>> 東吳證券-PCB設(shè)備行業(yè)專題報告：mSAP工藝應(yīng)用場景拓展，設(shè)備股迎成長新機(jī)遇-260626
| 上傳日期： |
2026/6/26 |
大小： |
1216KB |
| 格式： |
pdf 共17頁 |
來源： |
東吳證券 |
| 評級： |
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作者： |
周爾雙 |
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投資要點(diǎn)
AI硬件升級驅(qū)動PCB性能要求提升，mSAP工藝應(yīng)用邊界持續(xù)拓寬，迎來擴(kuò)產(chǎn)放量。伴隨1.6T光模塊、CoWoP工藝及NPO的加速滲透，mSAP工藝正快速向光模塊、先進(jìn)封裝等場景拓展。1.6T光模塊量產(chǎn)落地促使PCB線路精度要求提升至15μm級別，布線密度大幅提升。傳統(tǒng)Tenting工藝難以滿足高密度互聯(lián)需求，mSAP工藝通過超薄種子銅層、圖形電鍍、閃蝕等流程，可實(shí)現(xiàn)陡直線路側(cè)壁與高精度線寬控制，能夠適配高密度布線與低信號損耗需求，成為高階PCB的主流升級方案。長期來看，CoWoP、NPO等下一代封裝與光學(xué)技術(shù)演進(jìn)，將進(jìn)一步推進(jìn)PCB載板化需求，持續(xù)打開mSAP工藝的市場空間。下游PCB廠商加速mSAP產(chǎn)能布局，鵬鼎、深南、興森、景旺、紅板、方正等頭部廠商均投資規(guī)劃新增多條mSAP產(chǎn)線，直接拉動高階設(shè)備需求增長。
mSAP工藝驅(qū)動設(shè)備技術(shù)升級，鉆孔/電鍍/LDI/成型四大核心環(huán)節(jié)受益。mSAP工藝突破了傳統(tǒng)減成法的精細(xì)線路局限，對多環(huán)節(jié)核心設(shè)備提出更高階的技術(shù)要求，微孔加工精度、曝光對位精度、電鍍銅厚均勻性等技術(shù)門檻大幅抬升：①鉆孔環(huán)節(jié)：孔徑縮小至50μm左右，超快激光鉆孔機(jī)具備更強(qiáng)的小孔加工能力，成為解決CO2激光鉆局限的更優(yōu)解決方案；②電鍍環(huán)節(jié)：要求銅厚均勻性偏差控制在±5%以內(nèi)，垂直連續(xù)電鍍（VCP）設(shè)備、水平三合一設(shè)備價值量大幅攀升；③曝光環(huán)節(jié)：線寬線距縮小至15μm，倒逼激光直接成像（LDI）設(shè)備成像精度與對位精度要求提升；④成型環(huán)節(jié)：針對1.6T光模塊等小面積復(fù)雜結(jié)構(gòu)，CCD鑼機(jī)等高精度成型設(shè)備成為剛需。技術(shù)升級帶動設(shè)備單價與壁壘同步提升。
國產(chǎn)廠商突破技術(shù)壁壘，國產(chǎn)替代與批量交付正加速兌現(xiàn)。國內(nèi)廠商已實(shí)現(xiàn)多環(huán)節(jié)技術(shù)突破，逐步進(jìn)入頭部客戶供應(yīng)鏈。①大族數(shù)控：覆蓋鉆孔、曝光、成型全流程，超快激光鉆孔機(jī)已在頭部客戶實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，CCD鑼機(jī)成為1.6T光模塊成型的優(yōu)質(zhì)方案；②東威科技：mSAP移載式VCP及水平鍍?nèi)弦辉O(shè)備量產(chǎn)領(lǐng)先，打破國外壟斷。國產(chǎn)設(shè)備憑借產(chǎn)品性能、交付周期與本地化服務(wù)優(yōu)勢加速替代；③芯碁微裝：作為PCB直寫光刻龍頭，MAS6P系列LDI設(shè)備解析能力達(dá)6/6μm，生產(chǎn)效率領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品；④洪田股份：通過收購東莞速遠(yuǎn)、控股洪鐳光學(xué)，布局高端電鍍與光刻環(huán)節(jié)，解決mSAP高孔徑比多層板填孔工藝，可滿足HDI及IC封裝基板的mSAP工藝需求。
投資建議：推薦【大族數(shù)控】【東威科技】【芯碁微裝】【洪田股份】。
風(fēng)險提示：宏觀經(jīng)濟(jì)波動風(fēng)險，PCB工藝進(jìn)展不及預(yù)期風(fēng)險，算力服務(wù)器需求不及預(yù)期風(fēng)險。
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