>> 山西證券-電子行業(yè)年度策略:AI開啟新一輪硬件通脹,國產算力加速突圍-260324
| 上傳日期: |
2026/3/24 |
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| 2625KB |
| 格式: |
pdf 共27頁 |
來源: |
山西證券 |
| 評級: |
同步大市 |
作者: |
傅盛盛,李明陽 |
| 行業(yè)名稱: |
電子 |
| 下載權限: |
無限制-登錄即可下載 |
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投資要點: 存儲進入超級周期。AI訓練側萬億級參數量需要大容量高帶寬存儲支撐,推理側多模態(tài)輸入與KV緩存消耗大量存儲空間,服務器配套HBM與高速eSSD成為標配。供給端受2022年半導體下行周期影響,存儲廠商資本開支保守,三星、美光等巨頭退出利基產能轉向高毛利領域,HBM受3D堆疊工藝壁壘制約供給彈性不足,2026年供需比例將進一步下滑至7%,DRAM受HBM擠占影響短缺持續(xù)演進,NAND向更高堆疊層數遷移存在資本與工藝爬坡壓力制約。受投產謹慎、良率約束及業(yè)務結構調整三因素疊加影響,存儲市場缺貨格局將持續(xù)存在,行業(yè)進入量價齊升的超級周期。 半導體行業(yè)景氣度提升。AI算力爆發(fā)與新能源車加速滲透推動功率、模擬芯片及被動元器件需求激增,疊加供給端結構性收縮與產能限制,形成全鏈條漲價周期。功率器件受益于HVDC技術滲透,SiC/GaN器件價值量提升。模擬芯片庫存周期反轉,高端產品擠占產能,成本壓力傳導推動量價齊升。被動元器件受貴金屬及代工封測漲價驅動,全行業(yè)進入自上而下、全品類覆蓋漲價周期。 國產算力驅動替代加速落地。國內AI大模型推理與AIDC建設釋放強勁算力需求,2029年中國加速服務器市場規(guī)模將超1400億美元,疊加海外出口管制,倒逼國產芯片與制造環(huán)節(jié)突破。先進制程方面,高端芯片自給率較低,本土晶圓廠加碼先進制程產能布局,中芯國際7nm及以下先進制程產能加速爬坡。先進封裝成為算力提升關鍵,Chiplet、HBM技術帶動封測需求升級,長電、通富等國產廠商承接訂單外溢,2030年全球先進封裝市場規(guī)模將超794億美元。半導體設備迎來“需求擴容+國產替代”共振,充分受益于中芯、華虹等晶圓廠及長鑫、長江等存儲廠商產能擴張。 AI創(chuàng)新驅動PCB材料與架構雙重升級。AI服務器、800G/1.6T交換機對高密度互連、低損耗傳輸的需求,推動PCB技術全面躍遷。架構上,傳統(tǒng)多層板向高多層HDI演進,英偉達GB300 Switch tray升級為6+14+6HDI結構,PCB中板連接替代銅纜實現高密度互連。材料端向低Dk、低Df升級,M9級CCL成為高端需求主流,HVLP超低輪廓銅箔、Q布、碳氫樹脂等高端原材料需求缺口顯著。技術升級與供需缺口共同支撐PCB產業(yè)鏈價值量持續(xù)提升,上下游企業(yè)充分受益。。 光學及AI有望推動AR眼鏡成為新交互終端。AI技術與光學創(chuàng)新推動AR眼鏡從輔助工具升級為“生理級”交互終端,2026年全球AI及AR眼鏡銷量預計達180萬臺、95萬臺,較2024年大幅增長。光學系統(tǒng)中,光波導方案加速替代Birdbath,衍射光波導憑借輕薄優(yōu)勢成主流。顯示端LCoS、Micro-OLED、Micro-LED三足鼎立,通過光學與顯示的優(yōu)化搭配,可以解決行業(yè)“重量、性能、續(xù)航”矛盾,國內廠商在AR領域出貨量增速達142.3%,光學鏡片、顯示面板等環(huán)節(jié)迎來確定性創(chuàng)新紅利。 投資建議:1)存儲芯片建議關注:長鑫科技、兆易創(chuàng)新等。半導體芯片建議關注:寒武紀、揚杰科技、捷捷微電、杰華特等。晶圓制造與封測建議關注:中芯國際、華虹公司、長電科技、匯成股份等。半導體設備建議關注:芯碁微裝、微導納米、精測電子、精智達、芯源微等。電子元器件建議關注:銅冠銅箔、菲利華、三環(huán)集團、風華高科、順絡電子等。消費電子建議關注中潤光學、藍特光學、天岳先進等。 風險提示:行業(yè)景氣度不及預期風險;技術研發(fā)與量產不及預期風險;供應鏈重構風險;國際貿易摩擦風險;國產替代進程不及預期風險;產業(yè)政策支持力度不及預期風險等
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