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公司核心邏輯：內(nèi)存接口芯片隨著DDR5世代更迭的增長，新產(chǎn)品放量同時(shí)驅(qū)動(dòng)成長。目前已處于DDR5放量的前夕，隨著AMD與Intel新平臺(tái)的發(fā)布拉動(dòng)滲透率快速提升。公司前三季度業(yè)績、相關(guān)公司如聚辰股份、Rambus都相互驗(yàn)證。
　　公司產(chǎn)品線從內(nèi)存接口芯片拓展到互聯(lián)類芯片，再拓展到計(jì)算機(jī)類芯片?；ヂ?lián)類芯片產(chǎn)品主要包括內(nèi)存接口芯片、內(nèi)存模組配套芯片和PCIe Retimer芯片，在研的產(chǎn)品包括MXC、CKD、MCR等；計(jì)算類芯片主要為津逮？服務(wù)器平臺(tái)及混合安全內(nèi)存模組，在研AI芯片。
　　內(nèi)存接口芯片及模組配套芯片需求=服務(wù)器出貨量×每臺(tái)服務(wù)器CPU用量×每塊CPU所需內(nèi)存條數(shù)量×（每條內(nèi)存條所需DB和RCD數(shù)量+每條內(nèi)存條內(nèi)存配套芯片數(shù)量）*價(jià)格。1）根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，未來5年服務(wù)器出貨量復(fù)合增速6%。2）超過85%的服務(wù)器為2路服務(wù)器，預(yù)計(jì)未來小幅提升的趨勢(shì)。3）服務(wù)器中內(nèi)存比特?cái)?shù)的需求是不斷提升，在內(nèi)存密度無法持續(xù)提升的前提下，內(nèi)存條數(shù)量不斷的增長，未來5年內(nèi)存條數(shù)量復(fù)合增速為5%。4）DDR5升級(jí)帶來DB芯片及內(nèi)存模組配套芯片（SPD+PMIC+TS）的增量需求。LRDIMM配置由1顆RCD+9顆DB提升為1顆RCD和10顆DB。RDIMM和LRDIMM的配套芯片采用1顆SPD+2顆TS+1顆PMIC的標(biāo)準(zhǔn)，這對(duì)于瀾起是增量產(chǎn)品（DDR4世代公司沒有產(chǎn)品參與）。PC/NB也需要1顆SPD+1顆PMIC，在DDR5的中后期會(huì)配套R(shí)CD，這是除服務(wù)器外的增量。5）根據(jù)我們的模型預(yù)測(cè)，滲透率早期DDR5的RCD價(jià)格有望大幅的增長，即使后續(xù)逐步降價(jià)，也將高于DDR4的價(jià)格。
　　競爭格局：內(nèi)存接口芯片三分天下，配套芯片競爭格局存在差異。目前全球僅三家廠商從事內(nèi)存接口芯片業(yè)務(wù)，分別為瀾起、Rambus以及IDT（IDT于2019年被日本瑞薩電子收購后戰(zhàn)略重心調(diào)整）。2016年IDT、瀾起科技、Rambus的市占率分別為67%、29%和4%，2021年瀾起的市占率接近40%，Rambus市占率提升至約20%。SPD和TS芯片主要由瀾起科技和IDT供應(yīng)，PMIC競爭激烈，參與方為瀾起科技、瑞薩電子、三星電子、德州儀器、芯源。
　　競爭優(yōu)勢(shì)：公司先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，技術(shù)領(lǐng)先并保持高額研發(fā)投入。瀾起深度參與內(nèi)存接口芯片標(biāo)準(zhǔn)制定工作，并受主要內(nèi)存廠商權(quán)威認(rèn)證，競爭對(duì)手部分產(chǎn)品未獲認(rèn)證。
　　津逮服務(wù)器市場(chǎng)廣闊，面向350億商業(yè)端服務(wù)器安全可控需求。服務(wù)安全可控需求，2021年實(shí)現(xiàn)業(yè)績突破，2021年度過驗(yàn)證周期，實(shí)現(xiàn)業(yè)績放量突破。津逮生態(tài)逐漸擴(kuò)大，未來有望進(jìn)一步擴(kuò)大滲透率與市占率。22H2受到大環(huán)境影響預(yù)測(cè)放量速度稍微放慢，但不影響長期趨勢(shì)。
　　首次覆蓋，給予買入評(píng)級(jí)。預(yù)計(jì)22-24年?duì)I收分別為41.09、60.93、87.94億元，增速為60%、48%、44%；歸母凈利潤為12.95、20.57、30.75億元，增速為56%、59%、50%。因?yàn)槟壳疤幱?022年底，看明年市值空間，取2023年P(guān)EG估值：平均1.39x，保守給予公司1.0x，對(duì)應(yīng)市值1113億。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游服務(wù)器需求不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；DDR5滲透率增長不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；產(chǎn)品研發(fā)失敗風(fēng)險(xiǎn)。