zhǎng)？
　　從產(chǎn)品形態(tài)來看，集成多種設(shè)備和功能的HVDCSidecar、SST主機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)一步降壓、交直轉(zhuǎn)換、備電和電能質(zhì)量改善等多種功能。而其研發(fā)的關(guān)鍵難點(diǎn)在其中的功率變換模塊（PSU）、高頻隔離變壓器等；從技術(shù)基礎(chǔ)來看，第三代寬禁帶半導(dǎo)體如SiC、GaN是電源能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓、高效率、高變比輸出的關(guān)鍵，同時(shí)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)對(duì)公司研發(fā)實(shí)力要求高；從增量環(huán)節(jié)來看，采用高壓直流供電后需增設(shè)機(jī)柜內(nèi)固態(tài)斷路器、DC/DC電源、電子熔斷器、垂直供電VPD等環(huán)節(jié)，同時(shí)為了保證供電可靠性和電能質(zhì)量CBU、BBU也成為必須。而儲(chǔ)能則成為解決美國(guó)電力缺口和數(shù)據(jù)中心并網(wǎng)危機(jī)的最主要選擇。
　　投資建議：產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)優(yōu)先，兼顧彈性和公司α
　　我們認(rèn)為以下四大方向值得關(guān)注：（1）AIDC電源主機(jī)（PSU、HVDC、SST）：陽光電源、麥格米特、歐陸通、金盤科技、思源電氣、伊戈?duì)枴⒖剖窟_(dá)、科華數(shù)據(jù)、中恒電氣、新風(fēng)光等；（2）電站級(jí)儲(chǔ)能：陽光電源、CSIQ（美股）、FLNC（美股）等；（3）核心增量零部件（固態(tài)斷路器、電子熔斷器、CBU/BBU、DC/DC、高頻隔離變、VPD等）：良信股份、蔚藍(lán)鋰芯、VICR（美股）等；（4）GaN、SiC等第三代半導(dǎo)體。結(jié)合公司α、業(yè)務(wù)彈性和進(jìn)展，推薦陽光電源、麥格米特、歐陸通、良信股份、金盤科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)分析
　　1）需求方面：海外、國(guó)內(nèi)云廠商資本開支不及預(yù)期；海外、國(guó)內(nèi)先進(jìn)AI芯片出貨量不及預(yù)期；終端算力需求不及預(yù)期等。
　　2）供給方面：先進(jìn)芯片產(chǎn)能不及預(yù)期；關(guān)鍵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能不及預(yù)期等。
　　3）政策方面：算力支持政策不及預(yù)期；能耗、環(huán)評(píng)、土地審批不及預(yù)期；項(xiàng)目指標(biāo)審批不及預(yù)期等。
　　4）國(guó)際形勢(shì)方面：AI芯片進(jìn)口受阻；國(guó)際貿(mào)易壁壘加深等。
　　5）市場(chǎng)方面：競(jìng)爭(zhēng)格局大幅變動(dòng)；競(jìng)爭(zhēng)加劇導(dǎo)致設(shè)備單價(jià)迅速下降；運(yùn)輸?shù)荣M(fèi)用上漲。
　　6）技術(shù)方面：技術(shù)降本進(jìn)度低于預(yù)期；技術(shù)可靠性難以進(jìn)一步提升等。